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公开(公告)号：CN100334442C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200510018806.4
申请日：2005-05-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种测量半导体材料塞贝克系数和电阻率的装置，温度控制器的两端分别与电源及管式炉中的发热元件相连，样品台位于炉膛内；参考电阻与转换开关串接，转换开关与数据采集模块相连，恒流源与转换开关相连。冷端样品夹固定在冷端夹柱内，热端样品夹可移动式置于热端夹柱内，冷、热端热电偶分别位于冷、热端样品夹内、并接近样品两端的位置，并通过数据采集模块输入到计算机；导电夹通过瓷台固定在底座上，并采用高温导线将样品的电压通过数据采集模块输入到计算机里；高温导线分别连接在冷、热端样品夹上，将塞贝克电势通过数据采集模块输入到计算机。该装置可以使同时进行测定塞贝克系数和电阻率，并且测试过程简单，装置和测试的成本较低。
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公开(公告)号：CN101038265A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710051933.3
申请日：2007-04-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种测量半导体薄膜材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置，热电堆与冷、热端导热铜块固定一体，其下部形成空腔，空腔内布置有电位探针。Seebeck电势检测点和冷、热端热电偶安置在导热铜块的下端；电位探针，检测点、热电偶分别与采集模块相连；参考电阻与转换开关串接，并与检测点相连；恒流源与转换开关相连；转换开关与数据采集模块相连；采集模块与计算机相连，采集的数据通过虚拟仪器软件处理获得检测结果。测试台分为上下两部分，上部分固定测试组件，下部分支撑样品，并有螺杆向上抬升样品，实现样品与各检测点的接触。该装置可以同时进行测定塞贝克系数和电阻率但不破坏薄膜，并且测试过程简单，装置和测试成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1696681A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510018806.4
申请日：2005-05-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种测量半导体材料塞贝克系数和电阻率的装置，温度控制器的两端分别与电源及管式炉中的发热元件相连，样品台位于炉膛内；参考电阻与转换开关串接，转换开关与数据采集模块相连，恒流源与转换开关相连。冷端样品夹固定在冷端夹柱内，热端样品夹可移动式置于热端夹柱内，冷、热端热电偶分别位于冷、热端样品夹内、并接近样品两端的位置，并通过数据采集模块输入到计算机；导电夹通过瓷台固定在底座上，并采用高温导线将样品的电压通过数据采集模块输入到计算机里；高温导线分别连接在冷、热端样品夹上，将塞贝克电势通过数据采集模块输入到计算机。该装置可以使同时进行测定塞贝克系数和电阻率，并且测试过程简单，装置和测试的成本较低。
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公开(公告)号：CN100547398C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200710051933.3
申请日：2007-04-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种测量半导体薄膜材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置，热电堆与冷、热端导热铜块固定一体，其下部形成空腔，空腔内布置有电位探针。Seebeck电势检测点和冷、热端热电偶安置在导热铜块的下端；电位探针，检测点、热电偶分别与采集模块相连；参考电阻与转换开关串接，并与检测点相连；恒流源与转换开关相连；转换开关与数据采集模块相连；采集模块与计算机相连，采集的数据通过虚拟仪器软件处理获得检测结果。测试台分为上下两部分，上部分固定测试组件，下部分支撑样品，并有螺杆向上抬升样品，实现样品与各检测点的接触。该装置可以同时进行测定塞贝克系数和电阻率但不破坏薄膜，并且测试过程简单，装置和测试成本较低。
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公开(公告)号：CN100377378C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610019082.X
申请日：2006-05-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L35/34
Abstract: 本发明提供了一种Bi-Sb-Te系热电材料的制备方法，其步骤为：将原料粉末按原子比Bi∶Sb∶Te＝2x∶2-2x∶3配比，0.1≤x≤0.3，混合后进行高能球磨处理，得到合金粉末，球料重量比10∶1～20∶1，球磨转速300～400r/min，球磨时间8～12h，球磨时通惰性气体保护；将上述合金粉末采用等离子体活化烧结成形，升温速率30～100℃/min，烧结温度300℃～500℃，升温阶段压力15～25MPa，保温阶段压力40～60MPa，保温时间10～30min，整个烧结过程在真空或惰性气体保护下进行。该方法所得材料室温下热电优值达到了5.26×10-3/K。
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公开(公告)号：CN1843667A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610019082.X
申请日：2006-05-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种Bi－Sb－Te系热电材料的制备方法，其步骤为：将原料粉末按原子比Bi∶Sb∶Te＝2x∶2－2x∶3配比，0.1≤x≤0.3，混合后进行高能球磨处理，得到合金粉末，球料重量比10∶1～20∶1，球磨转速300～400r/min，球磨时间8～12h，球磨时通惰性气体保护；将上述合金粉末采用等离子体活化烧结成形，升温速率30～100℃/min，烧结温度300℃～500℃，升温阶段压力15～25MPa，保温阶段压力40～60MPa，保温时间10～30min，整个烧结过程在真空或惰性气体保护下进行。该方法所得材料室温下热电优值达到了5.26×10－3/K。
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公开(公告)号：CN201041559Y
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200720084694.7
申请日：2007-05-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种测量半导体薄膜材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置，热电堆与冷、热端导热铜块固定一体，其下部形成空腔，空腔内布置有电位探针。Seebeck电势检测点和冷、热端热电偶安置在导热铜块的下端；电位探针，检测点、热电偶分别与采集模块相连；参考电阻与转换开关串接，并与检测点相连；恒流源与转换开关相连；转换开关与数据采集模块相连；采集模块与计算机相连，采集的数据通过虚拟仪器软件处理获得检测结果。测试台分为上下两部分，上部分固定测试组件，下部分支撑样品，并有螺杆向上抬升样品，实现样品与各检测点的接触。该装置可以同时进行测定塞贝克系数和电阻率但不破坏薄膜，并且测试过程简单，装置和测试成本较低。
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