公开(公告)号：CN118176403A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202280072762.5

申请日：2022-10-05

Applicant: 株式会社神钢科研

Inventor： 田原和彦 ,  宇崎良

IPC: G01B11/06 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明的晶圆厚度测量装置基于由A面光干涉仪及B面光干涉仪测量具有已知厚度的基准测量点的基准片中的所述基准测量点而获得的第1干涉仪基准测量结果及第2干涉仪基准测量结果、由A面测距仪及B面测距仪测量所述基准测量点而获得的第1测距仪基准测量结果及第2测距仪基准测量结果、由A面光干涉仪及B面光干涉仪测量所述晶圆的测量点而获得的第1干涉仪测量结果及第2干涉仪测量结果、以及由A面测距仪及B面测距仪测量所述测量点而获得的第1测距仪测量结果及第2测距仪测量结果，求出基于所述第1干涉仪基准测量结果及第2干涉仪基准测量结果的基准位移与基于所述第1干涉仪测量结果及第2干涉仪测量结果的位移之间的相位数，从而求出所述测量点处的晶圆的厚度。

公开(公告)号：CN117940737A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202280061711.2

申请日：2022-08-10

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社神钢科研

Inventor： 西山功兵 ,  川原田乔生 ,  古田洋平

IPC: G01B11/24

Abstract: 本发明的形状测量装置用光学系统包括平行光照射系统和摄像光学系统，其中，所述平行光照射系统包括点光源、准直透镜、以及隔着被测量物体被来自所述准直透镜的光照射的双侧远心构造或物方远心构造的远心镜头，所述摄像光学系统包括图像传感器，由通过所述远心镜头的光产生的所述被测量物体的一部分的影像被投射到该图像传感器，所述点光源包括LED、使来自所述LED的光扩散并射出的扩散部件、以及形成有供来自所述扩散部件的光入射的针孔的针孔部件。

公开(公告)号：CN119804781A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510066472.5

申请日：2025-01-16

Applicant: 株式会社神钢科研

Inventor： 户冢裕文 ,  饭冢正俊 ,  松田洋明 ,  青才大介 ,  常本邦明

IPC: G01N33/00

Abstract: 本公开提供一种分析方法以及分析装置，所述分析方法能够容易地进行从电池喷出的气体的经时分析。本公开的一形态的固体物的分析方法包括下述工序：将导入气体的流路配置在电池的周围；使配置有所述流路的所述电池产生异常；使从产生了异常的所述电池喷出的气体经时地导入至所述流路；以及利用气体分析器来分析被导入至所述流路的气体。

公开(公告)号：CN118901142A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202380028723.X

申请日：2023-03-23

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社神钢科研

Inventor： 越智元隆 ,  寺前裕美 ,  西山功兵 ,  宫田浩一

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203

Abstract: 本发明其目的在于，提供一种氧化物半导体膜，能够同时提高薄膜晶体管的载流子迁移率和对于环境温度的稳定性。本发明的一个方式的氧化物半导体膜，是用于薄膜晶体管的氧化物半导体膜，作为金属元素，含有In和Zn、与作为La和Nd中任意一个的元素X，全部金属元素中的上述In、上述Zn和上述X的含量为，In：30atm％以上且90atm％以下，Zn：9atm％以上且70atm％以下，X：0.0001atm％以上且2atm％以下。