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    真空测量仪
    1.
    发明公开
    真空测量仪 有权 转让

    公开(公告)号：CN101133308A

    公开(公告)日：2008-02-27

    申请号：CN200680007086.4

    申请日：2006-03-01

    Applicant: 英飞康有限责任公司

    Inventor： W·克纳普 ,  M·沃斯特

    IPC: G01L21/30 ,  G01L21/32 ,  G01L21/34 ,  H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J41/00 ,  H01J41/02 ,  H01J41/04 ,  H01J41/06 ,  H01J41/08 ,  H01J41/10 ,  H01J19/00 ,  H01J19/02 ,  H01J19/04 ,  H01J19/10

    CPC classification number: G01L21/32 ,  G01L21/12 ,  H01J1/3042 ,  H01J41/04

    Abstract: 本发明提出一种发射电子的阴极(6)，它由装接到由不锈钢制成的侧壁(2)上的导电的发射层(7)和门(9)，将该门以很小的距离固定在发射层(7)的凹入的发射表面的内部。阴极(6)围绕着一个反应区域(3)，该反应区域包含一个圆柱形的筛网状的阳极(5)和一个位于中心的离子收集器(4)，该离子收集器包括一直的轴向细丝。电流计(11)测量反映在反应区域(3)中气体密度的离子收集器电流(IIC)，同时将门电压(VG)保持在发射层(7)的地电压与较高的阳极电压(VA)之间，并且调节门电压，其方式使得将阳极电流(IA)保持不变。发射层(7)可包括碳纳米管，金刚石状的碳，一种金属或一种金属混合物，或者一种半导体材料，半导体材料例如是可以比如用碳化物或钼涂布的硅。然而，发射表面也可是例如被化学刻蚀过程变粗糙的侧壁的内表面的一部分。门(9)可以是一种筛网，或者，它可以包括覆盖分布在发射区上的隔离器的金属薄膜小片或覆盖设置在发射表面上的电子可穿透层的一层金属薄膜。

    真空测量仪
    2.
    发明授权
    真空测量仪 有权 转让

    公开(公告)号：CN101133308B

    公开(公告)日：2011-08-03

    申请号：CN200680007086.4

    申请日：2006-03-01

    Applicant: 英飞康有限责任公司

    Inventor： W·克纳普 ,  M·沃斯特

    IPC: G01L21/30 ,  G01L21/32 ,  G01L21/34 ,  H01J1/30 ,  H01J1/304 ,  H01J41/00 ,  H01J41/02 ,  H01J41/04 ,  H01J41/06 ,  H01J41/08 ,  H01J41/10 ,  H01J19/00 ,  H01J19/02 ,  H01J19/04 ,  H01J19/10

    CPC classification number: G01L21/32 ,  G01L21/12 ,  H01J1/3042 ,  H01J41/04

    Abstract: 本发明提出一种发射电子的阴极(6)，它由装接到由不锈钢制成的侧壁(2)上的导电的发射层(7)和门(9)，将该门以很小的距离固定在发射层(7)的凹入的发射表面的内部。阴极(6)围绕着一个反应区域(3)，该反应区域包含一个圆柱形的筛网状的阳极(5)和一个位于中心的离子收集器(4)，该离子收集器包括一直的轴向细丝。电流计(11)测量反映在反应区域(3)中气体密度的离子收集器电流(IIC)，同时将门电压(VG)保持在发射层(7)的地电压与较高的阳极电压(VA)之间，并且调节门电压，其方式使得将阳极电流(IA)保持不变。发射层(7)可包括碳纳米管，金刚石状的碳，一种金属或一种金属混合物，或者一种半导体材料，半导体材料例如是可以比如用碳化物或钼涂布的硅。然而，发射表面也可是例如被化学刻蚀过程变粗糙的侧壁的内表面的一部分。门(9)可以是一种筛网，或者，它可以包括覆盖分布在发射区上的隔离器的金属薄膜小片或覆盖设置在发射表面上的电子可穿透层的一层金属薄膜。

    IMPROVED PLASMA GENERATION APPARATUS AND RELATED IONOZATION METHOD
    3.
    发明专利
    IMPROVED PLASMA GENERATION APPARATUS AND RELATED IONOZATION METHOD 失效

    公开(公告)号：JPH0660839A

    公开(公告)日：1994-03-04

    申请号：JP4916793

    申请日：1993-03-10

    Applicant: PUROERU TECHNOL SPA

    Inventor： CHIRI JIANFURANKO

    IPC: H01J27/02 ,  F03H1/00 ,  H01J37/08 ,  H01J41/08 ,  H05H1/26

    Abstract: PURPOSE: To obtain an ionization chamber for a plasma-generating device which is capable of pre-ionizing gas, without using constituent elements which may tend to possibly lower the reliability of a whole system. CONSTITUTION: An adequate ionization radiation source 47 is provided, so as to improve the capacity of this device, in an ionization chamber 21 for a plasma- generating device, used for utilization for ion propulsion or satellite discharge in a space field and on the ground. A radiation beam, emitted by the radiation source, creates constant ionization, having an advantage with respect to a preliminary ionization step, that is, both the starting time and operating step of the device, to standardize the capacity of a device by the continuation and regulation of the operation in particular.

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