公开(公告)号：CN107180863A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710138551.8

申请日：2017-03-09

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高 ,  久野敬史

IPC: H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种开关元件，其实现电极的裂纹的抑制和开关元件的导通电阻的降低。在开关元件中，半导体基板具有第一元件范围和无效范围，第一元件范围具备栅极用的第一沟槽，无效范围不具备第一沟槽。在覆盖半导体基板的上表面的层间绝缘膜上，于第一元件范围内设置有接触孔，于无效范围内设置有宽幅接触孔。第一金属层在接触孔和宽幅接触孔内与半导体基板相接。在第一金属层的表面上，于接触孔的上部设置有第一凹部，于宽幅接触孔的上部设置有第二凹部。绝缘保护膜对第二凹部的底面的外周侧的部分进行覆盖。在绝缘保护膜的包含第一元件范围在内的范围内所设置的开口的侧面被配置于第二凹部内。第二金属层在开口内与第一金属层和开口的侧面相接。

公开(公告)号：CN107180862A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710137727.8

申请日：2017-03-09

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高 ,  久野敬史

IPC: H01L29/739 ,  H01L23/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及一种开关元件，其抑制第一金属层的裂纹，并确保开关元件的耐压，且降低开关元件导通时的电阻。在所述开关元件中，半导体基板具有第一元件范围和无效范围。第一沟槽跨及第一元件范围和无效范围而在第一方向上延伸。在第一元件范围内，于各个沟槽间区域内设置有多个第二沟槽。在无效范围内，于各个沟槽间区域内未设置有第二沟槽。在沟槽内配置有栅电极。在无效范围内，于层间绝缘膜上未设置有接触孔。第一金属层对层间绝缘膜进行覆盖。绝缘保护膜对无效范围内的第一金属层的外周侧的部分进行覆盖。第二金属层在绝缘保护膜的开口内与第一金属层相接并且与开口的侧面相接。

公开(公告)号：CN108346700A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810067250.5

申请日：2018-01-23

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 久野敬史 ,  津间博基 ,  桑野聪 ,  添野明高 ,  金丸俊隆 ,  桥本健太 ,  柿本规行 ,  米田秀司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/41708 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/32133 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够抑制表面电极的裂纹并且减轻半导体基板的应力。该半导体装置具有：半导体基板；覆盖所述半导体基板的表面的表面电极；覆盖所述表面电极的表面的一部分的绝缘保护膜；以及对横跨从所述绝缘保护膜的表面至所述表面电极的表面的范围进行覆盖的焊接用金属膜。所述表面电极具有：配置在所述半导体基板上的第一金属膜；与所述第一金属膜的表面接触且具有比所述第一金属膜更高的拉伸强度的第二金属膜；以及第三金属膜，其与所述第二金属膜的表面接触，具有与所述第二金属膜相比较低而与所述第一金属膜相比较高的拉伸强度。

公开(公告)号：CN106206573A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610363603.7

申请日：2016-05-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤 ,  添野明高 ,  平林康弘 ,  久野敬史 ,  山下侑佑 ,  町田悟

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/872 ,  H01L27/06 ,  H01L27/0647 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在对半导体基板进行俯视观察时，存在如下范围，即，柱区露出于半导体基板的表面的柱露出范围、柱区与阳极接触区的深部侧相接的柱接触范围、阳极区与阳极接触区的深部侧相接的阳极接触范围。在柱接触范围与阳极接触范围所并排的方向上的柱接触范围的宽度与阳极接触范围的宽度相比而较窄。

公开(公告)号：CN107180864B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201710138580.4

申请日：2017-03-09

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高 ,  妹尾贤 ,  久野敬史 ,  桑野聪 ,  柿本规行 ,  金丸俊隆 ,  桥本健太 ,  利田祐麻

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种开关元件，并提供一种能够抑制第一金属层产生裂纹的情况，并能够确保开关元件的耐压，且能够降低开关元件导通时的电阻的技术。设置有在半导体基板的上表面上以网眼状延伸的沟槽(栅电极)，半导体基板的上表面被层间绝缘膜覆盖。在元件范围内的层间绝缘膜上，于各个单元区的上部设置有接触孔，在围绕范围内，于各个单元区内上表面整体被层间绝缘膜覆盖。第一金属层对层间绝缘膜进行覆盖，并且在接触孔的上部具有凹部。绝缘保护膜对围绕范围内的第一金属层的外周侧的部分进行覆盖。第二金属层在绝缘保护膜的开口内对第一金属层进行覆盖。在围绕范围内设置有延伸至各个沟槽的下侧并与体区导通的第二导电型区域。

公开(公告)号：CN106206573B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201610363603.7

申请日：2016-05-26

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 妹尾贤 ,  添野明高 ,  平林康弘 ,  久野敬史 ,  山下侑佑 ,  町田悟

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在对半导体基板进行俯视观察时，存在如下范围，即，柱区露出于半导体基板的表面的柱露出范围、柱区与阳极接触区的深部侧相接的柱接触范围、阳极区与阳极接触区的深部侧相接的阳极接触范围。在柱接触范围与阳极接触范围所并排的方向上的柱接触范围的宽度与阳极接触范围的宽度相比而较窄。

公开(公告)号：CN107180864A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710138580.4

申请日：2017-03-09

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高 ,  妹尾贤 ,  久野敬史 ,  桑野聪 ,  柿本规行 ,  金丸俊隆 ,  桥本健太 ,  利田祐麻

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种开关元件，并提供一种能够抑制第一金属层产生裂纹的情况，并能够确保开关元件的耐压，且能够降低开关元件导通时的电阻的技术。设置有在半导体基板的上表面上以网眼状延伸的沟槽(栅电极)，半导体基板的上表面被层间绝缘膜覆盖。在元件范围内的层间绝缘膜上，于各个单元区的上部设置有接触孔，在围绕范围内，于各个单元区内上表面整体被层间绝缘膜覆盖。第一金属层对层间绝缘膜进行覆盖，并且在接触孔的上部具有凹部。绝缘保护膜对围绕范围内的第一金属层的外周侧的部分进行覆盖。第二金属层在绝缘保护膜的开口内对第一金属层进行覆盖。在围绕范围内设置有延伸至各个沟槽的下侧并与体区导通的第二导电型区域。