公开(公告)号：CN119425310A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411777384.8

申请日：2024-12-05

Applicant: 厦门大学 ,  厦门斯研新材料技术有限公司

Inventor： 王研 ,  任建辉 ,  杨吉 ,  赵钟毓 ,  张捷 ,  张学骜 ,  张宇锋 ,  但泽宇 ,  闫西同

IPC: B01D53/14

Abstract: 本申请属于二氧化碳吸收领域，提供一种二氧化碳吸收液及其应用和处理二氧化碳的方法。所述二氧化碳吸收液包含水、热力学促进剂和动力学促进剂，其中，所述动力学促进剂包括胺基改性氧化石墨烯，且所述胺基改性氧化石墨烯为叔胺基修饰的氧化石墨烯。所述二氧化碳吸收液与二氧化碳反应具有较高的水合物生成速率，并能提高二氧化碳的分离效率。

公开(公告)号：CN119588114A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411770163.8

申请日：2024-12-04

Applicant: 厦门大学 ,  厦门斯研新材料技术有限公司

Inventor： 王研 ,  杨吉 ,  赵钟毓 ,  任建辉 ,  张捷 ,  张学骜 ,  张宇锋 ,  但泽宇 ,  闫西同

IPC: B01D53/14

Abstract: 本申请属于二氧化碳吸收领域，提供一种碳捕集吸收剂及其制备方法和应用及二氧化碳水合物的生成方法。本申请的碳捕集吸收剂包含水及分散在其中的促进剂，其中，所述促进剂包括还原氧化石墨烯和氨基化改性氧化石墨烯。所述碳捕集吸收剂能促进CO2和水反应形成水合物，降低水合反应所需的高压条件，缩短水合反应进程，提高对CO2的吸收效率。

公开(公告)号：CN119140067A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411568732.0

申请日：2024-11-05

Applicant: 厦门大学 ,  厦门斯研新材料技术有限公司

Inventor： 王研 ,  杨吉 ,  张捷 ,  赵钟毓 ,  任建辉 ,  张学骜 ,  张宇锋 ,  但泽宇 ,  闫西同

IPC: B01J20/22 ,  B01J20/30 ,  B01D53/02

Abstract: 本发明属于二氧化碳捕获领域，涉及一种吸附剂及其制备方法和应用以及二氧化碳水合吸附的方法。所述吸附剂的制备方法包括以下步骤：S1.将氧化石墨烯和含氮化合物于水中进行水热反应，所述水热反应的条件使得氧化石墨烯被氮掺杂并切割为量子点，得到氮掺杂氧化石墨烯量子点；S2.将氮掺杂氧化石墨烯量子点和四丁基氟化铵以及环戊烷混合，即得所述吸附剂。本发明的关键在于以含氮化合物作为切割剂和掺杂剂制备氧化石墨烯量子点，在此基础上，将所得氮掺杂氧化石墨烯量子点与四丁基氟化铵以及环戊烷复配使用作为二氧化碳水合吸附剂，可以有效提高二氧化碳的分离效率。

公开(公告)号：CN116864529A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310862139.6

申请日：2023-07-14

Applicant: 厦门大学

Inventor： 杨伟锋 ,  田成义 ,  张传伦 ,  张捷

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种采用MBE刻蚀后外延的常关型氧化镓基器件，包括：衬底；缓冲层，位于衬底上方；本征层，位于缓冲层上方；介质层，位于本征层上方；势垒层，本征层和介质层上表面的中部两端被刻蚀的位置形成第一凹槽，势垒层位于第一凹槽上方；盖帽层，本征层和介质层上表面的左右两侧被刻蚀的位置形成第二凹槽，盖帽层位于第二凹槽上方；钝化层，位于缓冲层、本征层和介质层左右两边缘被刻蚀的位置以及介质层和势垒层上方；栅电极及场板，分别位于中间的介质层以及钝化层上方；源电极，位于左侧的盖帽层上方；和漏电极，位于右侧的盖帽层上方。本发明公开了一种采用MBE刻蚀后外延的常关型氧化镓基器件的制备方法，提高器件性能和稳定性。

公开(公告)号：CN117855318A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410021349.7

申请日：2024-01-06

Applicant: 厦门大学

Inventor： 杨伟锋 ,  林嘉隆 ,  龙明滔 ,  魏树博 ,  彭行坤 ,  张捷

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  C23C14/08 ,  C23C14/04 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种高响应度自供电日盲光电探测器及其制备方法。其中，所述方法包括：在衬底上沉积β‑Ga2O3薄膜；在β‑Ga2O3薄膜上，通过射频磁控溅射法原位生长CuCrO2薄膜，与CuCrO2薄膜构成异质结。本发明利用射频磁控溅射的方法在β‑Ga2O3薄膜上原位生长CuCrO2薄膜，从而完成了CuCrO2/β‑Ga2O3异质结的制备。本发明省去了制备CuCrO2/β‑Ga2O3异质结光电探测器的光刻和刻蚀等步骤，大大降低了工艺复杂度和制备成本，为大量制备CuCrO2/β‑Ga2O3异质结光电探测器提供了一种简便的方法。此外，采用本发明方法生长出来的CuCrO2薄膜表面致密，且厚度稳定均一。这种高质量的CuCrO2薄膜可以使光生载流子具有较高的迁移率，提高了收集效率，从而使光电探测器的性能更加优异。

公开(公告)号：CN117293193A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311264299.7

申请日：2023-09-27

Applicant: 厦门大学

Inventor： 杨伟锋 ,  洪梓凡 ,  彭行坤 ,  张捷

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种具有AlN势垒层的氧化镓肖特基二极管及制备方法。其中该氧化镓肖特基二极管包括设置于低掺杂外延层与阳极电极区之间AlN势垒层；该AlN势垒层的厚度不大于5nm。在氧化镓和阳极金属之间引入了超薄的AlN势垒层，可使氧化镓和阳极金属界面处形成高浓度自由电子，当器件在正向偏压下工作时，自由电子能够隧穿，从而保持低开启电压。进一步的，该AlN势垒层的厚度不大于5nm，其原因在于厚度过大将导致界面处自由电子浓度降低，且自由电子难以通过势垒层，从而影响器件正向导通性能。