公开(公告)号：CN107980180A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201580082362.2

申请日：2015-08-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 稗田健 ,  小林正道 ,  冈本亲扶 ,  松本雄太 ,  木本贤治

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/50

Abstract: 光电转换元件具备：半导体基板(1)；第一i型半导体膜(2)，其设置于半导体基板(1)的一侧的表面的一部分；第一半导体区域，其由设置在第一i型半导体膜(2)上的第一导电型半导体膜(3)构成；以及第一电极层(9)，其设置在第一半导体区域上，所述光电转换元件具有第一导电膜(11a)，其夹装在第一半导体区域与第一电极层(9)之间的局部。

公开(公告)号：CN106062972A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580012467.0

申请日：2015-02-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 浅野直城 ,  稗田健 ,  冈本亲扶 ,  松本雄太 ,  东贤一 ,  重田博昭

IPC: H01L31/056 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0747

Abstract: 提供一种与以往相比能够提高特性和可靠性的光电转换元件和光电转换元件的制造方法。光电转换元件具备基体(10)、电极部(20)以及反射部(30)，其中所述基体(10)具有：半导体基板(1)；第一i型半导体膜(2)，设置于半导体基板(1)的一个表面的一部分；第一导电类型半导体膜(3)，设置于第一i型半导体膜(2)上；第二i型半导体膜(4)，设置于表面的另一部分；以及第二导电类型半导体膜(5)，设置于第二i型半导体膜(4)上，所述电极部(20)具有：第一电极层(21)，设置于第一导电类型半导体膜(3)上；以及第二电极层(22)，设置于第1第二导电类型半导体膜(5)上，所述反射部(30)设置于被第一电极层(21)和第二电极层(22)夹着的间隙区域(A)。

公开(公告)号：CN107980180B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN201580082362.2

申请日：2015-08-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 稗田健 ,  小林正道 ,  冈本亲扶 ,  松本雄太 ,  木本贤治

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0224

Abstract: 光电转换元件具备：半导体基板(1)；第一i型半导体膜(2)，其设置于半导体基板(1)的一侧的表面的一部分；第一半导体区域，其由设置在第一i型半导体膜(2)上的第一导电型半导体膜(3)构成；以及第一电极层(9)，其设置在第一半导体区域上，所述光电转换元件具有第一导电膜(11a)，其夹装在第一半导体区域与第一电极层(9)之间的局部。

公开(公告)号：CN105659389B

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201480058683.4

申请日：2014-10-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木本贤治 ,  小出直城 ,  稗田健 ,  中村淳一

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态硅层上的电极的接触电阻变高，从而提高元件特性的光电转换元件。光电转换元件(10)具备半导体基板(12)、第1半导体层(20n)、第2半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。第1半导体层(20n)具有第1导电类型。第2半导体层(20p)具有与第1导电类型相反的第2导电类型。第1电极(22n)形成于第1半导体层(20n)上。第2电极(22p)形成于第2半导体层(20p)上。第1电极(22n)以及第2电极(22p)中的至少一方的电极包括多个金属晶粒。电极的面内方向上的金属晶粒的平均晶体粒径大于电极的厚度。

公开(公告)号：CN105659389A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480058683.4

申请日：2014-10-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木本贤治 ,  小出直城 ,  稗田健 ,  中村淳一

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747 ,  H02S10/00 ,  Y02E10/547

Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态硅层上的电极的接触电阻变高，从而提高元件特性的光电转换元件。光电转换元件(10)具备半导体基板(12)、第1半导体层(20n)、第2半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。第1半导体层(20n)具有第1导电类型。第2半导体层(20p)具有与第1导电类型相反的第2导电类型。第1电极(22n)形成于第1半导体层(20n)上。第2电极(22p)形成于第2半导体层(20p)上。第1电极(22n)以及第2电极(22p)中的至少一方的电极包括多个金属晶粒。电极的面内方向上的金属晶粒的平均晶体粒径大于电极的厚度。