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公开(公告)号：CN113517373B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202110525423.5
申请日：2021-05-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H10F30/29 , H10F77/121 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种碲基室温太赫兹探测器件，器件具有金属‑半导体‑金属结构，半导体选用碲纳米片材料，选用钛和金做金属电极。Te太赫兹探测器在室温下斩波频率1kHz，172GHz的工作频率下响应时间仅为9.7μs，响应率高达600kV/W，在1V偏置和1kHz调制频率下的NEP低于0.1pW/Hz0.5。探测器经过被两次加热至200℃20分钟再冷却后，响应基本保持不变。Te太赫兹探测器具有以下优点：1、结构简单；2、可室温工作；3、器件灵敏度高；4、响应速度快；5、稳定性好。
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公开(公告)号：CN115172506B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210874512.5
申请日：2022-07-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/024 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种中红外探测器及其制备方法。本发明基于SiGe介质‑周期金属方块的磁共振吸收结构提供中红外吸收，利用Si‑SiO2微桥上的锰钴镍氧敏感元将入射红外光转换为电学信号。具体结构为：Si‑SiO2衬底上制备有绝热微桥，微桥上方依次制备有氧化铝缓冲层，锰钴镍氧敏感元，Cr/Au周期金属方块，双层SiGe介质‑周期金属方块吸收结构，锰钴镍氧薄膜敏感元两侧制备有外接电极及引线。双层SiGe介质‑周期金属方块吸收结构主要针对8‑12μm中红外窗口设计，可在降低锰钴镍氧敏感元电阻、热容的同时实现中红外高吸收，且探测器具备‑40～120℃宽温度区间范围内电阻温度系数较为稳定的优势特点，可应用于环境监测、夜视成像、工业测温等方面。
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公开(公告)号：CN110132426B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201910411823.6
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹探测器,该探测器利用铁磁材料与微波自旋共振实现自旋从铁磁层到反铁磁层的注入，通过自旋‑轨道扭矩使反铁磁材料奈尔矢量自激振荡。当反铁磁材料接收外界太赫兹辐射时，震荡频率通过锁相机制产生恒定磁化强度，通过测量反铁磁材料层的磁化强度实现太赫兹信号探测。该发明利用自旋‑轨道扭矩实现太赫兹探测，是一种自旋太赫兹探测器，具有响应快、易制备、宽波段调谐、可室温工作等优点。
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公开(公告)号：CN106769994B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201710038642.4
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/3581 , G01N21/3563
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹亚波长分辨成像装置。本发明针对现有技术存在的问题，提供一种太赫兹波近场探测亚波长分辨成像装置，将太赫兹波近场成像的空间分辨率提高到优于0.02λ量级，提高近场成像质量，拓展太赫兹近场成像技术的应用领域。该成像装置包括控制电脑，0.15‑0.5THz可调频太赫兹固态倍频源，离轴抛物面镜，PE聚焦镜，聚四氟乙烯样品池，PET保护片，线列太赫兹探测器，聚氨酯吸收层，前置放大器及读出电路，AD转换器等部分。本发明应用于太赫兹成像技术领域。
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公开(公告)号：CN115172506A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210874512.5
申请日：2022-07-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/024 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种中红外探测器及其制备方法。本发明基于SiGe介质‑周期金属方块的磁共振吸收结构提供中红外吸收，利用Si‑SiO2微桥上的锰钴镍氧敏感元将入射红外光转换为电学信号。具体结构为：Si‑SiO2衬底上制备有绝热微桥，微桥上方依次制备有氧化铝缓冲层，锰钴镍氧敏感元，Cr/Au周期金属方块，双层SiGe介质‑周期金属方块吸收结构，锰钴镍氧薄膜敏感元两侧制备有外接电极及引线。双层SiGe介质‑周期金属方块吸收结构主要针对8‑12μm中红外窗口设计，可在降低锰钴镍氧敏感元电阻、热容的同时实现中红外高吸收，且探测器具备‑40～120℃宽温度区间范围内电阻温度系数较为稳定的优势特点，可应用于环境监测、夜视成像、工业测温等方面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113517373A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110525423.5
申请日：2021-05-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/115 , H01L31/0272 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种碲基室温太赫兹探测器件，器件具有金属‑半导体‑金属结构，半导体选用碲纳米片材料，选用钛和金做金属电极。Te太赫兹探测器在室温下斩波频率1kHz，172GHz的工作频率下响应时间仅为9.7μs，响应率高达600kV/W，在1V偏置和1kHz调制频率下的NEP低于0.1pW/Hz0.5。探测器经过被两次加热至200℃20分钟再冷却后，响应基本保持不变。Te太赫兹探测器具有以下优点：1、结构简单；2、可室温工作；3、器件灵敏度高；4、响应速度快；5、稳定性好。
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公开(公告)号：CN103855237B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410020865.4
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种正入射浸没式非制冷薄膜型红外探测器，所述的红外探测器敏感元薄膜表面有一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜，探测器的敏感元薄膜位于锗透镜聚光中心焦点位置。本发明设计的器件结构制备工艺简单，只需进行一次图形光刻，两次切片和两次掩膜镀金，即能将薄膜型红外探测器的电极由薄膜表面引到衬底背面，实现了红外敏感元薄膜的正入射浸没式探测，避免了背入射条件下红外辐射信号因衬底反射和吸收而造成的光损失，大幅提高了薄膜型红外探测器的响应率和探测率，降低了器件的响应时间；且所设计的器件结构利于引线和封装，可用于正入射浸没式薄膜型红外探测器的批量生产。
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公开(公告)号：CN103855238B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410020924.8
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种背入射浸没式热敏薄膜型红外探测器，所述的红外探测器衬底背面上集成一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜，探测器的敏感元和起补偿作用的补偿元分别位于锗透镜聚光中心焦点位置和边缘区域。该专利的优点在于：能有效消除热敏器件中因衬底效应而引起的等效热容、信号串扰对器件响应率的影响；利用锗透镜的聚光作用，从薄膜衬底背面入射到敏感元上的方式实现浸没式探测，大幅提高了热敏薄膜型红外探测器的响应率和探测率。本专利的公开，对于发展高性能、非制冷热敏薄膜型红外探测器件有一定的指导作用，并可用于单元浸没式红外探测器件的批量生产。
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公开(公告)号：CN102680112B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210142451.X
申请日：2012-05-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种以PCB电路制作的单元热敏器件读出电路，所述电路包括偏置电路，积分放大电路，相关双采样电路。偏置电路为单元热敏器件提供稳定的偏置电压，并将辐射信号转化为电流信号，该电流信号流经积分放大器转化为电压信号，然后被相关双采样电路采集。在信号输出端，相关双采样电路将辐射信号扣除电路噪声后输出。与集成电路上制作的读出电路相比，该PCB电路设计灵活，制作周期短，成本低廉，在对系统体积要求不大的情况下可以代替集成读出电路，作为探测器与红外成像系统的接口电路。同时该电路还可以作为测试电路和前置放大电路，实测单元器件的性能，在新型热敏器件的探索中有潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN102775133A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210211407.X
申请日：2012-06-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种快速制取锰钴镍氧多晶厚膜的方法。本发明改进匀胶以及低温热处理的过程，给出一种制膜速率较高的锰钴镍氧热敏薄膜的制备工艺方法。本法涉及到平均每个周期制备的薄膜厚度约为15-17nm，略低于逐层高温退火条件下的20nm，但由于大大节约了高温热处理的时间，该方法仍将大大缩短锰钴镍热敏薄膜制备的总时间，在保证结晶性和致密度的前提下提高成膜质量。
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