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公开(公告)号：CN106241732A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610752689.2
申请日：2016-08-30
Applicant: 上海大学
CPC classification number: B81C1/00015 , B01L3/00
Abstract: 本发明公开了一种基底表面微流控的方法，其包括对基底进行修饰处理，在基底表面制作液体流动的预图案，利用亲疏水原理，使溶剂沿图案流动，通过电学加热的方法，控制溶剂定向流动，在溶剂掺杂染料分子定向输送与稀释，此方法提供了微流控技术的另一种途径。能通过亲疏水表面图案实现液体选择流动，能通过控制亲疏水表面图案线宽的不同控制液体流动速度快慢，能通过电学选区加热实现表面微流控，还能通过表面微流定向控输送有机功能分子。本发明克服了传统制作工艺的苛刻要求，又突破了传统表面微流控技术发展的瓶颈，而且对仪器与环境的要求较低。
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公开(公告)号：CN103213938B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310130493.6
申请日：2013-04-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种金纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底及其制备方法。该基底以表面带有有序凹坑阵列结构的铝基片为模板，沉积金薄膜，随后去除铝基片，翻转下表面朝上转移固定到玻璃基底表面得到大面积(＞1cm2)、高度有序的金纳米帽阵列结构。本发明提供的金纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底形貌均一，结构可控，对于不同浓度的分析物具有显著的表面拉曼增强效果，且增强信号均一稳定（相对标准偏差小于2%）。本发明方法，可以根据模板的结构参数调节金纳米帽的结构参数和形貌，实现不同金属纳米阵列基底对拉曼表面增强效果的不同影响。具有操作简单，成本低，易于工业生产的优点。
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公开(公告)号：CN105047818A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510314343.X
申请日：2015-06-10
Applicant: 上海大学
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0014
Abstract: 本发明公开了一种利用胶乳液制备有机功能材料图案的方法和应用，其包括对基底进行修饰处理，在基底上引入有机材料预图案，将基底浸入含有有机材料的乳液中，通过亲疏水原理，使其形成有机材料图案。本发明图案化方法发生在胶乳液里，避免了光刻技术等损害材料功能的不利环境，因此可以有效地保护材料的功能性，不需要真空环境，而且过程无需加热，解决了有机材料受热分解等问题，实现了一种具有制备高分辨率、大面积、低成本的有机功能材料图案制备工艺，本发明工艺可兼容光刻技术，具有产业化应用前景。本发明方法提供了有机半导体图案化的另一种途径。
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公开(公告)号：CN103213938A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310130493.6
申请日：2013-04-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种金纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底及其制备方法。该基底以表面带有有序凹坑阵列结构的铝基片为模板，沉积金薄膜，随后去除铝基片，翻转下表面朝上转移固定到玻璃基底表面得到大面积(>1cm2)、高度有序的金纳米帽阵列结构。本发明提供的金纳米帽阵列表面增强拉曼活性基底形貌均一，结构可控，对于不同浓度的分析物具有显著的表面拉曼增强效果，且增强信号均一稳定（相对标准偏差小于2%）。本发明方法，可以根据模板的结构参数调节金纳米帽的结构参数和形貌，实现不同金属纳米阵列基底对拉曼表面增强效果的不同影响。具有操作简单，成本低，易于工业生产的优点。
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公开(公告)号：CN102590179A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210084676.4
申请日：2012-03-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米点阵表面增强拉曼活性基底及其制备方法。该基底以硅单晶为衬底，在硅表面沉积银纳米颗粒阵列结构；所述的银纳米颗粒的粒径为30～90nm，颗粒中心距为99～111nm。本发明提供的银纳米点阵表面增强拉曼活性基底形貌均一，结构可控，对于不同浓度的分析物具有显著的表面拉曼增强效果，且增强信号均一稳定。本发明方法，可以根据超薄氧化铝模板的结构参数调节银纳米点阵的结构参数和形貌，实现不同金属纳米点阵基底对拉曼表面增强效果的不同影响。具有操作简单，成本低，易于工业生产的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111896488A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010757778.2
申请日：2020-07-31
