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公开(公告)号:CN100546431C
公开(公告)日:2009-09-30
申请号:CN200510119476.8
申请日:2005-11-11
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 濑古敏春
IPC: H05K1/18 , H05K1/02 , H01L23/488 , H05K3/00
CPC classification number: H01L2224/73204
Abstract: 本发明提供可实现布线图形的细间距化并且能够提高布线图形的机械强度、防止断线或剥离的发生的柔性布线基板。本发明的柔性布线基板(3)具备绝缘带(6)和在该绝缘带(6)上被形成的布线图形(7)。对于上述布线图形(7)来说,与半导体元件(2)连接用的搭载区域中的布线图形(7)的厚度比非搭载区域中的布线图形(7)的厚度薄。
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公开(公告)号:CN1497689A
公开(公告)日:2004-05-19
申请号:CN03132660.9
申请日:2003-09-30
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 濑古敏春
Abstract: 按照本发明,COF半导体器件的制造方法包括:步骤(A),对在其表面上设置了多个布线图形的绝缘带的表面涂敷绝缘树脂成分;步骤(B),在绝缘树脂成分尚未固化的条件下可通过加压使半导体元件与布线图形接触;以及步骤(C),借助于使绝缘树脂成分固化,将半导体元件固定到布线图形上,从而进行电连接,其中,COF半导体器件的制造方法还包括步骤(D),在涂敷绝缘树脂成分之前、之中和/或之后,从背面一侧对绝缘带进行预热。
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公开(公告)号:CN101140918A
公开(公告)日:2008-03-12
申请号:CN200710149099.1
申请日:2007-09-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/28 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/4985 , H01L21/4821 , H01L21/563 , H01L23/3185 , H01L23/49572 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H05K3/0097 , H01L2924/00
Abstract: 在条带载体型半导体器件中,为了提供一种可减少不包含在产品外形中的无形区域的半导体器件用条带载体、半导体器件的制造方法、半导体器件和半导体模块装置,采用了如下手段:将表面上配置的多个布线图形(11)与半导体元件(21)的凸点(23)进行电连接,用绝缘性树脂(22)进行密封而成为半导体器件的、薄膜的绝缘条带(1),在绝缘条带(1)的运送方向上的半导体器件的外形尺寸比为了运送绝缘条带(1)而开口的输送孔(2)的间距间隔的整数倍X个间距(X=1、2、3、4、5、…)大,并且为整数倍X+小数Y个间距(0<Y<1)或其以下的半导体器件用条带载体中,将半导体器件的1个器件的条带间距设定为整数倍X+小数Y个间距(0<Y<1),减少与半导体器件的外形尺寸无关的绝缘条带(1)的无形区域。
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公开(公告)号:CN1738040A
公开(公告)日:2006-02-22
申请号:CN200510092716.X
申请日:2003-09-30
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 濑古敏春
IPC: H01L23/498 , H01L23/28 , H01L21/60 , H01L21/56
Abstract: 按照本发明,COF半导体器件的制造方法包括:步骤(A),对在其表面上设置了多个布线图形的绝缘带的表面涂敷绝缘树脂成分;步骤(B),在绝缘树脂成分尚未固化的条件下可通过加压使半导体元件与布线图形接触;以及步骤(C),借助于使绝缘树脂成分固化,将半导体元件固定到布线图形上,从而进行电连接,其中,COF半导体器件的制造方法还包括步骤(D),在涂敷绝缘树脂成分之前、之中和/或之后,从背面一侧对绝缘带进行预热。
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公开(公告)号:CN100543978C
公开(公告)日:2009-09-23
申请号:CN200710149099.1
申请日:2007-09-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/28 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/4985 , H01L21/4821 , H01L21/563 , H01L23/3185 , H01L23/49572 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H05K3/0097 , H01L2924/00
Abstract: 在条带载体型半导体器件中,为了提供一种可减少不包含在产品外形中的无形区域的半导体器件用条带载体、半导体器件的制造方法、半导体器件和半导体模块装置,采用了如下手段:将表面上配置的多个布线图形(11)与半导体元件(21)的凸点(23)进行电连接,用绝缘性树脂(22)进行密封而成为半导体器件的、薄膜的绝缘条带(1),在绝缘条带(1)的运送方向上的半导体器件的外形尺寸比为了运送绝缘条带(1)而开口的输送孔(2)的间距间隔的整数倍X个间距(X=1、2、3、4、5、…)大,并且为整数倍X+小数Y个间距(0<Y<1)或其以下的半导体器件用条带载体中,将半导体器件的1个器件的条带间距设定为整数倍X+小数Y个间距(0<Y<1),减少与半导体器件的外形尺寸无关的绝缘条带(1)的无形区域。
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公开(公告)号:CN100411163C
公开(公告)日:2008-08-13
申请号:CN200510092716.X
申请日:2003-09-30
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 濑古敏春
IPC: H01L23/498 , H01L23/28 , H01L21/60 , H01L21/56
Abstract: 为了克服半导体器件的电极之间的电流漏泄和半导体元件的铝电极被腐蚀之类的缺点,本发明提出一种芯片在薄膜上的半导体器件,它包括:在其表面上设置了多个布线图形的薄膜绝缘带;半导体元件;以及在使该半导体元件与布线图形电连接的条件下将该半导体元件固定到布线图形上的、包含树脂固化阻滞剂的绝缘树脂成分。依据本发明提出的半导体器件能有效消除绝缘树脂成分中的气泡,因而不发生半导体元件的电极之间的电流漏泄和对半导体元件的铝电极的腐蚀。
