公开(公告)号：CN119786778A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411945289.4

申请日：2024-12-27

Applicant: 厦门大学

Inventor： 黄巍 ,  徐劭文 ,  陈松岩 ,  兰超飞 ,  张志勇

IPC: H01M10/48 ,  H01M10/04 ,  G01R31/389 ,  G01K13/00 ,  G01K11/3206

Abstract: 一种基于永磁体的二次电池内部温度测量装置和方法，涉及应用于动力、储能和消费等领域的二次电池。通过在二次电池内部置入永磁体，利用永磁体剩磁随温度变化的特性，通过磁场无线传输方式监测电池内部温度。解决现有二次电池内部温度测量技术需破坏电池结构完整性，或对电池安全和性能发挥造成影响的问题。装置结构简单、成本低廉，与现有电池生产工艺兼容，可实时监测电池内部温度，且测温范围覆盖电池的工作温度范围，并可对超出电池正常工作温度的热失控风险做出及时判断预警。可与电池管理系统集成，有效降低热失控风险，具有显著的应用前景和产业化潜力。

公开(公告)号：CN117790289A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311851710.0

申请日：2023-12-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  焦金龙 ,  纪若昀 ,  李成 ,  黄巍 ,  林光杨

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/683

Abstract: 一种提高Si/InGaAs键合界面热稳定性的键合方法。采用MOCVD在Si衬底上外延单晶In1‑xGaxAs缓冲层，通过低温键合获得Si基InGaAs薄膜，最后通过高温退火修复薄膜晶体质量及键合界面，实现具有高质量及超高热稳定性的Si基InGaAs薄膜制备。通过在Si衬底上外延生长In1‑xGaxAs作为键合中间层，将键合界面由InGaAs、Si异质界面转变为InGaAs、In1‑xGaxAs界面，缓解异质键合界面在高温下由于异质材料之间的热失配产生的巨大应力，因此键合界面的稳定性得到提升。制备的Si基InGaAs薄膜在高温下的稳定性较高，外延缓冲层有效的缓解异质材料之间热失配产生的应力。

公开(公告)号：CN116779720A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310742575.X

申请日：2023-06-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  黄东林 ,  纪若昀 ,  姚荔强 ,  焦金龙 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L31/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50

Abstract: 一种远程氧等离子体钝化Ge表面的方法，首先通过等离子体增强原子层沉积系统中的远程氧等离子体对Ge表面进行处理，以形成稳定的GeO2薄层，降低Ge与SiO2直接接触时的高界面态密度，之后原位生长Al2O3薄层作为保护层防止GeO2潮解，最后沉积SiO2钝化层，实现Ge表面的有效钝化。

公开(公告)号：CN108731993A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810347004.5

申请日：2018-04-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  柯少颖 ,  吴金庸 ,  李成 ,  黄巍

IPC: G01N1/28 ,  G01N1/32 ,  G01N1/34

Abstract: 弱键合强度脆性键合样品截面透射电子显微镜制备方法，涉及透射电子显微镜。采用AB胶将两Si衬片粘附于键合样品背面作为分担研磨作用力的衬片，并采用AB胶将Si衬片粘附于键合截面的两端，对键合截面的两端进行固定使得研磨过程中剪切力和压力无法将键合界面撕裂，从而获得可用于离子减薄的截面样品。利用截面边缘束缚法将弱键合强度的截面采用Si衬片固定住，不仅可以避免在研磨过程中键合界面发生断裂，而且采用金刚石粉和砂纸联合对样品进行减薄抛光，能有效且快速的将样品截面减薄至小于30μm，这是一种简易、快速、低成本且成功率高的TEM截面制样新方法。

公开(公告)号：CN108573878A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810346961.6

申请日：2018-04-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  柯少颖 ,  吴金庸 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L21/50

Abstract: 无氧化层半导体低温键合方法，涉及半导体键合工艺。采用过渡层技术，在Si、Ge和SiO2半导体键合界面引入一层较薄的Ge层，利用Ge材料的低温晶化特性与晶化原子迁移特性实现无氧化层Si片键合、Ge/Si键合以及GOI键合。利用磁控溅射Ge层的低温晶化特性实现无界面氧化层的半导体键合界面，在清洗后的晶片表面生长一层半导体Ge过渡层，利用Ge的低温晶化特性，通过低温退火实现Ge过渡层的晶化，从而驱动原子在键合界面迁移，最终解离氧化层。该方法不仅可以解决直接亲水键合过程中在界面引入亲水氧化层的问题，而且能在300～400℃的低温下实现半导体键合界面过渡层的晶化，从而实现原子键键合。

