公开(公告)号：WO2021262920A2

公开(公告)日：2021-12-30

申请号：PCT/US2021/038799

申请日：2021-06-24

Applicant: CREE, INC.

Inventor： LIM, Kwangmo Chris ,  NOORI, Basim ,  MU, Qianli ,  MARBELL, Marvin ,  SHEPPARD, Scott ,  KOMPOSCH, Alexander

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/482 ,  H03F3/19 ,  H05K1/02 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L29/20 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H03F3/72 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2223/6688 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17107 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/92125 ,  H01L23/047 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/161 ,  H01L2924/171 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H03F1/0288 ,  H03F1/526 ,  H03F2200/451 ,  H03F3/195 ,  H03F3/211 ,  H05K1/0243 ,  H05K1/113 ,  H05K2201/09627 ,  H05K2201/09636 ,  H05K2201/10545 ,  H05K3/3415 ,  H05K3/3442

Abstract: RF transistor amplifiers include an RF transistor amplifier die having a Group III nitride-based semiconductor layer structure and a plurality of gate terminals, a plurality of drain terminals, and at least one source terminal that are each on an upper surface of the semiconductor layer structure, an interconnect structure on an upper surface of the RF transistor amplifier die, and a coupling element between the RF transistor amplifier die and the interconnect structure that electrically connects the gate terminals, the drain terminals and the source terminal to the interconnect structure.

公开(公告)号：WO2022128353A2

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：PCT/EP2021/082513

申请日：2021-11-22

Applicant: SEW-EURODRIVE GMBH & CO. KG

Inventor： PODBIELSKI, Leobald ,  BRAUN, Steffen

IPC: H05K1/16 ,  H05K1/02 ,  H05K1/0228 ,  H05K1/0239 ,  H05K1/0265 ,  H05K1/112 ,  H05K1/117 ,  H05K1/165 ,  H05K2201/09236 ,  H05K2201/09245 ,  H05K2201/09481 ,  H05K2201/09618 ,  H05K2201/09627 ,  H05K2201/09672 ,  H05K2201/09709

Abstract: Leiterplatte, insbesondere als Primärleiter verwendbare Leiterplatte, die zwei oder mehr Lagen aufweist, in denen jeweils Leiterbahnen angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterplatte an zwei einander gegenüberliegenden Bereichen, insbesondere Endbereichen, Anschlussfelder aufweist, die jeweils Anschlüsse aufweisen, insbesondere linienhaft hintereinander angeordnete Anschlüsse aufweisen, wobei die beiden Anschlussfelder mittels eines Bündels von elektrischen Leitungen miteinander verbunden sind, insbesondere wobei ein jeweiliger Anschluss des ersten Anschlussfelds mit einem jeweiligen Anschluss des zweiten Anschlussfelds mittels einer jeweiligen elektrischen Leitung verbunden ist, wobei jede der elektrischen Leitungen jeweils Leiterbahnen und Durchkontaktierungen derart umfasst, dass das Bündel verdrillt ist.