公开(公告)号：CN109244091B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201810747768.3

申请日：2018-07-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 世森光裕 ,  冈部刚士 ,  柿沼伸明 ,  冈川崇

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种半导体装置，包括：半导体基板；导电部件，布置在半导体基板上方，包括多晶硅层，多晶硅层有第一部分、第二部分和沿半导体基板的主表面延伸的方向在第一部分和第二部分之间的第三部分；层间绝缘膜，覆盖导电部件；第一氮化硅层，布置在层间绝缘膜和第三部分之间；第二氮化硅层，布置在层间绝缘膜和第一部分之间以及层间绝缘层和第二部分之间；第一和第二触点插头，分别布置在第一和第二部分上方，穿透层间绝缘膜和第二氮化硅层，以便与导电部件连接；其中，第一氮化硅层沿所述方向布置在第一和第二触点插头之间，并与第一和第二触点插头分开。以及一种包括该半导体装置的设备。

公开(公告)号：CN113675186A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202110521172.3

申请日：2021-05-13

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大濑户彬 ,  柿沼伸明 ,  加藤达典 ,  石井龙之介 ,  原纮司

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/146 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378

Abstract: 本发明提供光电转换装置、光电转换系统和可移动体。光电转换装置包括：焊盘、设置在第一半导体基板上的第一保护电路以及设置在第二半导体基板上的第二保护电路。层叠第一半导体基板和第二半导体基板，第一半导体基板包括各自接收入射光并生成信号电荷的多个光电转换单元，第二半导体基板包括处理基于所生成的信号电荷的输入信号的至少一个信号处理电路。焊盘接收电源电压作为来自光电转换装置外部的输入。在平面视图中，第一保护电路和第二保护电路中的至少一者设置在设置有焊盘的区域的外部。第一保护电路和第二保护电路中的至少一者连接到焊盘。

公开(公告)号：CN109244091A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201810747768.3

申请日：2018-07-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 世森光裕 ,  冈部刚士 ,  柿沼伸明 ,  冈川崇

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14601

Abstract: 一种半导体装置，包括：半导体基板；导电部件，布置在半导体基板上方，包括多晶硅层，多晶硅层有第一部分、第二部分和沿半导体基板的主表面延伸的方向在第一部分和第二部分之间的第三部分；层间绝缘膜，覆盖导电部件；第一氮化硅层，布置在层间绝缘膜和第三部分之间；第二氮化硅层，布置在层间绝缘膜和第一部分之间以及层间绝缘层和第二部分之间；第一和第二触点插头，分别布置在第一和第二部分上方，穿透层间绝缘膜和第二氮化硅层，以便与导电部件连接；其中，第一氮化硅层沿所述方向布置在第一和第二触点插头之间，并与第一和第二触点插头分开。以及一种包括该半导体装置的设备。

公开(公告)号：CN103311268A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310069804.2

申请日：2013-03-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 柿沼伸明 ,  三浦圣志 ,  石毛刚一 ,  佐藤信彦

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/32 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/52 ,  H01L2251/5392 ,  H01L2251/558

Abstract: 提供一种发光装置、图像形成装置、显示装置和成像装置，该发光装置在不使用用于分开像素的绝缘膜的情况下抑制相邻的像素之间的泄漏电流并且提供更高的分辨率。通过沿第一电极（2）的边缘在绝缘层（1）中设置沟槽，第一电荷传输层（3）的厚度减小以抑制相邻像素之间的泄漏电流。

公开(公告)号：CN118402068A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202280082880.4

申请日：2022-12-14

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大瀬户彬 ,  柿沼伸明

IPC: H01L27/146

Abstract: 该半导体装置包括：第一半导体基板；第二半导体基板，其层叠在第一半导体基板上；第一焊盘，驱动形成在第一半导体基板上的元件的第一电源电压从外部输入第一焊盘；第二焊盘，驱动形成在第二半导体基板上的元件的第二电源电压从外部输入第二焊盘；第一保护回路，其布置在第一半导体基板上；以及第二保护回路，其布置在第二半导体基板上，半导体装置的特征在于，第一电源电压大于第二电源电压，第一保护回路连接到第一焊盘，并且第二保护回路连接到第二焊盘。

公开(公告)号：CN103311268B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201310069804.2

申请日：2013-03-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 柿沼伸明 ,  三浦圣志 ,  石毛刚一 ,  佐藤信彦

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/32 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/52 ,  H01L2251/5392 ,  H01L2251/558

Abstract: 提供一种发光装置、图像形成装置、显示装置和成像装置，该发光装置在不使用用于分开像素的绝缘膜的情况下抑制相邻的像素之间的泄漏电流并且提供更高的分辨率。通过沿第一电极（2）的边缘在绝缘层（1）中设置沟槽，第一电荷传输层（3）的厚度减小以抑制相邻像素之间的泄漏电流。