公开(公告)号：CN107447254B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201710403667.X

申请日：2017-06-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  洪铭辉

Inventor： 杨博宇 ,  洪铭辉 ,  郭瑞年 ,  林延勳 ,  林耕雍 ,  万献文 ,  郑兆凱 ,  卢冠傑

IPC: C30B29/00 ,  C30B25/00 ,  C30B33/02 ,  H01L51/05 ,  H01L51/42

Abstract: 一种制造具有钙钛矿单晶结构的材料的方法，包括：交替地生长一第一层和一第二层在一基板上，其中，上述第一层与上述第二层的组成不同，且上述第一层及上述第二层为多个；以及将上述第一层和上述第二层退火，形成一具有钙钛矿单晶结构的材料。

公开(公告)号：CN109860035A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811442129.2

申请日：2018-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  洪铭辉

Inventor： 洪铭辉 ,  郭瑞年 ,  林延勳 ,  林耕雍 ,  杨博宇 ,  万献文

IPC: H01L21/28

Abstract: 一种半导体元件的制造方法包含：在半导体基材上形成第一高介电常数介电层；在第一高介电常数介电层上形成第二高介电常数介电层，其中第二高介电常数介电层包含与第一高介电常数介电层的材料不同的材料；退火第一高介电常数介电层以及第二高介电常数介电层，使得第一高介电常数介电层与第二高介电常数介电层相互扩散；以及在第二高介电常数介电层上形成栅电极。

公开(公告)号：CN108122745A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711224055.0

申请日：2017-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  洪铭辉

Inventor： 傅千骅 ,  林耕雍 ,  林延勳 ,  陈冠雄 ,  郭瑞年 ,  洪铭辉

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02387 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/324 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/20 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78

Abstract: 一种制造半导体装置的方法，包括在基板上形成半导体层，直接在所形成的半导体层上形成高介电常数介电层，以及对半导体层、高介电常数介电层、及基板进行退火。半导体层为第Ⅲ-V族化合物半导体。

公开(公告)号：CN107447254A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710403667.X

申请日：2017-06-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  洪铭辉

Inventor： 杨博宇 ,  洪铭辉 ,  郭瑞年 ,  林延勳 ,  林耕雍 ,  万献文 ,  郑兆凱 ,  卢冠傑

IPC: C30B29/00 ,  C30B25/00 ,  C30B33/02 ,  H01L51/05 ,  H01L51/42

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  Y02P70/521 ,  C30B29/00 ,  C30B25/00 ,  C30B33/02 ,  H01L51/05 ,  H01L51/42

Abstract: 一种制造具有钙钛矿单晶结构的材料的方法，包括：交替地生长一第一层和一第二层在一基板上，其中，上述第一层与上述第二层的组成不同，且上述第一层及上述第二层为多个；以及将上述第一层和上述第二层退火，形成一具有钙钛矿单晶结构的材料。

公开(公告)号：CN106158858B

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201610209790.3

申请日：2016-04-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  梁启德

Inventor： 梁启德 ,  洪铭辉 ,  刘泛鸿

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/782

Abstract: 提供了多层半导体器件结构和制造方法。在一个实施例中，第一半导体层、第一绝缘体层、第二半导体层、第二绝缘体层和第三半导体层形成在衬底上方。第一晶体管包括第一半导体层、第一绝缘体层和第二半导体层，以及第二晶体管包括第二半导体层、第二绝缘体层和第三半导体层。

公开(公告)号：CN106158858A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610209790.3

申请日：2016-04-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  梁启德

Inventor： 梁启德 ,  洪铭辉 ,  刘泛鸿

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/782

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02293 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L27/0922 ,  H01L21/782

Abstract: 提供了多层半导体器件结构和制造方法。在一个实施例中，第一半导体层、第一绝缘体层、第二半导体层、第二绝缘体层和第三半导体层形成在衬底上方。第一晶体管包括第一半导体层、第一绝缘体层和第二半导体层，以及第二晶体管包括第二半导体层、第二绝缘体层和第三半导体层。

公开(公告)号：CN113471199A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202011403793.3

申请日：2020-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万献文 ,  郑伊婷 ,  洪铭辉 ,  郭瑞年 ,  杨博宇 ,  洪毓傑

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体装置包含：半导体通道区、半导体保护层、栅极结构及一对栅极间隔物。半导体保护层在半导体通道区上且接触半导体通道区。栅极结构在半导体保护层上方，且包含栅极介电层及栅极电极。栅极介电层在半导体保护层上方。栅极电极在栅极介电层上方。栅极间隔物在栅极结构的相对侧上。半导体保护层从一对栅极间隔物中的第一栅极间隔物的内侧壁延伸到一对栅极间隔物中的第二栅极间隔物的内侧壁。