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公开(公告)号：CN106062973B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201580012504.8
申请日：2015-04-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/022441 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种光电转换装置，能够抑制p层或者n层的掺杂物向相邻的层扩散。光电转换装置(1)具备硅基板(10)、形成于硅基板(10)的一个面并且实质上是本征的本征非晶质层(11)以及形成于本征非晶质层(11)上的第1导电类型非晶质层(12)。第1导电类型非晶质层(12)包括第1浓度层(121)和层叠于第1浓度层(121)的第2浓度层(122)。第2浓度层(122)的掺杂物浓度是8×1017cm‑3以上且低于第1浓度层的掺杂物浓度。
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公开(公告)号：CN102256144A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110091037.6
申请日：2011-04-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H04N13/341 , G02B27/2264 , H04N13/172 , H04N13/356 , H04N13/398
Abstract: 本发明的使用眼镜识别装置(10、20、30)用于识别对显示装置(100)所显示的影像进行观赏时所使用的快门式眼镜(400)。该使用眼镜识别装置(10、20、30)包括：识别信息取得部(15)，取得用于对特定的快门式眼镜(400)进行识别的识别信息；显示控制部(12)，使显示装置(100)显示与识别信息取得部(15)所取得的识别信息相对应的识别结果。因此，根据本发明，能够提供当使用快门式眼镜(400)来观赏显示装置(100)所显示的影像时，可使显示装置(100)显示用于识别该快门式眼镜(400)的识别结果的使用眼镜识别装置。
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公开(公告)号：CN107710420B
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201680035963.2
申请日：2016-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 在光电转换装置(1)中，在半导体基板(101)的一个面侧交替地配置有第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)。在第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)分别配置有至少一个第一非晶质半导体层(1020n)和第二非晶质半导体层(1020p)。在一个第一非晶质半导体层(1020n)之上，间隔地配置有多个第一电极(103n)，在一个第二非晶质半导体层(1020p)之上，间隔地配置有多个第二电极(103p)。
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公开(公告)号：CN108028290B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201680052868.3
申请日：2016-08-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0747
Abstract: 本发明提供抑制硼的扩散，并能使转换效率提高的光电转换元件及光电转换模块。光电转换元件(10)包括：半导体基板(1)；在半导体基板(1)上形成的本征非晶态半导体层(3)；在本征非晶态半导体层(3)上形成的包含磷作为掺杂物的n型非晶态半导体层(4)；以及在面内方向上与n型非晶态半导体层(4)相邻地形成的包含硼作为掺杂物的p型非晶态半导体层(5)。n型非晶态半导体层(4)在与p型非晶态半导体层(5)相邻的面具有膜厚减少区域TD(n)，p型非晶态半导体层(5)在与n型非晶态半导体层(4)相邻的面具有膜厚减少区域TD(p)。p型非晶态半导体层(5)的膜厚减少区域TD(p)的倾斜角度比n型非晶态半导体层(4)的膜厚减少区域TD(n)的倾斜角度更陡峭。
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公开(公告)号：CN103561254B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310449798.3
申请日：2011-04-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H04N13/341 , G02B27/2264 , H04N13/172 , H04N13/356 , H04N13/398
Abstract: 本发明的使用眼镜识别装置(10、20、30)用于识别对显示装置(100)所显示的影像进行观赏时所使用的快门式眼镜(400)。该使用眼镜识别装置(10、20、30)包括：识别信息取得部(15)，取得用于对特定的快门式眼镜(400)进行识别的识别信息；显示控制部(12)，使显示装置(100)显示与识别信息取得部(15)所取得的识别信息相对应的识别结果。因此，根据本发明，能够提供当使用快门式眼镜(400)来观赏显示装置(100)所显示的影像时，可使显示装置(100)显示用于识别该快门式眼镜(400)的识别结果的使用眼镜识别装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103181176A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180050345.2
申请日：2011-09-28
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G02B27/22 , H04N13/128 , H04N13/341 , H04N13/398
Abstract: 立体影像输出装置(10)具备显示控制部(14)，该显示控制部(14)在赋予了对用于显示立体影像的初始影像数据所设定的多个立体感时，向显示装置(102)输出设定了多个立体感的每一个的初始影像数据即多个影像数据，由此使利用多个影像数据的每一个影像数据的多个立体影像显示在显示装置(102)的画面上。
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公开(公告)号：CN101689384B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200880023912.3
申请日：2008-07-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11B7/0053 , G11B7/126 , G11B7/24 , G11B7/24079
Abstract: 超分辨率介质(1)设有信息信号区域(11)和测试引导区域(12)，信息信号区域(11)记录有视频或音频等内容；测试引导区域(12)记录有用于调整设定值的重放设定值调整信息，其中，该设定值是用于进行重放的设定值。形成在信息信号区域(11)的第1预坑列的最短标记长度小于重放装置所具有的光学系统分辨极限长度。记录于测试引导区域(12)的、用以调整设定值的第2预坑列中的标记长度种类与第1预坑列的一部分或全部标记长度种类相同。第2预坑列含有、标记长度低于重放装置之光学系统分辨极限长度的预坑。第1预坑列以及第2预坑列中的标记长度有3种以上。由此，对于超分辨率介质(1)，能够根据各介质进行最佳的重放。
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公开(公告)号：CN107532289B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201680022950.1
申请日：2016-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: C23C14/50 , C23C14/04 , C23C16/04 , C23C16/44 , H01L21/205
Abstract: 在基板形成薄膜的成膜方法，具有紧贴工序、外力去除工序及成膜工序。紧贴工序(工序B)将紧贴用部件(31)以接触于基板(30)的一面的方式重叠，在向基板(30)与紧贴用部件(31)重合的方向施加外力的状态下，将基板(30)与紧贴用部件(31)置于真空下。外力去除工序(工序C)在大气压下或真空下将外力去除。成膜工序(工序E)在基板(30)的一面或另一面上形成薄膜。
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公开(公告)号：CN108028290A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052868.3
申请日：2016-08-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0747
Abstract: 本发明提供抑制硼的扩散，并能使转换效率提高的光电转换元件及光电转换模块。光电转换元件(10)包括：半导体基板(1)；在半导体基板(1)上形成的本征非晶态半导体层(3)；在本征非晶态半导体层(3)上形成的包含磷作为掺杂物的n型非晶态半导体层(4)；以及在面内方向上与n型非晶态半导体层(4)相邻地形成的包含硼作为掺杂物的p型非晶态半导体层(5)。n型非晶态半导体层(4)在与p型非晶态半导体层(5)相邻的面具有膜厚减少区域TD(n)，p型非晶态半导体层(5)在与n型非晶态半导体层(4)相邻的面具有膜厚减少区域TD(p)。p型非晶态半导体层(5)的膜厚减少区域TD(p)的倾斜角度比n型非晶态半导体层(4)的膜厚减少区域TD(n)的倾斜角度更陡峭。
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公开(公告)号：CN107667435A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201680028567.7
申请日：2016-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/075
Abstract: 光电转换装置(1)具备以与半导体基板(101)的一个面相接的方式形成的i型非晶质半导体层(102i)、分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上的p型非晶质半导体层(102p)与分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上，且于半导体基板(101)的面内方向邻接于p型非晶质半导体层(102p)而形成的n型非晶质半导体层(102n)。进而，光电转换装置(1)具备电极(103)作为保护层，所述保护层是以在邻接的p型非晶质半导体层(102p)之间及邻接的n型非晶质半导体层(102n)之间与i型非晶质半导体层(102i)相接的方式形成。
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