公开(公告)号：CN102693925A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210082180.3

申请日：2012-03-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山本宏明 ,  渡边信幸 ,  近江晋

IPC: H01L21/66 ,  H01L33/00

Abstract: 一种半导体发光元件的温度特性检查装置和温度特性检查方法。温度特性检查装置包括电流施加/电压测定装置和测定对象的半导体发光元件。电流施加/电压测定装置包括电流施加部、电压检测部。电流施加/电压测定装置例如是芯片探针，将探针对准晶圆状态的半导体发光元件的电极来进行电流施加、电压测定。使用所测定的正向电压值和光输出值，例如通过外部的运算部、判定部来进行半导体发光元件的温度特性的好坏判定。由此，能够提供一种不增加芯片面积、能够以低成本实现的温度特性检查装置和温度特性检查方法。

公开(公告)号：CN102693925B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201210082180.3

申请日：2012-03-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山本宏明 ,  渡边信幸 ,  近江晋

IPC: H01L21/66 ,  H01L33/00

Abstract: 一种半导体发光元件的温度特性检查装置和温度特性检查方法。温度特性检查装置包括电流施加/电压测定装置和测定对象的半导体发光元件。电流施加/电压测定装置包括电流施加部、电压检测部。电流施加/电压测定装置例如是芯片探针，将探针对准晶圆状态的半导体发光元件的电极来进行电流施加、电压测定。使用所测定的正向电压值和光输出值，例如通过外部的运算部、判定部来进行半导体发光元件的温度特性的好坏判定。由此，能够提供一种不增加芯片面积、能够以低成本实现的温度特性检查装置和温度特性检查方法。

公开(公告)号：CN108352049A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680066306.4

申请日：2016-09-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤晋 ,  土田和弘 ,  村田彻 ,  山本宏明 ,  有吉章 ,  宫嵜启介 ,  曾田义树

IPC: G06T1/00 ,  A61B5/1171 ,  H01S5/022

CPC classification number: A61B5/1171 ,  G06T1/00 ,  H01S5/022

Abstract: 提供一种可以抑制装置大小及成本并提高摄像精度的摄像装置。摄像装置(1)具有向摄像对象(5)照射红外线光的半导体激光的光源(2)、在摄像对象(5)的表面遮蔽反射的光并在摄像对象(5)的内部使反射的光透射的偏振光滤光器(3)、接收透射偏振光滤光器(3)的光并摄像摄像对象(5)的摄像元件(4)。

公开(公告)号：CN104620398B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201480002009.4

申请日：2014-06-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山本宏明 ,  近江晋 ,  翁宇峰 ,  田边皇纪

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/02 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/325 ,  H01L33/42 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体发光元件(10)具备：基板(11)；半导体层叠部(22)，设置在基板(11)上，至少具有第一导电型半导体层(14)、发光层(16)和第二导电型半导体层(18)。基板(11)相对于来自发光层(16)的光而具有透光性，并具有六面体形状，包括设置半导体层叠部(22)的第一面(11a)、位于与第一面(11a)相反的一侧的第二面(11b)、与第一面(11a)及第二面(11b)正交的一对第三面(11c)、与第一面(11a)及第二面(11b)正交且与一对第三面(11c)不同的一对第四面(11d)。第一面(11a)具有交替地形成凹部(31A)和凸部(31B)而成的凹凸构造(31)。第三面(11c)分别在与第二面(11b)相距第一距离的位置具有第一改质层(41)。第四面(11d)分别具有两层以上的改质层(42，43，44)。

公开(公告)号：CN104620398A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201480002009.4

申请日：2014-06-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山本宏明 ,  近江晋 ,  翁宇峰 ,  田边皇纪

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/02 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/325 ,  H01L33/42 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体发光元件(10)具备：基板(11)；半导体层叠部(22)，设置在基板(11)上，至少具有第一导电型半导体层(14)、发光层(16)和第二导电型半导体层(18)。基板(11)相对于来自发光层(16)的光而具有透光性，并具有六面体形状，包括设置半导体层叠部(22)的第一面(11a)、位于与第一面(11a)相反的一侧的第二面(11b)、与第一面(11a)及第二面(11b)正交的一对第三面(11c)、与第一面(11a)及第二面(11b)正交且与一对第三面(11c)不同的一对第四面(11d)。第一面(11a)具有交替地形成凹部(31A)和凸部(31B)而成的凹凸构造(31)。第三面(11c)分别在与第二面(11b)相距第一距离的位置具有第一改质层(41)。第四面(11d)分别具有两层以上的改质层(42，43，44)。