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种纠缠源与线性阻尼检测污染液滴装置，包括：纠缠源发射器、四分之一波片、偏振分束器、靶室、控制线性阻尼器、真空控制器、污染液滴控制器和信息处理器；污染液滴控制器用于向靶室滴入待测污染液滴；靶室的两侧分别设置有透明的入射窗和出射窗；真空控制器用于将靶室抽成真空；控制线性阻尼器用于向靶室输入惰性气体；纠缠源发射器发射的纠缠光子对依次通过四分之一波片和偏振分束器后分成两束光，一束光通过入射窗进入靶室照射到待测污染液滴后通过出射窗射出；信息处理器用于根据出射窗射出的携带有检测信息的光束和经过偏振器的另一束光生成相干光谱图像。本发明使检测信息更丰富，检测过程更稳定，提高了检测的准确性。
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公开(公告)号：CN110042391A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910368012.2
申请日：2019-05-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种基于阳极氧化铝模板、的钒酸铋纳米颗粒包裹的镍阵列的制备方法，通过纳米压印阳极氧化铝，模板方法制备了高度有序的一维镍纳米阵列，并在此基础上利用SILAR在镍纳米阵列上包裹一定厚度的钒酸铋颗粒以形成一维的钒酸铋-镍纳米阵列。本发明合成条件温和，操作简便并且重复率很高，通过进一步的光电催化性能测试表明该一维纳米结构光电极在光催化分解水时具有较高的光响应电流、较高的光吸收效率以及较好的光腐蚀稳定性。因此，通过上述方法制备得到的一维钒酸铋-镍纳米阵列是一种新颖的、效率较高的光电极，其为钒酸铋半导体材料用于光电催化能源转化的研究带来了新的发展启示。
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公开(公告)号：CN106011969A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610406577.1
申请日：2016-06-12
Applicant: 上海大学
IPC: C25D11/12 , C25D11/16 , C25D11/24 , C23C14/18 , C23C14/24 , C25D3/46 , C25D3/12 , C25D5/12 , C25D5/18 , C23C28/00 , B82Y40/00
CPC classification number: C25D11/045 , B82Y40/00 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C28/322 , C23C28/345 , C25D3/12 , C25D3/46 , C25D5/12 , C25D5/18 , C25D11/12 , C25D11/16 , C25D11/24
Abstract: 本发明公开了一种镍基上金纳米颗粒阵列及其制备方法，该阵列以镍基底材料上排列有金纳米颗粒阵列；所述金纳米颗粒阵列是不连续型的，其金纳米颗粒的粒径为30~72nm，颗粒的中心距为98~102 nm；或者所述金纳米颗粒阵列是连续型的，其金纳米颗粒的粒径为30~100 nm，颗粒的中心距为98~102nm。本发明提供的方法比较灵活，制备得到的镍基上金纳米颗粒阵列中的金颗粒既可以是不连续的也可以使连续的。并且所用的AAO模板可以重复使用。同时兼具操作简单，成本低，能获得大面积高度有序的金纳米颗粒阵列的优点，有望应用于太阳能电池、光电催化、传感器、信息存储等。
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公开(公告)号：CN105761943A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610230558.8
申请日：2016-04-14
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E60/13 , H01G11/26 , H01G11/30 , H01G11/86 , H01M4/0452 , H01M4/387 , H01M4/8621 , H01M4/8853
Abstract: 本发明公开了一种镍锡合金纳米孔阵列及其制备方法。本发明是基于大孔阳极氧化铝模板的结构特性制备得到大面积有序、可控的镍锡合金纳米孔阵列。所述的纳米孔的直径为200~400nm，长度1~6μm。本发明制备的镍锡合金纳米孔阵列具有大的比表面积，垂直的孔道结构、高的导电性以及结构稳定性。本发明方法，可以根据模板的结构参数调节镍锡合金纳米孔阵列的结构参数，同时还可以实现不同金属纳米孔阵列的制备，具有制备工艺简单，成本低廉，重复性好等优点。
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公开(公告)号：CN112326617B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202011229259.5
申请日：2020-11-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供了一种瞬态毒侵探测系统及方法。系统包括样品靶室、第一脉冲光调制器、偏振分束器、第二脉冲光调制器、偏振片和信息处理器。先将被测样品放入样品靶室，激光信号依次经第一脉冲光调制器和偏振分束器，于所述偏振分束器产生第一偏振激光和第二偏振激光，所述第一偏振激光进入样品靶室冲击被测样品；同时泵浦激光依次经第二脉冲光调制器和偏振片进入样品靶室冲击被测样品，所述被测样品经所述第一偏振激光和所述泵浦激光的冲击产生荧光。将第二偏振激光和荧光送入信息处理器，作为二阶关联函数的输入，通过观察二阶关联函数值的变化，实现对被测样品瞬态毒侵过程的探测。
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