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公开(公告)号：CN103843142B
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201180073862.1
申请日：2011-09-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66348 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/6634 , H01L29/7396 , H01L29/7397
Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极性晶体管及其制造方法，该绝缘栅双极性晶体管具备：发射区；顶部体区，其被形成在发射区的下侧；浮置区，其被形成在顶部体区的下侧；底部体区，其被形成在浮置区的下侧；沟槽；栅绝缘膜，其覆盖沟槽的内表面；栅电极，其被配置于沟槽的内部。在沿着半导体基板的厚度方向来观察与发射区相比位于下侧的顶部体区内和浮置区内的p型杂质浓度分布时，p型杂质浓度随着从与发射区相比位于下侧的顶部体区的上端趋向下侧而减少，且在浮置区内的预定深度处达到极小值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101401212A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008242.3
申请日：2007-01-26
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L21/265
Abstract: 一种半导体(100)从其上表面侧依次具有P－主体区域(41)和N－漂移区域(12)。形成通过P－主体区域(41)的栅极沟槽(21)和端子沟槽(62)。各个沟槽在其底部由P扩散区域(51、53)围绕。栅极沟槽(21)其中建立栅电极(22)。形成P－扩散区域(52)，其与栅极沟槽(21)的纵向端部接触，并且浓度低于P－主体区域(41)和P扩散区域(51)。P－扩散区域(52)当栅极电压关闭时在P扩散区域(51)之前耗尽。P－扩散区域(52)用作当栅极电压接通时将空穴供应到P扩散区域(51)的路径。
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公开(公告)号：CN101401212B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200780008242.3
申请日：2007-01-26
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L21/265
Abstract: 一种半导体(100)从其上表面侧依次具有P-主体区域(41)和N-漂移区域(12)。形成通过P-主体区域(41)的栅极沟槽(21)和端子沟槽(62)。各个沟槽在其底部由P扩散区域(51、53)围绕。栅极沟槽(21)其中建立栅电极(22)。形成P-扩散区域(52)，其与栅极沟槽(21)的纵向端部接触，并且浓度低于P-主体区域(41)和P扩散区域(51)。P-扩散区域(52)当栅极电压关闭时在P扩散区域(51)之前耗尽。P-扩散区域(52)用作当栅极电压接通时将空穴供应到P扩散区域(51)的路径。
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公开(公告)号：CN101048874A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200580036986.7
申请日：2005-09-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0623 , H01L29/0653 , H01L29/402 , H01L29/407 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/66734 , H01L29/7811
Abstract: 本发明的目的在于提供一种获得高击穿电压和紧凑性的绝缘栅极型半导体器件及其生产方法。半导体器件(100)具有形成在单元区域中的多个栅极沟槽(21)和P浮置区域(51)，并且具有形成在接线区域中的多个接线沟槽(62)和P浮置沟槽(53)。另外，三个接线沟槽(62)(接线沟槽621、622、623)中的接线沟槽(62)具有类似于栅极沟槽(21)的结构，并且其它接线沟槽填充有诸如氧化硅的绝缘物质。另外，P浮置区域(51)是从栅极沟槽(21)的底表面注入杂质而形成的区域，并且P浮置区域(53)是从接线沟槽(62)的底表面注入杂质而形成的区域。
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公开(公告)号：CN103843142A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201180073862.1
申请日：2011-09-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66348 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/6634 , H01L29/7396 , H01L29/7397
Abstract: 本发明提供一种绝缘栅双极性晶体管及其制造方法，该绝缘栅双极性晶体管具备：发射区；顶部体区，其被形成在发射区的下侧；浮置区，其被形成在顶部体区的下侧；底部体区，其被形成在浮置区的下侧；沟槽；栅绝缘膜，其覆盖沟槽的内表面；栅电极，其被配置于沟槽的内部。在沿着半导体基板的厚度方向来观察与发射区相比位于下侧的顶部体区内和浮置区内的p型杂质浓度分布时，p型杂质浓度随着从与发射区相比位于下侧的顶部体区的上端趋向下侧而减少，且在浮置区内的预定深度处达到极小值。
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公开(公告)号：CN100477267C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200580036986.7
申请日：2005-09-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0623 , H01L29/0653 , H01L29/402 , H01L29/407 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/66734 , H01L29/7811
Abstract: 本发明的目的在于提供一种获得高击穿电压和紧凑性的绝缘栅极型半导体器件及其生产方法。半导体器件(100)具有形成在单元区域中的多个栅极沟槽(21)和P浮置区域(51)，并且具有形成在接线区域中的多个接线沟槽(62)和P浮置沟槽(53)。另外，三个接线沟槽(62)(接线沟槽621、622、623)中的接线沟槽(62)具有类似于栅极沟槽(21)的结构，并且其它接线沟槽填充有诸如氧化硅的绝缘物质。另外，P浮置区域(51)是从栅极沟槽(21)的底表面注入杂质而形成的区域，并且P浮置区域(53)是从接线沟槽(62)的底表面注入杂质而形成的区域。
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