公开(公告)号：CN106062973B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201580012504.8

申请日：2015-04-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  酒井敏彦 ,  菅沼利人 ,  辻埜和也 ,  国吉督章 ,  神川刚

IPC: H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种光电转换装置，能够抑制p层或者n层的掺杂物向相邻的层扩散。光电转换装置(1)具备硅基板(10)、形成于硅基板(10)的一个面并且实质上是本征的本征非晶质层(11)以及形成于本征非晶质层(11)上的第1导电类型非晶质层(12)。第1导电类型非晶质层(12)包括第1浓度层(121)和层叠于第1浓度层(121)的第2浓度层(122)。第2浓度层(122)的掺杂物浓度是8×1017cm‑3以上且低于第1浓度层的掺杂物浓度。

公开(公告)号：CN106062973A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580012504.8

申请日：2015-04-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  酒井敏彦 ,  菅沼利人 ,  辻埜和也 ,  国吉督章 ,  神川刚

IPC: H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种光电转换装置，能够抑制p层或者n层的掺杂物向相邻的层扩散。光电转换装置(1)具备硅基板(10)、形成于硅基板(10)的一个面并且实质上是本征的本征非晶质层(11)以及形成于本征非晶质层(11)上的第1导电类型非晶质层(12)。第1导电类型非晶质层(12)包括第1浓度层(121)和层叠于第1浓度层(121)的第2浓度层(122)。第2浓度层(122)的掺杂物浓度是8×1017cm‑3以上且低于第1浓度层的掺杂物浓度。