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公开(公告)号：CN110808309B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201911125206.6
申请日：2019-11-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/0336 , H01L31/18 , G01J4/00
Abstract: 本发明公开了一种铁电增强的范德华异质结偏振探测器及其制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为衬底、两种二维半导体构成的范德华异质结、金属源漏电极、铁电薄膜和半透明金属栅电极。首先在衬底上制备一种二维半导体，在此基础上转移另外一种具有各向异性的二维半导体，这两种半导体通过范德华力相结合，再运用电子束光刻技术与剥离技术制备金属电极，接着旋涂铁电聚合物薄膜，制备半透明金属电极，最终形成铁电局域场增强的偏振探测器。区别于异质结光电探测器，该结构可实现高二向色性比、低功耗、快速响应的偏振探测器。
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公开(公告)号：CN115172506B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210874512.5
申请日：2022-07-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/024 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种中红外探测器及其制备方法。本发明基于SiGe介质‑周期金属方块的磁共振吸收结构提供中红外吸收，利用Si‑SiO2微桥上的锰钴镍氧敏感元将入射红外光转换为电学信号。具体结构为：Si‑SiO2衬底上制备有绝热微桥，微桥上方依次制备有氧化铝缓冲层，锰钴镍氧敏感元，Cr/Au周期金属方块，双层SiGe介质‑周期金属方块吸收结构，锰钴镍氧薄膜敏感元两侧制备有外接电极及引线。双层SiGe介质‑周期金属方块吸收结构主要针对8‑12μm中红外窗口设计，可在降低锰钴镍氧敏感元电阻、热容的同时实现中红外高吸收，且探测器具备‑40～120℃宽温度区间范围内电阻温度系数较为稳定的优势特点，可应用于环境监测、夜视成像、工业测温等方面。
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公开(公告)号：CN106769994B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201710038642.4
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/3581 , G01N21/3563
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹亚波长分辨成像装置。本发明针对现有技术存在的问题，提供一种太赫兹波近场探测亚波长分辨成像装置，将太赫兹波近场成像的空间分辨率提高到优于0.02λ量级，提高近场成像质量，拓展太赫兹近场成像技术的应用领域。该成像装置包括控制电脑，0.15‑0.5THz可调频太赫兹固态倍频源，离轴抛物面镜，PE聚焦镜，聚四氟乙烯样品池，PET保护片，线列太赫兹探测器，聚氨酯吸收层，前置放大器及读出电路，AD转换器等部分。本发明应用于太赫兹成像技术领域。
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公开(公告)号：CN115172506A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210874512.5
申请日：2022-07-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/024 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种中红外探测器及其制备方法。本发明基于SiGe介质‑周期金属方块的磁共振吸收结构提供中红外吸收，利用Si‑SiO2微桥上的锰钴镍氧敏感元将入射红外光转换为电学信号。具体结构为：Si‑SiO2衬底上制备有绝热微桥，微桥上方依次制备有氧化铝缓冲层，锰钴镍氧敏感元，Cr/Au周期金属方块，双层SiGe介质‑周期金属方块吸收结构，锰钴镍氧薄膜敏感元两侧制备有外接电极及引线。双层SiGe介质‑周期金属方块吸收结构主要针对8‑12μm中红外窗口设计，可在降低锰钴镍氧敏感元电阻、热容的同时实现中红外高吸收，且探测器具备‑40～120℃宽温度区间范围内电阻温度系数较为稳定的优势特点，可应用于环境监测、夜视成像、工业测温等方面。
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公开(公告)号：CN114512614A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210143827.2
申请日：2022-02-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种铁电局域场增强的偏振光电探测器及其制备方法，涉及偏振光电探测技术领域，该偏振光电探测器从下向上观测依次是衬底、二维半导体层、金属电极对以及铁电薄膜层；二维半导体层的材料为黑磷；铁电薄膜层的材料为聚偏氟乙烯基铁电聚合物；金属电极对包括第一金属电极和第二金属电极；第一金属电极和所述第二金属电极之间形成的沟道结构暴露出部分二维半导体层；其中，通过对铁电薄膜层电极化后暴露出的部分二维半导体层形成面内PN结。利用铁电薄膜的强局域场改变黑磷在armchair方向和zigzag方向上的塞贝克系数和电导率，增强armchair方向上的光电流，使得偏振光电探测器的偏振探测比大大提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113013279A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110107189.4
