公开(公告)号：CN101080671B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200580043248.5

申请日：2005-12-02

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 小西敏雄 ,  小岛洋介 ,  根本悟 ,  佐佐木淳 ,  田中启司

IPC: G03F1/08 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/30 ,  G03F1/28

Abstract: 一种相移掩模，具备透明基板、和形成在该透明基板上的遮光膜，在上述遮光膜上交替地形成有第1开口部和第2开口部，上述透明基板从上述第2开口部开始被凹入规定的深度，从而形成凹部，通过上述第1及第2开口部的透射光的相位交替地反转，其特征在于，根据上述遮光膜的上述第1开口部的开口端部和第2开口部的开口端部之间的截距，设定上述透射光的相位差。

公开(公告)号：CN101080671A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200580043248.5

申请日：2005-12-02

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 小西敏雄 ,  小岛洋介 ,  根本悟 ,  佐佐木淳 ,  田中启司

IPC: G03F1/08 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/30 ,  G03F1/28

Abstract: 一种相移掩模，具备透明基板、和形成在该透明基板上的遮光膜，在上述遮光膜上交替地形成有第1开口部和第2开口部，上述透明基板从上述第2开口部开始被凹入规定的深度，从而形成凹部，通过上述第1及第2开口部的透射光的相位交替地反转，其特征在于，根据上述遮光膜的上述第1开口部的开口端部和第2开口部的开口端部之间的截距，设定上述透射光的相位差。

公开(公告)号：CN1973244A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200580020602.2

申请日：2005-04-19

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 小岛洋介 ,  小西敏雄 ,  田中启司 ,  大泷雅央 ,  佐佐木淳

IPC: G03F1/08 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/30 ,  G03F1/36

Abstract: 一种Levenson型相移掩模，具有形成在透明衬底上的遮光部分和开口。部分挖掘开口处的透明衬底或者在开口处的透明衬底上部分设置透明膜，以形成移相器开口和非移相器开口。移相器开口和非移相器开口重复存在于掩模中。移相器开口将透射光的相位反相。该Levenson型相移掩模具有从两侧插入在相邻的相同类型的开口之间的遮光部分图案。该遮光部分图案受到偏移修正，相对于通过掩模设计设定的预定设计线宽，所述偏移修正使遮光部分图案以预定量向其两侧扩展。

公开(公告)号：CN1973244B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200580020602.2

申请日：2005-04-19

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 小岛洋介 ,  小西敏雄 ,  田中启司 ,  大泷雅央 ,  佐佐木淳

IPC: G03F1/08 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/30 ,  G03F1/36

Abstract: 一种Levenson型相移掩模，具有形成在透明衬底上的遮光部分和开口。部分挖掘开口处的透明衬底或者在开口处的透明衬底上部分设置透明膜，以形成移相器开口和非移相器开口。移相器开口和非移相器开口重复存在于掩模中。移相器开口将透射光的相位反相。该Levenson型相移掩模具有从两侧插入在相邻的相同类型的开口之间的遮光部分图案。该遮光部分图案受到偏移修正，相对于通过掩模设计设定的预定设计线宽，所述偏移修正使遮光部分图案以预定量向其两侧扩展。

公开(公告)号：CN1196175C

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN01801443.7

申请日：2001-04-26

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 小西敏雄 ,  田村章 ,  伊藤考治郎 ,  佐佐木裕信 ,  江口秀幸

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/16

CPC classification number: G03F1/20 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/31794 ,  H01L21/0332

Abstract: 本发明提供一种转印掩模用基板，其具有：由单晶构成的第1硅层、形成在该第1硅层上的具有0.2～0.8μm的膜厚的氧化硅膜、形成在该氧化硅膜上的第2硅层。使用该转印掩模用基板而制造的转印掩模，在其制造时，会因氧化硅膜的应力而在转印图形上产生龟裂和败坏，而没有缺陷。

公开(公告)号：CN1381068A

公开(公告)日：2002-11-20

申请号：CN01801443.7

申请日：2001-04-26

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 小西敏雄 ,  田村章 ,  伊藤考治郎 ,  佐佐木裕信 ,  江口秀幸

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/16

CPC classification number: G03F1/20 ,  H01J2237/0453 ,  H01J2237/31794 ,  H01L21/0332

Abstract: 本发明提供一种转印掩模用基板,其具有:由单晶构成的第1硅层、形成在该第1硅层上的具有0.2～0.8μm的膜厚的氧化硅膜、形成在该氧化硅膜上的第2硅层。使用该转印掩模用基板而制造的转印掩模,在其制造时,会因氧化硅膜的应力而在转印图形上产生龟裂和败坏,而没有缺陷。