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公开(公告)号:CN113471199A
公开(公告)日:2021-10-01
申请号:CN202011403793.3
申请日:2020-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体装置包含:半导体通道区、半导体保护层、栅极结构及一对栅极间隔物。半导体保护层在半导体通道区上且接触半导体通道区。栅极结构在半导体保护层上方,且包含栅极介电层及栅极电极。栅极介电层在半导体保护层上方。栅极电极在栅极介电层上方。栅极间隔物在栅极结构的相对侧上。半导体保护层从一对栅极间隔物中的第一栅极间隔物的内侧壁延伸到一对栅极间隔物中的第二栅极间隔物的内侧壁。
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公开(公告)号:CN107447254A
公开(公告)日:2017-12-08
申请号:CN201710403667.X
申请日:2017-06-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 洪铭辉
CPC classification number: H01L21/02609 , H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/02463 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L21/02694 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L29/513 , H01L29/517 , Y02P70/521 , C30B29/00 , C30B25/00 , C30B33/02 , H01L51/05 , H01L51/42
Abstract: 一种制造具有钙钛矿单晶结构的材料的方法,包括:交替地生长一第一层和一第二层在一基板上,其中,上述第一层与上述第二层的组成不同,且上述第一层及上述第二层为多个;以及将上述第一层和上述第二层退火,形成一具有钙钛矿单晶结构的材料。
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公开(公告)号:CN107447254B
公开(公告)日:2021-05-25
申请号:CN201710403667.X
申请日:2017-06-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 洪铭辉
Abstract: 一种制造具有钙钛矿单晶结构的材料的方法,包括:交替地生长一第一层和一第二层在一基板上,其中,上述第一层与上述第二层的组成不同,且上述第一层及上述第二层为多个;以及将上述第一层和上述第二层退火,形成一具有钙钛矿单晶结构的材料。
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公开(公告)号:CN109860035A
公开(公告)日:2019-06-07
申请号:CN201811442129.2
申请日:2018-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 洪铭辉
IPC: H01L21/28
Abstract: 一种半导体元件的制造方法包含:在半导体基材上形成第一高介电常数介电层;在第一高介电常数介电层上形成第二高介电常数介电层,其中第二高介电常数介电层包含与第一高介电常数介电层的材料不同的材料;退火第一高介电常数介电层以及第二高介电常数介电层,使得第一高介电常数介电层与第二高介电常数介电层相互扩散;以及在第二高介电常数介电层上形成栅电极。
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