公开(公告)号：CN109305654A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201710624930.8

申请日：2017-07-27

Applicant: 钰太芯微电子科技(上海)有限公司 ,  钰太科技股份有限公司

Inventor： 叶菁华

IPC: B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  H04R1/08 ,  H04R31/00

CPC classification number: B81C1/00349 ,  B81B1/00 ,  B81C2201/0101 ,  B81C2201/0176 ,  H04R1/08 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明公开了一种硅基防水膜及其制备工艺及麦克风封装结构，包括以下步骤：步骤S1、对硅片进行刻蚀形成厚度为100～150μm的硅基片；步骤S2、将所述硅基片进行干法刻蚀形成多个直径为0.8～1.2μm的孔洞，并通入SF6进行化学气相沉积，在所述硅基片上形成一防水层。上述技术方案具有如下优点或有益效果：防水膜上多个孔洞通过半导体工艺制成，降低了防水膜的制作成本，且提高了孔洞大小的一致性，提高了防水膜的密封性。

公开(公告)号：CN106966356A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201710208013.1

申请日：2017-03-31

Applicant: 中北大学

Inventor： 闫树斌 ,  李国洪 ,  张志东 ,  张彦军 ,  冯登超 ,  张勐 ,  赵学峰 ,  薛晨阳 ,  张文栋

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B3/0037 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00349 ,  B81C2201/0101 ,  B81C2201/0174

Abstract: 本发明属于微机电系统领域，具体为一种悬臂梁式薄膜压力发电结构，包括框型基底，框型基底开口正对的梁上设有悬空在框型基底内的硅悬臂梁，硅悬臂梁的自由端固定有质量块，框型基底开口正对的梁上方还设有二氧化硅绝缘层，二氧化硅绝缘层上设有底电极层，底电极层上朝框型基底开口侧延伸有位于硅悬臂梁上方的条状底电极层，质量块上设有PZT压电层，PZT压电层朝二氧化硅绝缘层方向延伸有位于条状底电极层上方的条状PZT压电层，条状PZT压电层上方设有顶电极层。当系统处于振动环境中时,外界环境中的振动能传递到系统内,引起硅悬臂梁振动并弯曲变形,使硅悬臂梁储存机械能,从而引起压电层的伸缩进而产生电信号,实现了机械能到电能的转换。

公开(公告)号：CN106754247A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611139705.7

申请日：2016-12-12

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘明 ,  赵盛杰 ,  牛洁斌 ,  李海亮 ,  胡媛 ,  张凯平 ,  张培文 ,  路程 ,  刘宇

IPC: C12M1/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: C12M1/00 ,  B81C1/00444 ,  B81C1/005 ,  B81C2201/0101 ,  B81C2201/0102 ,  B81C2201/0111

Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，公开了一种托盘及其加工工艺，加工工艺包括以下步骤：绘制版图，版图上孔洞的尺寸与观测样本的尺寸相匹配；使用版图对石英基片进行曝光；对石英基片进行显影、定影处理；沉积金属铬；去除光刻胶以使与版图的孔洞对应部位的金属铬被剥离；以金属铬为掩模，在石英基片上刻蚀形成孔洞；去除石英基片上残余的金属铬。托盘采用石英基片构成，石英基片上设置有孔洞，孔洞的尺寸与观测样本的尺寸相匹配。本发明解决了现有技术中生物样品观测时使用多个或不同规格的样品载体，导致样品容易产生混淆且检测成本较高的问题。本发明达到了有效提高试验效率和针对性、降低检测成本的技术效果。

公开(公告)号：CN106379857A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201611043128.1

申请日：2016-11-24

Applicant: 陕西启源科技发展有限责任公司

Inventor： 张淑芬

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00055 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2201/0101 ,  B81C2201/0132

Abstract: 本发明谐振式硅微传感器上膜片加工方法，涉及传感器领域，具体涉及谐振式硅微传感器下膜片的加工方法包括以下步骤：选取一片重掺杂的P型硅晶片，利用外延工艺，在硅晶片衬底上，外延10um厚的轻掺杂的N型层，然后，将N型外延层进行化学机械抛光，接着，在硅衬底的正面，热氧化生长一层1um厚的SiO2薄膜，涂覆上光刻胶，利用光刻工艺生成图形，开出腐蚀掩膜窗口，利用反应离子腐蚀，腐蚀出两个深度为10um，长度为1800um，宽度为860um的凹槽；利用BHF酸溶液除去硅衬底上的SiO2薄层，在此之后进行化学机械抛光。本发明兼容性好，且加工效率高，有利于提高传感器的可靠性，降低生产成本，可批量生产。

公开(公告)号：CN107132248A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710492171.4

申请日：2017-06-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 杨亚杰 ,  何鑫 ,  毛喜玲 ,  周榆久 ,  杨文耀 ,  赵月涛 ,  徐建华 ,  太惠玲

IPC: G01N27/00 ,  H01L37/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01N27/00 ,  B81C1/00023 ,  B81C1/00349 ,  B81C2201/0101 ,  H01L37/00

Abstract: 本发明提供了一种自供能传感器及其制备方法，属于传感器技术领域。本发明结构其结构由下至上依次包括层叠的多孔基片、第一银纳米线薄膜、P型多孔导电聚合物、多孔热释电薄膜、N型多孔导电聚合物和第二银纳米线薄膜。本发明自供能传感器采用多孔热释电薄膜材料同时作为敏感单元和能量采集单元，避免了制备不同功能薄膜时各功能薄膜之间所存在的成膜工艺不匹配、成膜不均匀和相容性不好的问题；本发明器件结构设计合理，能够协同实现能量采集与产生气敏信号，使得器件结构高度集成且提高了气敏单元的灵敏度；此外，本发明制备工艺简单可控、成本低廉，在柔性电子器件具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN105668504A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610147156.1

