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公开(公告)号：CN118087015A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311837205.0
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C30B11/00
Abstract: 一种界面可视化的晶体生长观测装置，用于至少对坩埚下降法制备氟化物晶体过程的可视化观测，包括高真空生长装置，生长探测组件，坩埚旋转系统和控制系统，所述高真空生长装置和所述坩埚旋转系统围合形成生长空腔用以提供待生长熔体的生长空间；所述坩埚旋转系统用于至少支撑所述待生长熔体；所述高真空生长装置用于使所述生长空腔处于真空或密闭生长环境，并用于调节与所述坩埚旋转系统的相对位置以实现对所述待生长熔体的下降过程的控制；其中所述生长探测组件用于通过X射线至少探测所述待生长熔体制备为晶体中的固液界面的位置和形态信息，所述控制系统与所述生长探测组件连接用以基于所述固液界面的位置和形态信息显示晶体生长过程。
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公开(公告)号：CN117822089A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311642184.7
申请日：2023-12-04
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明涉及一种含有异形隔板的晶体生长装置和异形隔板。生长装置包括炉壳，保温层，坩埚和发热体，保温层设置在炉壳内并形成一密闭中空腔体以提供晶体生长操作空间，发热体设置在保温层的内壁上用于提供晶体熔融的热源，坩埚包括从上到下固连设置的等径部，放肩部和籽晶部，籽晶部的径向尺寸小于等径部，还包括异形隔板，异形隔板设置在发热体的下方用于将中空腔体分为不同温度区域以使晶体在异形隔板对应的区域生长，异形隔板包括从上到下固连设置的上窄部，中坡部和下宽部，下宽部的径向尺寸大于上窄部，其中异形隔板的中坡部与坩埚的放肩部呈大致平行设置，用以解决坩埚的放肩部的壁面过冷的同时，保证晶体结晶的顺利进行。
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公开(公告)号：CN117737823A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311830373.7
申请日：2023-12-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明公开了实现生长速度自适应的坩埚下降法晶体生长装置及方法，装置包括：炉体，设置在炉体上晶体生长加速检测系统、生长速度自适应控制系统，以及用于晶体生长的坩埚，所述炉体内还设有发热体及控制坩埚升降速度的籽晶杆升降装置；所述晶体生长加速检测系统设于所述炉体上方，用于检测所述坩埚在所述炉体中的位置，并根据所述坩埚在所述炉体中的位置获取晶体生长速度；所述生长速度自适应控制系统与所述发热体及所述籽晶杆升降装置连接，用于根据所述坩埚在所述炉体中的位置控制所述坩埚的下降速度，使得坩埚下降速度与晶体生长速度匹配。本发明抑制晶体结晶过程中缺陷的产生，提高晶体内部质量和利用率。
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公开(公告)号：CN114941170A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210507490.9
申请日：2022-05-11
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开一种提高氟化钙晶体193nm激光辐照硬度的方法。所述方法通过控制氟化钙原料中具有与F心波函数重叠的低位s轨道与d轨道的杂质阳离子含量来避免氟化钙晶体中F心、H心和M心的形成，降低氟化钙晶体中的氟空位浓度以及降低氟化钙晶体中的氧浓度的一种或多种的组合来提高氟化钙晶体的辐照硬度。
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公开(公告)号：CN117166051A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311066971.1
申请日：2023-08-23
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于逆向激光加热基座法快速生长稀土掺杂铝酸钇晶体的方法。所述方法包括：(1)将氧化钇粉体、氧化铝粉体、稀土氧化物粉体按比例混合，经冷等静压成型、烧结、滚圆后制得Re:YAP陶瓷料棒；(2)利用激光加热基座法进行单晶光纤的正向生长；(3)将步骤(2)正向生长后的单晶光纤作为源棒，进行Re:YAP晶体的逆向生长；(4)设置分段降温程序，使激光器功率程序降温至0W。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116463714A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210241940.4
申请日：2022-03-11
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明公开一种光学浮区法制备六方结构YbxIn1‑xFeO3单晶的生长方法。所述方法包括以下步骤：根据元素化学计量比称量氧化铁、氧化镱、氧化铟为原料并将其混合均匀，在800‑1200℃预烧结12‑24h，使得原料初步反应形成YbxIn1‑xFeO3而又不形成正交相；将预烧结后的材料等静压成型得到原料棒；将原料棒在1000‑1200℃烧结12‑24h，烧结过程中保持原料棒为水平状态，得到籽晶棒；将籽晶棒作为下料棒，将原料棒作为上料棒，进行晶体生长；晶体生长结束后降温，得到所述六方结构YbxIn1‑xFeO3单晶。
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公开(公告)号：CN116427017A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310124557.5
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种激光加热基座法生长Al2O3‑YAG共晶光纤的方法，包括：(1)将Al2O3晶体和YAG晶体分别切割成长条状Al2O3和长条状YAG后合并成一体作为源棒，固定于激光加热基座馈送装置；(2)将Al2O3籽晶或YAG籽晶固定于激光加热基座提拉装置；(3)利用激光加热基座法进行Al2O3‑YAG共晶光纤的生长。
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公开(公告)号：CN116377580A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202111593196.6
申请日：2021-12-23
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种稀土离子掺杂降低氟化钙晶体解理特性的方法。选用CaF2粉末作为原料，采用坩埚下降法或温度梯度法制备氟化钙晶体过程中，选用RF3作为掺杂源，通过掺杂不超过2at%的稀土阳离子R3+以降低解理效应；所述稀土离子R3+为Y3+或三价镧系元素离子=La3+～Lu3+。
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公开(公告)号：CN110760930A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911081341.5
申请日：2019-11-07
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种掺杂有多种三价调剂离子的碱土金属氟化物激光晶体及其制备方法，所述掺杂有多种三价调剂离子的碱土金属氟化物激光晶体的化学式为Nd3+,R3+:MeF2；其中，Me为Ca、Sr、Ba中的一种，R3+为Y3+、La3+、Gd3+、Lu3+、Sc3+中的至少两种。
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公开(公告)号：CN118422312A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410442364.9
申请日：2024-04-12
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明属于氟化钙晶体技术领域，具体涉及一种通过痕量元素掺杂提高氟化钙晶体可见波段耐辐照损伤性能的方法。为解决特定使用场景下氟化钙晶体的抗辐照损伤特性，本发明通过控制氟化钙晶体中能够F空位形成竞争机制的高价变价杂质离子的含量，使得在受到高能辐射照射时，所述氟化钙晶体中能够F空位形成竞争机制的高价变价杂质离子相较F空位优先俘获电子，从而减少或抑制F心的形成，最终实现氟化钙晶体在可见光波段抗辐照损伤性能的提升。本发明利用引入痕量的变价离子Yb3+，氟化钙晶体辐照损伤性能得到明显提升。
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