公开(公告)号：CN100557819C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200480029528.6

申请日：2004-10-06

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  滨田公守 ,  黑柳晃 ,  大仓康嗣 ,  户仓规仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明旨在提供一种可容易地制造的绝缘栅型半导体器件及其制造方法，同时实现较高的耐压设计和较低的接通电阻设计。所述半导体器件包括N+源极区31、N+漏极区11、P-体区41以及N-漂移区12。通过挖出所述半导体器件上部的部分区域，形成栅极沟槽21。所述栅极沟槽21包括栅电极22。P浮置区51设置在所述栅极沟槽21的下方。可形成与栅极沟槽21具有不同深度的另一沟槽25，P浮置区54设置在所述沟槽25的下方。

公开(公告)号：CN100487916C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200580015045.5

申请日：2005-05-11

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  大仓康嗣 ,  黑柳晃 ,  户仓规仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅半导体器件，其在沟槽底部周围具有浮置区，且能够可靠地实现高耐压。绝缘栅半导体器件100包括电流流过的元件区域和围绕元件区域的终端区域。半导体器件100还包括在元件区域中的多个栅极沟槽21和在终端区域中的多个终端沟槽62。栅极沟槽21形成为条形，以及终端沟槽62形成为同心环形。在半导体器件100中，栅极沟槽21和终端沟槽62以使栅极沟槽21的端部和终端沟槽62的侧面之间的间隔均匀的方式设置。也就是说，根据终端沟槽62的拐角的曲率来调整栅极沟槽21的长度。

公开(公告)号：CN101048874A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200580036986.7

申请日：2005-09-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 高谷秀史 ,  滨田公守 ,  宫城恭辅 ,  大仓康嗣 ,  黑柳晃 ,  户仓规仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明的目的在于提供一种获得高击穿电压和紧凑性的绝缘栅极型半导体器件及其生产方法。半导体器件(100)具有形成在单元区域中的多个栅极沟槽(21)和P浮置区域(51)，并且具有形成在接线区域中的多个接线沟槽(62)和P浮置沟槽(53)。另外，三个接线沟槽(62)(接线沟槽621、622、623)中的接线沟槽(62)具有类似于栅极沟槽(21)的结构，并且其它接线沟槽填充有诸如氧化硅的绝缘物质。另外，P浮置区域(51)是从栅极沟槽(21)的底表面注入杂质而形成的区域，并且P浮置区域(53)是从接线沟槽(62)的底表面注入杂质而形成的区域。

公开(公告)号：CN1950948A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580015045.5

申请日：2005-05-11

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  大仓康嗣 ,  黑柳晃 ,  户仓规仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提供了一种绝缘栅半导体器件，其在沟槽底部周围具有浮置区，且能够可靠地实现高耐压。绝缘栅半导体器件100包括电流流过的元件区域和围绕元件区域的终端区域。半导体器件100还包括在元件区域中的多个栅极沟槽21和在终端区域中的多个终端沟槽62。栅极沟槽21形成为条形，以及终端沟槽62形成为同心环形。在半导体器件100中，栅极沟槽21和终端沟槽62以使栅极沟槽21的端部和终端沟槽62的侧面之间的间隔均匀的方式设置。也就是说，根据终端沟槽62的拐角的曲率来调整栅极沟槽21的长度。

公开(公告)号：CN1864270A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200480029528.6

申请日：2004-10-06

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  滨田公守 ,  黑柳晃 ,  大仓康嗣 ,  户仓规仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明旨在提供一种可容易地制造的绝缘栅型半导体器件及其制造方法，同时实现较高的耐压设计和较低的接通电阻设计。所述半导体器件包括N+源极区31、N+漏极区11、P－体区41以及N－漂移区12。通过挖出所述半导体器件上部的部分区域，形成栅极沟槽21。所述栅极沟槽21包括栅电极22。P浮置区51设置在所述栅极沟槽21的下方。可形成与栅极沟槽21具有不同深度的另一沟槽25，P浮置区54设置在所述沟槽25的下方。

公开(公告)号：CN100477267C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200580036986.7

申请日：2005-09-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 高谷秀史 ,  滨田公守 ,  宫城恭辅 ,  大仓康嗣 ,  黑柳晃 ,  户仓规仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/402 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明的目的在于提供一种获得高击穿电压和紧凑性的绝缘栅极型半导体器件及其生产方法。半导体器件(100)具有形成在单元区域中的多个栅极沟槽(21)和P浮置区域(51)，并且具有形成在接线区域中的多个接线沟槽(62)和P浮置沟槽(53)。另外，三个接线沟槽(62)(接线沟槽621、622、623)中的接线沟槽(62)具有类似于栅极沟槽(21)的结构，并且其它接线沟槽填充有诸如氧化硅的绝缘物质。另外，P浮置区域(51)是从栅极沟槽(21)的底表面注入杂质而形成的区域，并且P浮置区域(53)是从接线沟槽(62)的底表面注入杂质而形成的区域。