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公开(公告)号:CN101071800A
公开(公告)日:2007-11-14
申请号:CN200710102902.6
申请日:2007-05-11
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 濑古敏春
IPC: H01L23/498
CPC classification number: H01L21/563 , H01L23/49838 , H01L23/4985 , H01L2224/16225 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H05K1/111 , H05K1/189 , H05K2201/09727 , H05K2201/10674 , Y02P70/611 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件用的载带,具有绝缘带和形成在该绝缘带上的配线图案,上述配线图案在重叠区域的一部分中具有用于连接上述配线图案和突起电极的连接部,其中,上述重叠区域是在半导体元件被搭载至上述配线图案时上述配线图案和上述半导体元件重叠的区域。在上述重叠区域中,上述配线图案的连接部的线宽要小于上述配线图案的除上述连接部之外的部分的线宽。
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公开(公告)号:CN100390973C
公开(公告)日:2008-05-28
申请号:CN200510064877.8
申请日:2005-04-08
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 濑古敏春
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/563 , H01L23/49838 , H01L23/4985 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/16501 , H01L2224/26175 , H01L2224/27013 , H01L2224/29101 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/2939 , H01L2224/294 , H01L2224/2989 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/81191 , H01L2224/8182 , H01L2224/83051 , H01L2224/83102 , H01L2224/83192 , H01L2224/8384 , H01L2224/83851 , H01L2224/92125 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 如图(a)所示,在绝缘带(1)上设置布线图形(2),将其一部分作为用于连接的连接部(4)。如图(b)所示,配置绝缘性树脂(7)以便覆盖连接部(4)。在图(c)中,进行定位在D1方向上加压使得半导体元件(3)的突起电极(6)推开绝缘性树脂(7)并连接于连接部(4)上。如图(d)所示,以在D1方向上加压了的状态下进行加热,使得连接部(4)伸入突起电极(6),使半导体元件(3)和绝缘带(1)的布线图形(2)被连接。由此,可以提供一种提高了带与半导体元件的连接强度的COF半导体装置。
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公开(公告)号:CN1294652C
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN03125596.5
申请日:2003-09-30
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 濑古敏春
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有按图案形状形成的布线的绝缘性基板、经突起电极电连接该布线的半导体元件、固定该半导体元件的树脂包边。树脂包边至少由包含提高绝缘性树脂相对布线和绝缘性基板的润湿性的树脂防粘弹剂的绝缘性树脂构成;树脂防粘弹剂是界面活性剂。半导体器件的制造方法包括:在绝缘性基板上的布线上,留出装载半导体元件的部位地覆盖阻焊膜的阻焊膜覆盖工序;向包含装载半导体元件的部位的区域涂布绝缘性树脂的绝缘性树脂涂布工序;在涂布的绝缘性树脂上装载半导体元件,并将其突起电极压接到绝缘性基板上的布线上,从而进行电连接的半导体元件加压工序。在绝缘性树脂涂布工序中,至少使用包含提高绝缘性树脂的润湿性的树脂防粘弹剂的绝缘性树脂,通过半导体元件加压工序从半导体元件下方挤压出的绝缘性树脂和存在于半导体元件外周部的绝缘性树脂在半导体元件的侧面形成树脂包边。
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公开(公告)号:CN1684249A
公开(公告)日:2005-10-19
申请号:CN200510064877.8
申请日:2005-04-08
Applicant: 夏普株式会社
Inventor: 濑古敏春
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/563 , H01L23/49838 , H01L23/4985 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/16501 , H01L2224/26175 , H01L2224/27013 , H01L2224/29101 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/2939 , H01L2224/294 , H01L2224/2989 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/81191 , H01L2224/8182 , H01L2224/83051 , H01L2224/83102 , H01L2224/83192 , H01L2224/8384 , H01L2224/83851 , H01L2224/92125 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 如图(a)所示,在绝缘带(1)上设置布线图形(2),将其一部分作为用于连接的连接部(4)。如图(b)所示,配置绝缘性树脂(7)以便覆盖连接部(4)。在图(c)中,进行定位在D1方向上加压使得半导体元件(3)的突起电极(6)推开绝缘性树脂(7)并连接于连接部(4)上。如图(d)所示,以在D1方向上加压了的状态下进行加热,使得连接部(4)伸入突起电极(6),使半导体元件(3)和绝缘带(1)的布线图形(2)被连接。由此,可以提供一种提高了带与半导体元件的连接强度的COF半导体装置。
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