申请日：2016-03-15

Applicant: 苏州诺联芯电子科技有限公司

Inventor： 郭安波 ,  俞骁

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01N21/3504

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B7/0087 ,  B81C1/00015 ,  B81C2201/0101 ,  G01N21/3504

Abstract: 本发明提供了一种红外光源的制作方法，包括如下步骤：S1：提供衬底，并在所述衬底的上表面制作支撑膜；S2：在所述支撑膜的上表面制作温度传感器，所述温度传感器具有用以与外电路通信连接的引线点；S3：在所述温度传感器的上方制作绝缘层；S4：在所述绝缘层的上表面制作加热源，所述加热源具有用以与外电路电性连接的接线点；S5：在所述加热源的上方制作黑体薄膜作为辐射层；S6：使所述引线点与所述接线点的部分结构向外暴露以与外电路连接。所述红外光源的制作方法将所述温度传感器设置于红外光源的辐射区域，能够实时反馈红外光源的辐射温度，可有效提高NDIR模块的探测精度和分辨率，在NDIR气体传感领域有应用前景。

公开(公告)号：CN109678104A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811634022.8

申请日：2018-12-29

Applicant: 杭州士兰集成电路有限公司 ,  杭州士兰微电子股份有限公司

Inventor： 孙伟 ,  闻永祥 ,  刘琛 ,  张旭

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81C1/00023 ,  B81C1/00349 ,  B81C2201/0101

Abstract: 本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法。该制造方法包括：在衬底上形成停止层；在停止层上形成结构层；以及将结构层图案化，从而形成具有倾斜侧壁的开口，其中，所述结构层的厚度大于等于预设值，形成所述结构层的步骤包括：利用等离子体增强化学气相沉积法在所述停止层上依次沉积多层二氧化硅，使MEMS器件具有足够的灵敏度以接收磁信号。本发明的有益效果是：在厚结构层中制作出具有倾斜侧壁的开口，且倾斜侧壁呈平直状，倾斜角度在30至60度之间，为在倾斜侧壁上制作其他结构提供了条件。

公开(公告)号：CN107500244A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710698328.9

申请日：2017-08-15

Applicant: 河北美泰电子科技有限公司

Inventor： 张旭辉 ,  徐爱东 ,  卞玉民 ,  杨拥军

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00206 ,  B81C1/00349 ,  B81C2201/0101

Abstract: 本发明公开了一种MEMS流量传感器的制造方法，涉及半导体器件技术领域，包括：将SOI基底的表面硅层的厚度调整为预设厚度，所述预设厚度大于1微米；通过热氧化在所述SOI基底的表面硅层的上表面形成第一氧化硅层，在所述SOI基底的硅衬底层的下表面形成第二氧化硅层；在所述第一氧化硅层的上表面形成图形化导电金属层；在所述图形化导电金属层的上表面形成钝化保护层；在所述钝化保护层的引线焊盘位置形成引线焊盘窗口；在所述SOI基底的硅衬底层和所述第二氧化硅层中形成背面空腔，所述背面空腔的位置与所述图形化导电金属层对应。本发明能够增大MEMS流量传感器支撑膜薄厚度，提高器件可靠性。

公开(公告)号：CN108821231A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810668146.1

申请日：2018-06-26

Applicant: 清华大学

Inventor： 冯雪 ,  李航飞

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B3/0097 ,  B81C1/00634 ,  B81C2201/0101

Abstract: 本发明公开了一种基于力学原理的表面具有微结构的高弹性基体及方法。本发明通过在高弹性基底表面制备微结构，对薄膜内部的应变进行隔离，大大降低薄膜内部由于热失配、残余应力等原因产生的应变，有效减缓了在弹性基底表面镀膜产生褶皱的现象；本发明的方法用于制备柔性电子器件，能够有效避免传统柔性电子器件制备工艺中的转印工艺，大大提高柔性电子器件制备的良品率；本发明工艺简单，效果明显，有效提高了薄膜的比表面质量；由于弹性基底表面微结构的作用，经过有限元仿真计算，该种微结构的设计可以极大的减小薄膜与基底脱层时的能量释放率，有效减小薄膜的脱层现象；本发明具有高度的可重复性，适用于多种镀膜方法和高弹性基底。

公开(公告)号：CN107686090A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201610635635.8

申请日：2016-08-04

Applicant: 深圳光启高等理工研究院

Inventor： 不公告发明人

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B3/0021 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0101

Abstract: 本发明的实施例提供了一种传感器装置，包括：第一柔性膜和第二柔性膜；柔性印刷电路，所述柔性印刷电路设置在所述第一柔性膜的第一侧上；多个传感器，设置在所述第一侧上并且介于所述第一柔性膜和所述第二柔性膜之间；其中，所述多个传感器与所述柔性印刷电路电连接。本发明的实施例还提供了一种制造传感器装置的方法。根据本发明的实施例的传感器装置和制造方法克服了传统传感器阵列的传统分布式测量网络存在布线复杂、维护困难等的缺陷，并且本发明获得了提高传感器输出精度、同时降低工程施工难度和后期维护成本的有益效果。