公开(公告)号：CN105679661A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610010259.3

申请日：2016-01-07

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  许怡红 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194

Abstract: 一种减小氧化铪栅介质漏电流的方法，涉及氧化铪。1)首先对p-Si(100)衬底进行RCA标准清洗，去除有机污染物、氧化物和金属杂质等物质；2)将p-Si(100)衬底放入电子束真空镀膜系统中，沉积一层HfO2薄膜，得到HfO2/Si结构；3)将步骤2)得到的样品放入感应耦合等离子体刻蚀机中，采用氧等离子体对其进行处理；4)将步骤3)处理后的样品正面固定在掩膜板上，放入磁控溅射机中沉积金属作为上电极，在样品Si衬底的背面溅射金属作为背电极，即得MOS结构器件。既能降低热预算又可降低栅漏电流，即在沉积的HfO2材料上采用氧等离子体对其进行再氧化处理，从而达到减小氧空位密度，降低栅漏电流作用。

公开(公告)号：CN105529257A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201610053917.7

申请日：2016-01-27

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  池晓伟 ,  陈松岩 ,  黄巍

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/401 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 一种优化堆叠栅介质与锗界面的方法，涉及堆叠栅介质。对Ge衬底进行清洗，去除有机污染物、氧化物和金属杂质等物质；将清洗后的Ge衬底放入原子层沉积系统中，沉积一层Al2O3薄膜，实现对Ge衬底的表面钝化，获得Al2O3/Ge结构；将Al2O3/Ge结构样品进行湿法退火处理，实现Al2O3/Ge界面态的优化；在处理后的样品上生长HfO2高K介质；将获得的样品正面固定在掩膜板上，放入磁控溅射机中沉积金属层作为上电极，在样品Ge衬底的背面溅射金属层作为背电极，即得MOS结构器件，实现优化堆叠栅介质与锗界面。可优化高K介质/Ge界面态，并能维持钝化层的热稳定性，可减小工艺流程和时间成本。

公开(公告)号：CN106847681B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201710118093.1

申请日：2017-03-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  柯少颖 ,  林绍铭 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/60 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35

Abstract: 利用非晶锗薄膜实现低温Si‑Si键合的方法，涉及Si晶片键合方法。选择晶向为(100)的Si基底材料，清洗；先用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用HCL、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片甩干后放入直流磁控溅射系统，待溅射室本底真空度小于1×10‑4Pa，向溅射室充入Ar气体；通过调节直流溅射电流和样品托转速溅射a‑Ge薄膜；利用亲水a‑Ge层实现高强度Si‑Si键合。

公开(公告)号：CN106847681A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710118093.1

申请日：2017-03-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  柯少颖 ,  林绍铭 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/60 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01L21/20 ,  C23C14/165 ,  C23C14/35 ,  H01L24/03

Abstract: 利用非晶锗薄膜实现低温Si‑Si键合的方法，涉及Si晶片键合方法。选择晶向为(100)的Si基底材料，清洗；先用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用HCL、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片甩干后放入直流磁控溅射系统，待溅射室本底真空度小于1×10‑4Pa，向溅射室充入Ar气体；通过调节直流溅射电流和样品托转速溅射a‑Ge薄膜；利用亲水a‑Ge层实现高强度Si‑Si键合。

公开(公告)号：CN103928562A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410183675.4

申请日：2014-05-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 黄巍 ,  魏江镔 ,  陈松岩 ,  李成

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/105

Abstract: 横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法，涉及一种锗光电探测器。1)在衬底上外延生长单晶锗层，再在锗层上生长SiO2覆盖层；2)利用微电子光刻技术在外延单晶锗层上刻蚀出细长条的有源区台面；3)利用单晶锗层上面的SiO2覆盖层做掩蔽，通过侧向大偏角离子注入在台面两侧形成掺杂p区与掺杂n区；4)沉积金属Ni层后热退火，利用NiGe、NiSi形成时的自对准工艺在台面两侧及刻蚀区底部形成NiGe和NiSi接触电极；5)引出器件电极，保护钝化层，即得横向p-i-n结构Ge光电探测器。工艺简单，可操作性强，极具应用价值。