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公开(公告)号：CN106707288A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710037294.9
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种太赫兹差频源远距离主动探测系统，该系统包括高功率1064nm激光器、光学参量振荡器、光束延迟线、半波片、偏振分光棱镜、硒化镓晶体、太赫兹透镜、太赫兹反射镜以及太赫兹探测器。该发明利用高功率太赫兹差频源辐射技术，结合太赫兹透镜组准平行发射‑回波聚焦技术，实现远距离目标的太赫兹反射/散射信号主动探测。本发明具有覆盖波段宽，频段兼容性好，结构简单，系统信噪比高，探测距离远，室温工作等优点。
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公开(公告)号：CN103882527A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410020985.4
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种减少碲镉汞液相外延材料表面粘液的生长装置。装置包括石墨支架、石墨板、石墨滑块和石墨盖板,石墨板上有衬底槽和母液收集槽，衬底和垫片叠放在衬底槽内。其特征在于：通过控制垫片与衬底的厚度，使其总厚度略小于衬底槽的深度，从而有利于母液刮除并不会划伤衬底表面；在石墨板上有一个母液收集槽，使得生长结束后，尚未冷却的液态母液可以被有效收集，不会回流到衬底表面。通过以上的改进，可以有效减少外延材料表面的残留母液。
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公开(公告)号：CN106707288B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201710037294.9
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种太赫兹差频源远距离主动探测系统，该系统包括高功率1064nm激光器、光学参量振荡器、光束延迟线、半波片、偏振分光棱镜、硒化镓晶体、太赫兹透镜、太赫兹反射镜以及太赫兹探测器。该发明利用高功率太赫兹差频源辐射技术，结合太赫兹透镜组准平行发射‑回波聚焦技术，实现远距离目标的太赫兹反射/散射信号主动探测。本发明具有覆盖波段宽，频段兼容性好，结构简单，系统信噪比高，探测距离远，室温工作等优点。
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公开(公告)号：CN102677161B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210142488.2
申请日：2012-05-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法，其特征步骤如下：使原本背面残液不可使用的碲镉汞材料通过化学腐蚀和机械抛光的办法，在不影响材料质量的情况下得以正常使用。该装置和方法的优点是：整个过程中清洗干净的碲镉汞外延薄膜表面始终被光刻胶所保护，从而不会导致碲镉汞外延薄膜被污染和氧化，也不会因为接触硬物而导致划伤，保证外延薄膜的洁净与表面完美。此技术使原本不可用的外延薄膜经过处理后可以使用，同时也保证了外延薄膜的质量不受影响，从而大大提高了碲镉汞外延薄膜材料制备的成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102677161A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210142488.2
申请日：2012-05-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法，其特征步骤如下：使原本背面残液不可使用的碲镉汞材料通过化学腐蚀和机械抛光的办法，在不影响材料质量的情况下得以正常使用。该装置和方法的优点是：整个过程中清洗干净的碲镉汞外延薄膜表面始终被光刻胶所保护，从而不会导致碲镉汞外延薄膜被污染和氧化，也不会因为接触硬物而导致划伤，保证外延薄膜的洁净与表面完美。此技术使原本不可用的外延薄膜经过处理后可以使用，同时也保证了外延薄膜的质量不受影响，从而大大提高了碲镉汞外延薄膜材料制备的成品率。
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公开(公告)号：CN103317394A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310250098.1
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B24B1/00
Abstract: 本发明公开一种液相外延衬底化学抛光系统。系统采用衬底真空吸附系统来避免粘蜡工序所引起的表面平整度差、易碎及繁琐的化学清洗问题。在真空吸附系统中的样品盘上刻一深度和工艺所需衬底厚度相同的槽，并设置警铃提醒，当衬底厚度达到预定目标时就会有警铃响起，提醒操作者取出衬底。本发明的优点在于：抛光系统可以精确控制衬底厚度，消除了衬底厚度对碲镉汞水平液相外延层质量的影响。
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公开(公告)号：CN203768488U
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201420028386.2
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种减少碲镉汞液相外延材料表面粘液的生长装置。装置包括石墨支架、石墨板、石墨滑块和石墨盖板,石墨板上有衬底槽和母液收集槽，衬底和垫片叠放在衬底槽内。其特征在于：通过控制垫片与衬底的厚度，使其总厚度略小于衬底槽的深度，从而有利于母液刮除并不会划伤衬底表面；在石墨板上有一个母液收集槽，使得生长结束后，尚未冷却的液态母液可以被有效收集，不会回流到衬底表面。通过以上的改进，可以有效减少外延材料表面的残留母液。
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公开(公告)号：CN203380705U
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201320360968.6
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B24B1/00
Abstract: 本实用新型公开一种液相外延衬底化学抛光系统。系统采用衬底真空吸附系统来避免粘蜡工序所引起的表面平整度差、易碎及繁琐的化学清洗问题。在真空吸附系统中的样品盘上刻一深度和工艺所需衬底厚度相同的槽，并设置警铃提醒，当衬底厚度达到预定目标时就会有警铃响起，提醒操作者取出衬底。本专利的优点在于：抛光系统可以精确控制衬底厚度，消除了衬底厚度对碲镉汞水平液相外延层质量的影响。
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公开(公告)号：CN206411268U
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201720061451.5
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开一种太赫兹差频源远距离主动探测系统，该系统包括高功率1064nm激光器、光学参量振荡器、光束延迟线、半波片、偏振分光棱镜、硒化镓晶体、太赫兹透镜、太赫兹反射镜以及太赫兹探测器。该专利利用高功率太赫兹差频源辐射技术，结合太赫兹透镜组准平行发射‑回波聚焦技术，实现远距离目标的太赫兹反射/散射信号主动探测。本专利具有覆盖波段宽，频段兼容性好，结构简单，系统信噪比高，探测距离远，室温工作等优点。
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