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公开(公告)号：CN109244092B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201810757489.5
申请日：2018-07-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。
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公开(公告)号：CN109244091B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201810747768.3
申请日：2018-07-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种半导体装置，包括：半导体基板；导电部件，布置在半导体基板上方，包括多晶硅层，多晶硅层有第一部分、第二部分和沿半导体基板的主表面延伸的方向在第一部分和第二部分之间的第三部分；层间绝缘膜，覆盖导电部件；第一氮化硅层，布置在层间绝缘膜和第三部分之间；第二氮化硅层，布置在层间绝缘膜和第一部分之间以及层间绝缘层和第二部分之间；第一和第二触点插头，分别布置在第一和第二部分上方，穿透层间绝缘膜和第二氮化硅层，以便与导电部件连接；其中，第一氮化硅层沿所述方向布置在第一和第二触点插头之间，并与第一和第二触点插头分开。以及一种包括该半导体装置的设备。
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公开(公告)号：CN109244092A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810757489.5
申请日：2018-07-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14685 , H04N5/369
Abstract: 公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109244091A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810747768.3
申请日：2018-07-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/1462 , H01L27/14636 , H01L27/14601
Abstract: 一种半导体装置，包括：半导体基板；导电部件，布置在半导体基板上方，包括多晶硅层，多晶硅层有第一部分、第二部分和沿半导体基板的主表面延伸的方向在第一部分和第二部分之间的第三部分；层间绝缘膜，覆盖导电部件；第一氮化硅层，布置在层间绝缘膜和第三部分之间；第二氮化硅层，布置在层间绝缘膜和第一部分之间以及层间绝缘层和第二部分之间；第一和第二触点插头，分别布置在第一和第二部分上方，穿透层间绝缘膜和第二氮化硅层，以便与导电部件连接；其中，第一氮化硅层沿所述方向布置在第一和第二触点插头之间，并与第一和第二触点插头分开。以及一种包括该半导体装置的设备。
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公开(公告)号：CN116705813A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310457124.1
申请日：2018-07-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。
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公开(公告)号：CN111063701A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201910985723.4
申请日：2019-10-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及光电转换装置和包括光电转换装置的装备。光电转换装置包括：半导体层，其中在受光区域中布置有第一光电转换器，并且在遮光区域中布置有第二光电转换器；遮光壁，布置在半导体层上方并限定分别与第一光电转换器对应的孔；以及遮光膜，布置在半导体层上方。遮光膜包括沿着半导体层的主表面延伸以覆盖第二光电转换器的第一部分。第一部分具有下表面和上表面。遮光壁包括第二部分，其与半导体层的距离大于上表面和主表面之间的距离。第一部分在垂直于主表面的方向上的厚度大于第二部分在平行于主表面的方向上的厚度。
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公开(公告)号：CN104808266B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201510031490.6
申请日：2015-01-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G02B3/00 , G03F9/00 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , G02B3/0018 , G02B3/0043 , H01L27/14627
Abstract: 本公开内容涉及微透镜形成方法和固态图像传感器制造方法。一种微透镜形成方法包括：对第一构件和布置在第一构件上的第二构件进行蚀刻，第二构件包括凹凸形状；并且从第一构件形成微透镜，其中，在第一构件的蚀刻速率高于第二构件的蚀刻速率的条件下执行第一构件和第二构件的蚀刻，第一构件在凹部下面的部分在第二构件的蚀刻期间暴露，并且第一构件的曝光部分在第一构件的蚀刻时移除。
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公开(公告)号：CN104808266A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510031490.6
申请日：2015-01-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G02B3/00 , G03F9/00 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , G02B3/0018 , G02B3/0043 , H01L27/14627
Abstract: 本公开内容涉及微透镜形成方法和固态图像传感器制造方法。一种微透镜形成方法包括：对第一构件和布置在第一构件上的第二构件进行蚀刻，第二构件包括凹凸形状；并且从第一构件形成微透镜，其中，在第一构件的蚀刻速率高于第二构件的蚀刻速率的条件下执行第一构件和第二构件的蚀刻，第一构件在凹部下面的部分在第二构件的蚀刻期间暴露，并且第一构件的曝光部分在第一构件的蚀刻时移除。
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