-
公开(公告)号：CN110044476A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910271495.4
申请日：2019-04-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于反铁磁非磁金属异质结的太赫兹探测器,属于光电探测技术领域，该方法利用反铁磁材料在太赫兹波段的反铁磁耦合共振吸收特性，将太赫兹辐射能量转化为自旋波，利用具有强自旋-轨道耦合的非磁金属中逆自旋霍尔效应将自旋波在界面处转化为电荷流，在非磁金属表面两侧电极读出电压信号，从而实现对太赫兹辐射探测。该发明利用了电子自旋属性来实现太赫兹探测，是一种自旋太赫兹探测器，具有零功耗、响应快、易集成、可室温工作等优点。
-
公开(公告)号：CN106395728A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610893671.4
申请日：2016-10-13
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: B81B1/00 , B81C1/00476 , G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种微桥结构锰钴镍氧薄膜红外探测器件及其制备方法。探测器的微桥结构为一平台，将锰钴镍氧薄膜材料沉积在该平台上制作红外探测器，其微桥结构的牺牲层采取直接加热的方式去除，而无需在锰钴镍氧探测元上再沉积一层钝化层，且牺牲层可以在内部形成拱形的支撑结构，也简化了制作流程，节约了成本，提高了器件之作的成功率，同时由于其平台结构强度较高，在红外器件的诸如涂黑漆、封装等步骤中不易受损。
-
公开(公告)号：CN102938422B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210405474.5
申请日：2012-10-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/08 , H01Q1/22
Abstract: 本发明公开一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器，该探测器由磷化铟衬底上依次生长磷化铟缓型层，铟镓砷本征层，掺杂铟镓砷层和正负电极金属层构成。该探测器基于不同材料界面电场增强效应，选用组分适当的铟镓砷材料，通过有限元方法模拟计算，设计合理的天线耦合结构，通过前放电路对太赫兹信号进行放大读出，从而实现太赫兹信号的探测。具有可室温工作，探测灵敏度高，结构简单紧凑以及可大规模集成等优点，可以对太赫兹波信号进行成像检测。
-
公开(公告)号：CN103855237A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410020865.4
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0232 , H01L31/02327 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种正入射浸没式非制冷薄膜型红外探测器，所述的红外探测器敏感元薄膜表面有一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜，探测器的敏感元薄膜位于锗透镜聚光中心焦点位置。本发明设计的器件结构制备工艺简单，只需进行一次图形光刻，两次切片和两次掩膜镀金，即能将薄膜型红外探测器的电极由薄膜表面引到衬底背面，实现了红外敏感元薄膜的正入射浸没式探测，避免了背入射条件下红外辐射信号因衬底反射和吸收而造成的光损失，大幅提高了薄膜型红外探测器的响应率和探测率，降低了器件的响应时间；且所设计的器件结构利于引线和封装，可用于正入射浸没式薄膜型红外探测器的批量生产。
-
公开(公告)号：CN102354897A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110252744.9
申请日：2011-08-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开一种外部二次级联差频太赫兹光源发生装置及实现方法，它首先利用1064nm主泵浦激光与其自倍频532nm激光泵浦的双波长谐振腔产生的两路近简并点双波长激光分别进行差频，产生两路高功率的8-18μm范围内的中红外激光，然后将这两路中红外激光进行差频来产生高功率的太赫兹波，通过二次级联差频的方式提高了转换效率，并设计合理可行的光学结构，利用计算机进行精准控制，从而实现一种具有功率高，单色性好，调谐范围宽，结构紧凑，可全固态集成的太赫兹光源。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110132426B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201910411823.6
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹探测器,该探测器利用铁磁材料与微波自旋共振实现自旋从铁磁层到反铁磁层的注入，通过自旋‑轨道扭矩使反铁磁材料奈尔矢量自激振荡。当反铁磁材料接收外界太赫兹辐射时，震荡频率通过锁相机制产生恒定磁化强度，通过测量反铁磁材料层的磁化强度实现太赫兹信号探测。该发明利用自旋‑轨道扭矩实现太赫兹探测，是一种自旋太赫兹探测器，具有响应快、易制备、宽波段调谐、可室温工作等优点。
-
公开(公告)号：CN106769994B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201710038642.4
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/3581 , G01N21/3563
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹亚波长分辨成像装置。本发明针对现有技术存在的问题，提供一种太赫兹波近场探测亚波长分辨成像装置，将太赫兹波近场成像的空间分辨率提高到优于0.02λ量级，提高近场成像质量，拓展太赫兹近场成像技术的应用领域。该成像装置包括控制电脑，0.15‑0.5THz可调频太赫兹固态倍频源，离轴抛物面镜，PE聚焦镜，聚四氟乙烯样品池，PET保护片，线列太赫兹探测器，聚氨酯吸收层，前置放大器及读出电路，AD转换器等部分。本发明应用于太赫兹成像技术领域。
-
公开(公告)号：CN107192454A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710565864.1
申请日：2017-07-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J3/28 , G01J3/18 , G01J3/02 , G01N21/3586 , G01N21/01
CPC classification number: G01J3/2823 , G01J3/02 , G01J3/0208 , G01J3/18 , G01J2003/1842 , G01N21/01 , G01N21/3586 , G01N2021/0112
Abstract: 本发明公开了一种基于立体相位光栅和孔径分割技术的THz光谱成像仪，所述THz光谱成像仪由前置镜、前置视场光阑、前置准直镜、立体相位光栅、后置会聚镜、后置视场光阑、后置准直镜、子孔径成像镜、探测器、探测器控制处理系统和控制采集处理计算机组成。所述探测器以孔径分割方式同时获取目标场景被立体相位光栅N个元胞所衍射的N个零级衍射光的光强信息，依据立体相位光栅的N个元胞所对应的N个光程差，获得N组光程差与光强的对应关系数据，通过傅里叶变换，实时获取目标的THz谱和像，适用于THz光谱检测、分析等相关领域。
-
公开(公告)号：CN103855237B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410020865.4
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种正入射浸没式非制冷薄膜型红外探测器，所述的红外探测器敏感元薄膜表面有一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜，探测器的敏感元薄膜位于锗透镜聚光中心焦点位置。本发明设计的器件结构制备工艺简单，只需进行一次图形光刻，两次切片和两次掩膜镀金，即能将薄膜型红外探测器的电极由薄膜表面引到衬底背面，实现了红外敏感元薄膜的正入射浸没式探测，避免了背入射条件下红外辐射信号因衬底反射和吸收而造成的光损失，大幅提高了薄膜型红外探测器的响应率和探测率，降低了器件的响应时间；且所设计的器件结构利于引线和封装，可用于正入射浸没式薄膜型红外探测器的批量生产。
-
公开(公告)号：CN102570247A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210019355.6
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种基于碲化镉晶体的无角度调谐纳秒激光共线差频太赫兹辐射系统，该系统具体利用非线性光学共线差频原理及准相位匹配技术实现无角度调谐的太赫兹光辐射，其波长调谐范围为0.80THz-2.74THz。该系统不仅具有高功率、准连续、宽波段、窄线宽、室温工作等特点，同时与使用双折射晶体作为太赫兹晶体辐射系统以及基于铌酸锂晶体的参量振荡源相比较，还具有波长调谐更加简便，只需调谐可调激光器输出波长，易于增加外部近红外谐振腔，结构紧凑，易于搭建，系统稳定性高，便于实际大规模应用等优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
52
records
(took 0.033 seconds)
