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公开(公告)号：CN106057896B
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201610228211.X
申请日：2016-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/772 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种包括第一有源区和第二有源区的半导体器件。每个有源区包括多个鳍突起和布置在各鳍突起之间的凹进区域。多个栅极结构布置在多个鳍突起中的每一个上。半导体层布置在每个凹进区域中。第一有源区的栅极结构之间的距离与第二有源区的栅极结构之间的距离相同，并且第一凹进区域的半导体层的底表面与第一有源区的鳍突起中的每一个的顶表面之间的高度差小于第二有源区的凹进区域的半导体层的底表面与第二有源区的鳍突起中的每一个的顶表面之间的高度差。
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公开(公告)号：CN108807521A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810380938.9
申请日：2018-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法。第一垂直结构和第二垂直结构形成在基板上。第二垂直结构紧邻第一垂直结构定位。绝缘层形成在第一和第二垂直结构之间的基板上。栅极金属和栅极电介质层形成在第一和第二垂直结构上。栅极金属、栅极电介质层和绝缘层的一部分被去除。一部分的基板被去除。栅极金属形成在第一和第二垂直结构上之后，该部分的基板被去除。
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公开(公告)号：CN108987477A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810509771.1
申请日：2018-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 可以提供一种垂直隧穿场效应晶体管(VTFET)及其方法，所述VTFET包括：从包括源极/漏极区域的衬底突出的鳍结构；所述鳍结构上的外延生长的源极/漏极结构；包括柱部的帽，所述柱部覆盖所述外延生长的源极/漏极结构的侧表面并且部分覆盖所述鳍结构的上部的侧表面；栅极绝缘体，所述栅极绝缘体覆盖所述帽的所述柱部下方的所述鳍结构的侧表面的剩余部分；所述栅极绝缘体上的功函数金属栅极；以及分离图案，所述分离图案围绕鳍结构的下部使得所述功函数金属栅极垂直地位于所述帽与所述分离图案之间，所述分离图案将所述功函数金属栅极与所述源极/漏极区域电隔离。
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公开(公告)号：CN107527909A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710368685.9
申请日：2017-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L21/823885 , H01L23/535 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L29/0649 , H01L29/41791 , H01L29/4966 , H01L29/66553 , H01L29/66666 , H01L29/66795 , H01L29/7827 , H01L29/785 , H01L27/0886 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823462 , H01L21/823487 , H01L29/1033 , H01L29/42364
Abstract: 本发明提供一种垂直鳍式场效晶体管(V-FinFET)及其制造方法与具有其的半导体装置如下。衬底具有下部源极/漏极(S/D)。鳍式结构从下部源极/漏极的上表面垂直地延伸。鳍式结构包含具有上侧壁部分、下侧壁部分以及位于其间的中心侧壁部分的侧壁。上部S/D安置于鳍式结构的上表面上。上部间隔物安置于上侧壁部分上。下部间隔物安置于下侧壁部分上。包含栅氧化物层以及第一栅电极的堆叠结构安置于下部间隔物的上表面、中心侧壁部分以及上部间隔物的下表面上。第二栅电极安置于第一栅电极上。所述垂直鳍式场效晶体管可减小泄漏电流。
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公开(公告)号：CN112310076B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202010591338.4
申请日：2020-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底；第一下图案和第二下图案，位于所述衬底上并且在第一方向上排成一行；第一有源图案堆叠，设置在所述第一下图案上并且与所述第一下图案间隔开；第二有源图案堆叠，设置在所述第二下图案上并且与所述第二下图案间隔开；鳍形切割栅极结构，设置在所述第一下图案上，所述鳍形切割栅极结构的一部分与所述第一下图案交叠；第一栅极结构，围绕所述第一有源图案堆叠并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；第二栅极结构，围绕所述第二有源图案堆叠并且在所述第二方向上延伸；以及器件隔离层，位于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间并且将所述第一下图案与所述第二下图案分开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108807521B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201810380938.9
申请日：2018-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法。第一垂直结构和第二垂直结构形成在基板上。第二垂直结构紧邻第一垂直结构定位。绝缘层形成在第一和第二垂直结构之间的基板上。栅极金属和栅极电介质层形成在第一和第二垂直结构上。栅极金属、栅极电介质层和绝缘层的一部分被去除。一部分的基板被去除。栅极金属形成在第一和第二垂直结构上之后，该部分的基板被去除。
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公开(公告)号：CN112310076A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010591338.4
申请日：2020-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底；第一下图案和第二下图案，位于所述衬底上并且在第一方向上排成一行；第一有源图案堆叠，设置在所述第一下图案上并且与所述第一下图案间隔开；第二有源图案堆叠，设置在所述第二下图案上并且与所述第二下图案间隔开；鳍形切割栅极结构，设置在所述第一下图案上，所述鳍形切割栅极结构的一部分与所述第一下图案交叠；第一栅极结构，围绕所述第一有源图案堆叠并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；第二栅极结构，围绕所述第二有源图案堆叠并且在所述第二方向上延伸；以及器件隔离层，位于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间并且将所述第一下图案与所述第二下图案分开。
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公开(公告)号：CN106057896A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610228211.X
申请日：2016-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/772 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种包括第一有源区和第二有源区的半导体器件。每个有源区包括多个鳍突起和布置在各鳍突起之间的凹进区域。多个栅极结构布置在多个鳍突起中的每一个上。半导体层布置在每个凹进区域中。第一有源区的栅极结构之间的距离与第二有源区的栅极结构之间的距离相同，并且第一凹进区域的半导体层的底表面与第一有源区的鳍突起中的每一个的顶表面之间的高度差小于第二有源区的凹进区域的半导体层的底表面与第二有源区的鳍突起中的每一个的顶表面之间的高度差。
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公开(公告)号：CN108987477B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201810509771.1
申请日：2018-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 可以提供一种垂直隧穿场效应晶体管(VTFET)及其方法，所述VTFET包括：从包括源极/漏极区域的衬底突出的鳍结构；所述鳍结构上的外延生长的源极/漏极结构；包括柱部的帽，所述柱部覆盖所述外延生长的源极/漏极结构的侧表面并且部分覆盖所述鳍结构的上部的侧表面；栅极绝缘体，所述栅极绝缘体覆盖所述帽的所述柱部下方的所述鳍结构的侧表面的剩余部分；所述栅极绝缘体上的功函数金属栅极；以及分离图案，所述分离图案围绕鳍结构的下部使得所述功函数金属栅极垂直地位于所述帽与所述分离图案之间，所述分离图案将所述功函数金属栅极与所述源极/漏极区域电隔离。
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公开(公告)号：CN107527909B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201710368685.9
申请日：2017-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种垂直鳍式场效晶体管(V‑FinFET)及其制造方法与具有其的半导体装置如下。衬底具有下部源极/漏极(S/D)。鳍式结构从下部源极/漏极的上表面垂直地延伸。鳍式结构包含具有上侧壁部分、下侧壁部分以及位于其间的中心侧壁部分的侧壁。上部S/D安置于鳍式结构的上表面上。上部间隔物安置于上侧壁部分上。下部间隔物安置于下侧壁部分上。包含栅氧化物层以及第一栅电极的堆叠结构安置于下部间隔物的上表面、中心侧壁部分以及上部间隔物的下表面上。第二栅电极安置于第一栅电极上。所述垂直鳍式场效晶体管可减小泄漏电流。
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