公开(公告)号：CN105849868B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201580003367.1

申请日：2015-01-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  远崎学 ,  藤重阳介 ,  伊藤伸之 ,  冈崎舞 ,  井上雄史 ,  田尻雅之 ,  寺口信明

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462

Abstract: 氮化物半导体层叠体包括：将从(111)面以0度以上4.0度以下的偏离角倾斜的面作为主面的Si衬底(101、201、301、401、1101)；和形成在Si衬底(101、201、301、401、1101)上的氮化物半导体层(110、210、310、410、1102、1103、1104、1105、1106、1107)。

公开(公告)号：CN105849868A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201580003367.1

申请日：2015-01-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  远崎学 ,  藤重阳介 ,  伊藤伸之 ,  冈崎舞 ,  井上雄史 ,  田尻雅之 ,  寺口信明

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462

Abstract: 氮化物半导体层叠体包括：将从(111)面以0度以上4.0度以下的偏离角倾斜的面作为主面的Si衬底(101、201、301、401、1101)；和形成在Si衬底(101、201、301、401、1101)上的氮化物半导体层(110、210、310、410、1102、1103、1104、1105、1106、1107)。

公开(公告)号：CN106796870A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580046071.8

申请日：2015-06-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  远崎学 ,  冈崎舞 ,  藤重阳介 ,  田尻雅之 ,  伊藤伸之

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体，其包括Si衬底(100)、设置在该Si衬底(100)上的氮化物半导体层叠体(200)，其中，Si衬底(100)的X射线衍射中的摇摆曲线的半峰宽不足160arcsec。

公开(公告)号：CN106688084A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201580048531.0

申请日：2015-08-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田尻雅之 ,  伊藤伸之 ,  小河淳 ,  藤重阳介 ,  冈崎舞 ,  远崎学

IPC: H01L21/338 ,  C23C16/34 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02694 ,  C23C16/301 ,  C23C16/303 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 氮化物半导体层叠体的制造方法包括：在反应炉内在衬底的上方形成第1氮化物半导体层(12)的第1氮化物半导体层形成工序；在第1氮化物半导体层(12)的上方形成第2氮化物半导体层(13)的第2氮化物半导体层形成工序；和在第2氮化物半导体层(13)的上表面形成与第2氮化物半导体层(13)相比带隙大的第3氮化物半导体层(14)的第3氮化物半导体层形成工序。第2氮化物半导体层形成工序与第3氮化物半导体层形成工序之间不被中断，第3氮化物半导体层形成工序与第2氮化物半导体层形成工序连续地被实施。