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公开(公告)号：CN105981143B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201480075198.8
申请日：2014-09-08
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/329 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L27/04 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
CPC classification number: H01L27/0664 , H01L21/02675 , H01L21/265 , H01L21/26513 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/425 , H01L21/8222 , H01L27/0629 , H01L29/0684 , H01L29/0821 , H01L29/0839 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L29/78 , H01L29/8611
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其中，在沿着半导体基板的厚度方向而对在半导体基板(12)的表面上露出的第一导电型区域(38)中的第一导电型杂质的浓度分布进行观察时，从表面侧起形成有极大值N1、极小值N2、极大值N3、浓度N4，并满足N1＞N3＞N2＞N4的关系，且满足N3/10＞N2的关系，从表面起至具有极大值N1的深度(D1)为止的距离a与从具有极大值N1的深度(D1)起至具有极小值N2的深度(D2)为止的距离b的2倍相比较大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106952811A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201611122368.0
申请日：2016-12-08
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/331 , H01L21/02 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法。所述制造半导体装置的方法包括半导体区域形成工序、清洗工序、表面粗糙度均匀化工序和电极形成工序。作为半导体区域形成工序，形成半导体区域，以使得具有不同离子注入量的多个半导体区域暴露在半导体基板的一个主表面上。作为清洗工序，在半导体区域形成工序之后，使用氢氟酸在半导体基板的所述一个主表面上进行清洗。作为表面粗糙度均匀化工序，在清洗工序之后，使半导体基板的所述一个主表面的表面粗糙度均匀化。作为电极形成工序，在表面粗糙度均匀化工序之后，在半导体基板的所述一个主表面上形成电极。
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公开(公告)号：CN106233438B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201580020907.7
申请日：2015-02-25
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/41 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66348 , H01L21/2253 , H01L21/28035 , H01L21/28114 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/66734 , H01L29/739 , H01L29/7397 , H01L29/7813
Abstract: 公开：在通过在蚀刻后对半导体基板进行离子注入而形成扩散层从而制造半导体装置的情况下，能够抑制在制造出的半导体装置之间产生特性不均的技术。半导体装置(2)具有半导体基板(10)。在半导体基板(10)形成有发射区(12)、顶体区(14)、势垒区(16)、底体区(18)、漂移区(20)、集电区(22)、沟槽(30)、栅绝缘膜(32)以及栅电极(34)。栅电极(34)的表面设置于比半导体基板(10)的表面深的位置。栅电极(34)中的沟槽(30)的宽度方向中央的第1部分(34a)的表面设置于比与栅绝缘膜(32)相接的第2部分(34b)的表面浅的位置。
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公开(公告)号：CN106233438A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580020907.7
申请日：2015-02-25
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/41 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66348 , H01L21/2253 , H01L21/28035 , H01L21/28114 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/66734 , H01L29/739 , H01L29/7397 , H01L29/7813
Abstract: 公开：在通过在蚀刻后对半导体基板进行离子注入而形成扩散层从而制造半导体装置的情况下，能够抑制在制造出的半导体装置之间产生特性不均的技术。半导体装置(2)具有半导体基板(10)。在半导体基板(10)形成有发射区(12)、顶体区(14)、势垒区(16)、底体区(18)、漂移区栅电极(34)。栅电极(34)的表面设置于比半导体基板(10)的表面深的位置。栅电极(34)中的沟槽(30)的宽度方向中央的第1部分(34a)的表面设置于比与栅绝缘膜(32)相接的第2部分(34b)的表面浅的位置。(20)、集电区(22)、沟槽(30)、栅绝缘膜(32)以及
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公开(公告)号：CN108074810A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711123594.5
申请日：2017-11-14
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/331 , H01L21/268 , H01L21/322 , H01L29/739
CPC classification number: H01L27/0716 , H01L21/26513 , H01L21/268 , H01L21/8249 , H01L27/0727 , H01L29/08 , H01L29/0834 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/407 , H01L29/7397 , H01L29/8611 , H01L29/8613 , H01L29/66348 , H01L21/322
Abstract: 本发明提供抑制阴极区域与晶体缺陷区域的相对位置偏离的半导体装置的制造方法。该制造方法是具备二极管的半导体装置的制造方法，具有：通过从半导体基板的第一表面和所述第一表面的相反侧的第二表面中的至少一方向所述半导体基板的第一范围和第二范围注入带电粒子，来使所述第一范围及所述第二范围的晶体缺陷密度上升的工序；通过从所述第一表面向所述第一范围注入n型杂质，来使所述第一范围的向所述第一表面露出的区域非晶形化的工序；在实施所述带电粒子的注入和所述n型杂质的注入后，通过将激光向所述第一表面照射来对所述第一范围和所述第二范围进行加热的工序；及在实施所述激光的照射以后使非晶形化的所述区域结晶化的工序。
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公开(公告)号：CN105981143A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480075198.8
申请日：2014-09-08
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/329 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L27/04 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
CPC classification number: H01L27/0664 , H01L21/02675 , H01L21/265 , H01L21/26513 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/425 , H01L21/8222 , H01L27/0629 , H01L29/0684 , H01L29/0821 , H01L29/0839 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L29/78 , H01L29/8611
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其中，在沿着半导体基板的厚度方向而对在半导体基板(12)的表面上露出的第一导电型区域(38)中的第一导电型杂质的浓度分布进行观察时，从表面侧起形成有极大值N1、极小值N2、极大值N3、浓度N4，并满足N1＞N3＞N2＞N4的关系，且满足N3/10＞N2的关系，从表面起至具有极大值N1的深度(D1)为止的距离a与从具有极大值N1的深度(D1)起至具有极小值N2的深度(D2)为止的距离b的2倍相比较大。
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