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公开(公告)号：CN1815698A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510092224.0
申请日：2005-07-01
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/82 , H05B33/10
CPC classification number: H01L51/0021 , C23C14/14 , C23C14/243 , H01L51/0003 , H01L51/5221
Abstract: 本发明提供了一种形成薄膜的方法和一种制造有机光发射显示器件的方法。该方法包括沉积混合了沉积材料和添加材料的薄膜形成材料从而形成薄膜，并且添加材料与沉积材料具有低共熔点。因此，与仅使用沉积材料形成薄膜的传统方式相比可以在低得多的温度形成薄膜。
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公开(公告)号：CN1752273A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510106632.7
申请日：2005-09-22
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供一种对向靶溅射装置和利用该装置的有机电致发光显示装置的制造方法，通过使用圆板型的对向靶来防止薄膜形成时所产生的具有高能量的粒子与基片碰撞而引起的膜损伤，并通过在所述圆板型对向靶的周围旋转多个基片形成薄膜而适于大量生产。本发明包含：室部，该室部包含形成壳体的室和可以沿着所述室内壁安装多个基片的基片安装部；至少一个溅射靶部，该溅射靶部包含相隔一定距离而对置并形成约束空间的一对对向溅射靶和分别设置在所述一对靶的后面并在所述约束空间中产生磁场的磁场产生单元。
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公开(公告)号：CN1990902A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610169203.9
申请日：2006-12-20
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/243
Abstract: 本发明公开了一种蒸发源和用于沉积薄膜的方法，该蒸发源包括：熔罐，具有用于放置沉积材料的预定空间和至少一个遮挡件，遮挡件位于熔罐内部，并与所述预定空间平行，以将熔罐划分成多个通道；加热单元；至少一个喷嘴，与熔罐流体连通，喷嘴具有多个喷口。
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公开(公告)号：CN1861841A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610080203.1
申请日：2006-05-11
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供了一种用于原位多晶薄膜生长的方法。催化剂增强化学气相沉积(CECVD)装置被用于使多晶硅薄膜生长。不需要后续的退火或脱氢工艺。该方法包括排尽室内气体以形成真空室，然后净化真空室并引入催化剂。然后在真空室内放置基底，并将反应气体注射到室中。在真空室内反应气体与催化剂反应以在基底上生长多晶薄膜。本发明的方法缩短了工艺时间并降低了生产成本，并且，由于省去了笨重的退火设备，本发明可用于制造更大的器件。
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公开(公告)号：CN1818127A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510121705.X
申请日：2005-12-01
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/243
Abstract: 一种具有稳定沉积速度和高重现性的沉积源，以及一种包括沉积源的沉积设备，其中该沉积源包括：具有线形开孔部分的加热室；和包括多个孔并与加热室线形开孔部分相连的盖。盖上形成的孔之间的距离沿加热室的线形开孔部分的长边方向变化。盖上形成的孔的数量沿加热室的线形开孔部分的长边方向也可发生变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100440459C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200510092224.0
申请日：2005-07-01
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/82 , H05B33/10
CPC classification number: H01L51/0021 , C23C14/14 , C23C14/243 , H01L51/0003 , H01L51/5221
Abstract: 本发明提供了一种形成薄膜的方法和一种制造有机光发射显示器件的方法。该方法包括沉积混合了沉积材料和添加材料的薄膜形成材料从而形成薄膜，并且添加材料与沉积材料具有低共熔点。因此，与仅使用沉积材料形成薄膜的传统方式相比可以在低得多的温度形成薄膜。
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公开(公告)号：CN100373541C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200610000330.6
申请日：2006-01-04
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/683 , C23C14/04 , C23C16/04
Abstract: 本发明提供一种夹盘组件，包括：荫罩，形成有预定的图案；荫罩框架，支持所述荫罩并具有热辐射和冷却功能；基底，与荫罩对齐并且来自沉积源的沉积材料被沉积在其上；夹盘，将所述基底附在荫罩上，该夹盘包括冷却剂循环管。考虑荫罩的温度优化基底的温度，从而由于热变形导致的对齐误差被最小化。即，防止荫罩本身的温度上升，从而防止由于热膨胀导致的荫罩的变形，提高了基底图案位置的精确度。
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公开(公告)号：CN1952206A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610140238.X
申请日：2006-10-20
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/12 , C23C14/243 , C23C14/541
Abstract: 本发明提供了一种用于沉积薄膜的设备和方法，该设备包括：处理室，具有膜形成部分和沉积防止部分，沉积防止部分在膜形成部分的周边；蒸发源，与处理室流动相通，用于容纳沉积材料；吸热板，形成在处理室的沉积防止部分中，其中，吸热板设置成围绕位于处理室的膜形成部分中的基底。
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公开(公告)号：CN1814854A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510092373.7
申请日：2005-08-29
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C23C14/26
Abstract: 一种蒸发源和蒸镀装置，该蒸发源将坩埚和加热部以及喷嘴部配置在一个划分空间，缩小其尺寸；所述蒸镀装置利用所述蒸发源将蒸镀物质蒸镀在基板上。所述蒸发源包括：壳体(110)；内设于所述壳体(110)内的坩埚(120)；内设于所述壳体(110)中，用于加热坩埚(120)而设于其周边的加热部；喷嘴部，经由喷射嘴(140)将从所述坩埚(120)蒸发的蒸镀物质喷射到位于壳体(110)外部的基板(220)上。
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公开(公告)号：CN1805119A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610000330.6
申请日：2006-01-04
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/683 , C23C14/04 , C23C16/04
Abstract: 本发明提供一种夹盘组件，包括：阴罩，形成有预定的图案；阴罩框架，支持所述阴罩并具有热辐射和冷却功能；基底，与阴罩对齐并且来自沉积源的沉积材料被沉积在其上；夹盘，将所述基底附在阴罩上，该夹盘包括冷却剂循环管。考虑阴罩的温度优化基底的温度，从而由于热变形导致的对齐误差被最小化。即，防止阴罩本身的温度上升，从而防止由于热膨胀导致的阴罩的变形，提高了基底图案位置的精确度。
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