申请日：2021-01-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/028
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞范德华异质结红外偏振探测器及制备方法。探测器的结构自下而上依次为衬底、碲镉汞材料、绝缘层、二维半导体黑磷、金属电极。首先在衬底上生长碲镉汞材料，通过紫外光刻和氩离子刻蚀去除部分碲镉汞，采用电子束蒸发的方法填充氧化铝作为绝缘层，利用聚碳酸亚丙酯薄膜辅助定点转移二维半导体材料黑磷在碲镉汞和绝缘层的交界处，通过电子束光刻技术结合剥离工艺制备金属源漏电极，形成碲镉汞范德华异质结红外偏振探测器结构。该器件结构可在无外加偏置电压的条件下实现中波红外波段的探测功能，有效降低了器件功耗；且可在无附加光结构的条件下实现偏振探测功能，大大简化了偏振探测器的器件结构。
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公开(公告)号：CN109949843A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910246108.1
申请日：2019-03-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种铁电畴调控的光读出模式存储器及制备方法。器件结构为：导电衬底上依次有二维半导体和铁电薄膜层。器件制备步骤是在导电衬底上制备二维半导体，然后制备铁电薄膜，随后利用压电力显微技术对二维半导体上的铁电薄膜写入周期性正-反向畴结构，利用铁电电畴调控二维半导体WS2的光致发光强度。铁电畴极化向下区域的WS2发光强度明显强于极化向上的区域，利用荧光相机拍摄出的荧光相片呈现出与极化方向相对应的明暗区域，将这些明暗区域分别代表存储器的开态(“1”)和关态(“0”)，从而实现存储的目的。该类光电存储器具有结构简单，存储密度大，非易失性，保持特性良好，一次性可获得全部存储信息，摆脱传统读出电路限制的特点。
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公开(公告)号：CN103855237B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410020865.4
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种正入射浸没式非制冷薄膜型红外探测器，所述的红外探测器敏感元薄膜表面有一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜，探测器的敏感元薄膜位于锗透镜聚光中心焦点位置。本发明设计的器件结构制备工艺简单，只需进行一次图形光刻，两次切片和两次掩膜镀金，即能将薄膜型红外探测器的电极由薄膜表面引到衬底背面，实现了红外敏感元薄膜的正入射浸没式探测，避免了背入射条件下红外辐射信号因衬底反射和吸收而造成的光损失，大幅提高了薄膜型红外探测器的响应率和探测率，降低了器件的响应时间；且所设计的器件结构利于引线和封装，可用于正入射浸没式薄膜型红外探测器的批量生产。
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公开(公告)号：CN103855238B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410020924.8
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种背入射浸没式热敏薄膜型红外探测器，所述的红外探测器衬底背面上集成一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜，探测器的敏感元和起补偿作用的补偿元分别位于锗透镜聚光中心焦点位置和边缘区域。该专利的优点在于：能有效消除热敏器件中因衬底效应而引起的等效热容、信号串扰对器件响应率的影响；利用锗透镜的聚光作用，从薄膜衬底背面入射到敏感元上的方式实现浸没式探测，大幅提高了热敏薄膜型红外探测器的响应率和探测率。本专利的公开，对于发展高性能、非制冷热敏薄膜型红外探测器件有一定的指导作用，并可用于单元浸没式红外探测器件的批量生产。
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公开(公告)号：CN104934502A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510295806.2
申请日：2015-06-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0322 , C01B19/00 , H01L21/67253 , H01L31/1864
Abstract: 本发明公开了一种可控制硒气压的制备铜铟镓硒薄膜的硒化装置，该硒化装置由石英腔体、真空系统、气体流量控制系统、加热系统和石墨盒构成，其特征在于，石墨盒上除了常规的上盖以外，还在上盖中间开孔，并在此开孔中放置一个圆锥体型小盖子，通过改变小盖子质量和开孔面积可以调节石墨盒内的硒气压。本发明的优点在于：装置提高了铟镓硒薄膜固态源硒化过程的可控性、稳定性和重复性。
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