公开(公告)号：CN108511472B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN201810165284.8

申请日：2018-02-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 河野章宏 ,  中川善之 ,  石冈真男 ,  冈川崇

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/70

Abstract: 本发明公开了光电转换设备和装置。提供一种光电转换设备，其中，从主表面到介电膜的第一部分的内表面的距离小于从主表面到光遮蔽部件的顶表面的距离，从主表面到第一部分的外表面的距离小于从主表面到介电膜的第二部分的外表面的距离，第三部分的外表面向顶表面倾斜，介电部件的表面在法线方向上在介电膜与顶表面之间向顶表面倾斜，并且介电部件具有比介电膜的折射率低的折射率。

公开(公告)号：CN102569316B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201110418773.8

申请日：2011-12-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 河野章宏

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463

Abstract: 本发明涉及固态图像传感器、制造该固态图像传感器的方法和照相机。图像传感器包括第一导电类型的电荷蓄积区域、由第二导电类型的杂质半导体区域形成的隔离半导体区域、位于隔离半导体区域上由第二导电类型的杂质半导体区域形成的沟道阻挡区域、以及布置在沟道阻挡区域上的绝缘体。绝缘体包括：第一绝缘部分，经由沟道阻挡区域布置在隔离半导体区域的上方；第二绝缘部分，布置为与第一绝缘部分的外侧相邻，其中第二绝缘部分的厚度随着距第一绝缘部分的距离的增大而减小；以及第三绝缘部分，形成在第一绝缘部分上，其中第三绝缘部分具有上表面和侧面，侧面使第三绝缘部分的上表面与第二绝缘部分的上表面相连。

公开(公告)号：CN108511472A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810165284.8

申请日：2018-02-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 河野章宏 ,  中川善之 ,  石冈真男 ,  冈川崇

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3115 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明公开了光电转换设备和装置。提供一种光电转换设备，其中，从主表面到介电膜的第一部分的内表面的距离小于从主表面到光遮蔽部件的顶表面的距离，从主表面到第一部分的外表面的距离小于从主表面到介电膜的第二部分的外表面的距离，第三部分的外表面向顶表面倾斜，介电部件的表面在法线方向上在介电膜与顶表面之间向顶表面倾斜，并且介电部件具有比介电膜的折射率低的折射率。

公开(公告)号：CN117135977A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310599113.7

申请日：2023-05-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 河野章宏 ,  前桥雄

IPC: H10K59/80 ,  H10K59/131 ,  H10K59/12 ,  H10K59/65 ,  H10K59/38 ,  H04N23/50 ,  H04N23/54 ,  H04N23/55

Abstract: 本发明涉及发光装置及其制造方法、摄像装置、电子设备和移动体。该发光装置包括具有彼此相对的第一面和第二面的结构体、布置在第一面上的发光部、以及覆盖发光部和第一面的保护层。该结构体还包括被赋予用于操作发光部的信号和电位其中之一的导电构件、以及从导电构件延伸到包括第二面的虚拟平面的开口。

公开(公告)号：CN111063701A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201910985723.4

申请日：2019-10-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 小川俊之 ,  铃木翔 ,  冈部刚士 ,  世森光裕 ,  铃木幸伸 ,  河野章宏 ,  丹下勉

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及光电转换装置和包括光电转换装置的装备。光电转换装置包括：半导体层，其中在受光区域中布置有第一光电转换器，并且在遮光区域中布置有第二光电转换器；遮光壁，布置在半导体层上方并限定分别与第一光电转换器对应的孔；以及遮光膜，布置在半导体层上方。遮光膜包括沿着半导体层的主表面延伸以覆盖第二光电转换器的第一部分。第一部分具有下表面和上表面。遮光壁包括第二部分，其与半导体层的距离大于上表面和主表面之间的距离。第一部分在垂直于主表面的方向上的厚度大于第二部分在平行于主表面的方向上的厚度。

公开(公告)号：CN102569316A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110418773.8

申请日：2011-12-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 河野章宏

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/1463

Abstract: 本发明涉及固态图像传感器、制造该固态图像传感器的方法和照相机。图像传感器包括第一导电类型的电荷蓄积区域、由第二导电类型的杂质半导体区域形成的隔离半导体区域、位于隔离半导体区域上由第二导电类型的杂质半导体区域形成的沟道阻挡区域、以及布置在沟道阻挡区域上的绝缘体。绝缘体包括：第一绝缘部分，经由沟道阻挡区域布置在隔离半导体区域的上方；第二绝缘部分，布置为与第一绝缘部分的外侧相邻，其中第二绝缘部分的厚度随着距第一绝缘部分的距离的增大而减小；以及第三绝缘部分，形成在第一绝缘部分上，其中第三绝缘部分具有上表面和侧面，侧面使第三绝缘部分的上表面与第二绝缘部分的上表面相连。