中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

17 records (took 0.032 seconds)

    半导体发光元件的温度特性检查装置和温度特性检查方法
    1.
    发明公开
    半导体发光元件的温度特性检查装置和温度特性检查方法 失效

    公开(公告)号：CN102693925A

    公开(公告)日：2012-09-26

    申请号：CN201210082180.3

    申请日：2012-03-26

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 山本宏明 ,  渡边信幸 ,  近江晋

    IPC: H01L21/66 ,  H01L33/00

    Abstract: 一种半导体发光元件的温度特性检查装置和温度特性检查方法。温度特性检查装置包括电流施加/电压测定装置和测定对象的半导体发光元件。电流施加/电压测定装置包括电流施加部、电压检测部。电流施加/电压测定装置例如是芯片探针，将探针对准晶圆状态的半导体发光元件的电极来进行电流施加、电压测定。使用所测定的正向电压值和光输出值，例如通过外部的运算部、判定部来进行半导体发光元件的温度特性的好坏判定。由此，能够提供一种不增加芯片面积、能够以低成本实现的温度特性检查装置和温度特性检查方法。

    半导体发光元件及其制造方法和化合物半导体发光二极管
    2.
    发明授权
    半导体发光元件及其制造方法和化合物半导体发光二极管 失效

    公开(公告)号：CN101093871B

    公开(公告)日：2012-02-29

    申请号：CN200710138868.8

    申请日：2007-06-20

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 渡边信幸

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/30 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20

    Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法和化合物半导体发光二极管，其使用透过性衬底，能够提高光输出效率。主体(1705)包括：n-Al0.6Ga0.4As电流扩散层(1702)、n-Al0.5In0.5P包层(1703)、AlGaInP活性层(1704)、p-Al0.5In0.5P包层(1705)、p-GaInP中间层(1706)、以及p-GaP接触层(1707)。在主体(1750)之下设置有n-GaP透过性衬底(1701)，在主体(1750)之上设置有p-GaP透过性衬底(1708)。n-GaP透过性衬底(1701)和p-GaP透过性衬底(1708)分别对于AlGaInP发光层(1705)的出射光具有透过性。

    半导体发光元件的制造方法
    3.
    发明授权
    半导体发光元件的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN100377377C

    公开(公告)日：2008-03-26

    申请号：CN200510118739.3

    申请日：2005-10-31

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 井口缘织 ,  梅田浩 ,  仓桥孝尚 ,  渡边信幸 ,  村上哲朗

    IPC: H01L33/00

    Abstract: 一种半导体发光元件的制造方法，在具有发光层(7)的第一芯片(22)的表面配置对来自发光层(7)的光透明的作为GaP衬底的第二芯片(23)。在夹紧面压5～500kg/cm2的范围内，经由具有应力缓和率1.5～3.0%的缓冲膜(24)对第一及第二芯片(22、23)的接触面作用压缩力，同时，在加热炉中进行加热。可不产生接合不良，而在整个面上接合第一及第二芯片(22、23)。

    半导体发光元件及其制造方法
    5.
    发明公开
    半导体发光元件及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN1909259A

    公开(公告)日：2007-02-07

    申请号：CN200610159385.1

    申请日：2006-07-26

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 渡边信幸 ,  井口缘 ,  村上哲朗

    IPC: H01L33/00

    Abstract: 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。半导体发光元件具有第一导电型半导体层(3、4)、形成在上述第一导电型半导体层上的发光层(5)、形成在上述发光层上的第二导电型半导体层(8)、设置在上述第二导电型半导体层(8)上并且使来自上述发光层(5)的光透过的透过性衬底(9)。上述透过性衬底(9)的载体浓度低于上述第二导电型半导体层(8)的载体浓度。

    半导体发光元件的温度特性检查装置和温度特性检查方法
    6.
    发明授权
    半导体发光元件的温度特性检查装置和温度特性检查方法 失效

    公开(公告)号：CN102693925B

    公开(公告)日：2016-05-25

    申请号：CN201210082180.3

    申请日：2012-03-26

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 山本宏明 ,  渡边信幸 ,  近江晋

    IPC: H01L21/66 ,  H01L33/00

    Abstract: 一种半导体发光元件的温度特性检查装置和温度特性检查方法。温度特性检查装置包括电流施加/电压测定装置和测定对象的半导体发光元件。电流施加/电压测定装置包括电流施加部、电压检测部。电流施加/电压测定装置例如是芯片探针，将探针对准晶圆状态的半导体发光元件的电极来进行电流施加、电压测定。使用所测定的正向电压值和光输出值，例如通过外部的运算部、判定部来进行半导体发光元件的温度特性的好坏判定。由此，能够提供一种不增加芯片面积、能够以低成本实现的温度特性检查装置和温度特性检查方法。

    半导体发光器件及其制造方法
    7.
    发明授权
    半导体发光器件及其制造方法 有权 转让 许可

    公开(公告)号：CN1893134B

    公开(公告)日：2010-09-08

    申请号：CN200610100645.8

    申请日：2006-06-30

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 龟谷英司 ,  井口缘织 ,  渡边信幸 ,  村上哲朗

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L33/0079

    Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件通过层叠包括AlGaInP有源层的外延层(30)和透射从有源层产生的光的第二晶片(23)而形成。外延层(30)和第二晶片(23)的晶轴彼此大致对齐，并关于所述第二晶片(23)的横侧面{100}处于-15°到+15°范围。该具有高外部发射效率的连接型半导体发光器件允许以高产量容易地在整个晶片表面上实现均匀的晶片键合，而不引起接合失效和晶片开裂。

    半导体发光元件及其制造方法
    8.
    发明公开
    半导体发光元件及其制造方法 失效

    公开(公告)号：CN101083295A

    公开(公告)日：2007-12-05

    申请号：CN200710128255.6

    申请日：2007-04-28

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 井口缘 ,  渡边信幸 ,  村上哲朗 ,  智者多永子

    IPC: H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/025

    Abstract: 本发明涉及一种半导体发光元件，其包括：第一导电类型的半导体层；在所述第一导电类型的半导体层上的发光层；在所述发光层上的第二导电类型的半导体层；以及在所述第二导电类型的半导体层上的透光性半导体层。透光性半导体层透过来自发光层的光。所述第二导电类型的半导体层与所述透光性半导体层具有不同的载流子浓度，所述第二导电类型的半导体层的载流子浓度大于所述透光性半导体层的载流子浓度。

Patent Agency Ranking