公开(公告)号：CN103137802A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210505781.0

申请日：2012-11-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 海原竜

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/005 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明公开了制造半导体发光元件的方法。该方法包括：电容测量步骤，其中在形成p型电极和n型电极后，电容测量部分测量p型电极和n型电极之间的电容；杂质浓度分布计算步骤，其中杂质浓度分布计算部分从测量的电容计算杂质浓度分布；以及第一杂质浓度分布控制步骤，其中第一杂质浓度分布控制部分通过控制MOCVD部分而控制，使得在下一批次或基板中形成发光层时可获得最大发光输出，以所计算的杂质浓度分布的最小值作为特征量。根据本发明，可抑制设计掺杂浓度和深度方向上浓度分布的制造差异（生产波动），并且可改善且稳定发光输出。

公开(公告)号：CN102881789A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210374452.7

申请日：2012-07-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 笔田麻佑子 ,  驹田聪 ,  海原竜

IPC: H01L33/06

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/04 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0033

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，该氮化物半导体发光元件包括：第一导电型氮化物半导体层、设置在第一导电型氮化物半导体层上的超晶格层、设置在超晶格层上的活性层、设置在活性层上的第二导电型氮化物半导体层。超晶格层的平均载流子浓度高于活性层的平均载流子浓度。

公开(公告)号：CN102881789B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201210374452.7

申请日：2012-07-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 笔田麻佑子 ,  驹田聪 ,  海原竜

IPC: H01L33/06

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/04 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0033

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，该氮化物半导体发光元件包括：第一导电型氮化物半导体层、设置在第一导电型氮化物半导体层上的超晶格层、设置在超晶格层上的活性层、设置在活性层上的第二导电型氮化物半导体层。超晶格层的平均载流子浓度高于活性层的平均载流子浓度。

公开(公告)号：CN103299439A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201180064237.0

申请日：2011-12-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 海原竜

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体发光元件及其制造方法。能够不使发光强度及驱动电压恶化而提高静电耐压。在发光层（7）的n电极（12）一侧，由InxGa1-xN（0