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公开(公告)号：CN112379636B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011271286.9
申请日：2020-11-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G05B19/19 , G05B19/4069
Abstract: 一种针对光学晶体表面损伤点的变步距微铣削修复刀具轨迹生成方法，属于光学材料与光学元件表面修复技术领域。本发明是为延缓软脆KDP晶体在微铣削修复中产生的恒定周期刀痕对入射激光调制作用，达到提高KDP晶体元件抗激光损伤能力并延缓其使用寿命的目的。技术要点：建立修复轮廓的数学模型；利用GPR轨迹生成方法确定刀具铣削修复轮廓时刀具与轮廓的离散接触点用于控制伪随机轨迹的运动趋势；利用所建立的修复轮廓数学模型和选取的微铣刀尺寸；应用NURBS建模方法将刀位控制点点集插补为一条空间曲线；按照曲线模型在UG软件中建立曲线，以此曲线为修复轨迹进行加工过程仿真。经验证，本发明对恒定周期刀纹有很好的消除作用，有助于提升了其抗强激光损伤能力。
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公开(公告)号：CN119871350A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510262249.8
申请日：2025-03-06
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 上海宇航系统工程研究所
Abstract: 本发明提出了一种基于改进动态运动基元的机械臂穿越空间途经点的轨迹规划方法，属于机器人技术领域，首先使机械臂获取示教轨迹，使用改进动态运动基元算法对预处理后的示教轨迹进行学习，使得DMP能够生成与示教轨迹相似的运动模式；通过安装在机械臂周围或固定位置的深度相机，实时获取途经点信息、形状和运动状态，将检测到的途经点信息作为输入，量化吸引转向力及回归转向力；动态更新DMP进行实时调整，并基于Lyapunov稳定性理论，证明改进DMP算法的稳定性，确保机械臂在动态环境中的运动轨迹收敛于目标点；最后进行实验来验证机械臂穿越动态途经点能力。本发明在不改变起始点和终点的情况下，无需额外的学习过程，提高了系统的实用性和效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112379636A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011271286.9
申请日：2020-11-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G05B19/19 , G05B19/4069
Abstract: 一种针对光学晶体表面损伤点的变步距微铣削修复刀具轨迹生成方法，属于光学材料与光学元件表面修复技术领域。本发明是为延缓软脆KDP晶体在微铣削修复中产生的恒定周期刀痕对入射激光调制作用，达到提高KDP晶体元件抗激光损伤能力并延缓其使用寿命的目的。技术要点：建立修复轮廓的数学模型；利用GPR轨迹生成方法确定刀具铣削修复轮廓时刀具与轮廓的离散接触点用于控制伪随机轨迹的运动趋势；利用所建立的修复轮廓数学模型和选取的微铣刀尺寸；应用NURBS建模方法将刀位控制点点集插补为一条空间曲线；按照曲线模型在UG软件中建立曲线，以此曲线为修复轨迹进行加工过程仿真。经验证，本发明对恒定周期刀纹有很好的消除作用，有助于提升了其抗强激光损伤能力。
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公开(公告)号：CN112410886A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011271636.1
申请日：2020-11-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种易潮解KDP功能晶体局部凹凸表面的等材修平方法，属于工程光学领域，用以解决由于现有表面微机械处理方法的局限性而导致的不能实现KDP功能晶体局部凹凸表面的平整化处理的问题。该方法的技术要点在于基于KDP晶体材料的易潮解特性，不增加或减少晶体材料，通过控制晶体元件加工环境的湿度，使晶体处于高湿度环境下，在微探针与KDP晶体表面形成水半月板，利用水溶剂的介入作用，对晶体表面局部凹凸形貌进行等材修平以实现晶体元件表面局部凹凸形貌的平整化处理。本发明可用于提升光学元件的激光损伤阈值和使用寿命。
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公开(公告)号：CN119871351A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510262251.5
申请日：2025-03-06
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 上海宇航系统工程研究所
Abstract: 本发明提出了一种基于动态运动基元与转向力场的机械臂动态避障轨迹规划方法，属于机器人技术领域，首先使机械臂获取示教轨迹并进行预处理；然后使用改进动态运动基元(DMP)算法对步骤1预处理后的示教轨迹进行学习，使得DMP能够生成与示教轨迹相似的运动模式；通过安装在机械臂周围或固定位置的深度相机，实时获取障碍物信息、形状和运动状态，计算避障排斥力，量化转向力实现对自由运动障碍物的避障；构建Lyapunov方程，基于Lyapunov稳定性理论，证明改进DMP算法的稳定性，确保机械臂在动态环境中的运动轨迹收敛于目标点；最后进行避障实验，验证机械臂动态避障能力；本发明显著提升了机械臂在狭小作业空间中的轨迹泛化能力。
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公开(公告)号：CN114235822B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202111621696.6
申请日：2021-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种紫外光学元件加工表面微区电子缺陷能级确定方法，属于工程光学领域，本发明为解决现有技术中缺乏一种简单、可靠的微区电子缺陷能级确定方法的问题，本发明方法具体按如下步骤进行：步骤一、获取紫外光学元件表面微区微缺陷在不同激发光波长下的稳态荧光光谱，选取荧光强度最高的峰值位置，确定其所处的能级为第一电子缺陷能级；步骤二、根据稳态荧光光谱荧光峰值强度的高低进行排序，强度排第N的荧光峰值则对应第N电子缺陷能级；步骤三、确定导带的荧光峰波段出现荧光信号时的激发光波长，根据该波长对应的单光子能量确定导带的位置；步骤四、紫外光学元件加工表面微区电子缺陷能级电子衰减寿命的确定。
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公开(公告)号：CN114235822A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111621696.6
申请日：2021-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种紫外光学元件加工表面微区电子缺陷能级确定方法，属于工程光学领域，本发明为解决现有技术中缺乏一种简单、可靠的微区电子缺陷能级确定方法的问题，本发明方法具体按如下步骤进行：步骤一、获取紫外光学元件表面微区微缺陷在不同激发光波长下的稳态荧光光谱，选取荧光强度最高的峰值位置，确定其所处的能级为第一电子缺陷能级；步骤二、根据稳态荧光光谱荧光峰值强度的高低进行排序，强度排第N的荧光峰值则对应第N电子缺陷能级；步骤三、确定导带的荧光峰波段出现荧光信号时的激发光波长，根据该波长对应的单光子能量确定导带的位置；步骤四、紫外光学元件加工表面微区电子缺陷能级电子衰减寿命的确定。
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