公开(公告)号：CN113615319B

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN201980094717.8

申请日：2019-03-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  三轮昌彦 ,  山中雅贵 ,  孙屹 ,  神崎庸辅

IPC: H10K59/12 ,  H10K59/131 ,  H10K59/121 ,  G09F9/30 ,  H05B33/06 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12

Abstract: 设于树脂基板层(15)上的TFT层(17)具有第一无机绝缘膜(24)、设于第一无机绝缘膜上的第二无机绝缘膜(36)以及设于第二无机绝缘膜上的引出布线(7)，在边框区域(F)的折弯部(B)中，设于TFT层中的狭缝(81)由形成于第一无机绝缘膜第一狭缝(83)和第二狭缝(85)构成，在第二狭缝的内侧沿第一狭缝的宽度方向的两侧设置的段部(91)设有岛状的凸部(93)，引出布线覆盖凸部的周端面，并且具有使凸部的上表面露出的开口(97)。

公开(公告)号：CN115836588A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202080102992.2

申请日：2020-07-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  山中雅贵 ,  孙屹

IPC: H05B33/22

Abstract: 一种显示装置(50a)，其在显示区域的内部，非显示区域(N)呈岛状设置，在非显示区域(N)形成有在基底基板(10)的厚度方向上贯通的贯通孔(H)，在非显示区域(N)以包围贯通孔(H)的方式设置有分离壁(Ea)，分离壁(Ea)具备：壁基部(19da)，其与平坦化膜(19a)由同一材料设置在同一层，并呈框状设置；以及壁上部(20ba)，其以从显示区域侧向贯通孔(H)侧突出的方式呈檐状设置在壁基部(19da)上，并与无机绝缘膜(20a)由同一材料形成在同一层。

公开(公告)号：CN114930435A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202080091528.8

申请日：2020-01-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  山中雅贵 ,  孙屹 ,  三轮昌彦

IPC: G09F9/30

Abstract: 本发明涉及一种显示装置，其具备树脂基板层(10)及设置在树脂基板层(10)上的第一无机绝缘膜(1a)，在树脂基板层(10)的端部设置有凹口(N)，沿着凹口(N)设置有去除了第一无机绝缘膜(1a)的第一无机绝缘膜去除区域(Sa)。

公开(公告)号：CN112449711A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201880095755.0

申请日：2018-07-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  三轮昌彦 ,  神崎庸辅 ,  孙屹 ,  山中雅贵 ,  金子诚二

IPC: G09F9/00 ,  G09F9/30

Abstract: 在显示区域以及弯折部(B)之间在与弯折部(B)的延伸方向交叉的方向上相互平行地延伸设置的多个第一上层布线(14d),经由形成在第二树脂层(8)以及无机绝缘膜(11、13)上的多个第一接触孔(Ha),分别与在树脂基板(10a)的第一树脂层(6)以及第二树脂层(8)之间在与弯折部(B)的延伸方向交叉的方向上相互平行地延伸且以横穿狭缝(S)的方式设置的多个下层布线(7b)电连接。

公开(公告)号：CN111819614A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201880091027.2

申请日：2018-03-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  金子诚二 ,  神崎庸辅 ,  三轮昌彦 ,  山中雅贵 ,  孙屹

IPC: G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H05B33/02 ,  H05B33/06 ,  H05B33/22

Abstract: 第一配线(18h)和第二配线(18i)延伸设置到从狭缝(S)露出的树脂基板的上表面，第一平坦化膜(8)在狭缝的内部，以在第一配线(18h)和第二配线(18i)延伸设置的部分之间使树脂基板的上表面露出的方式设置，第一配线(18h)和第二配线(18i)经由设置在第一平坦化膜(8)的端面和树脂基板的上表面之间的第三配线(18j)电连接。

公开(公告)号：CN111149146A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201780095251.4

申请日：2017-09-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  山中雅贵 ,  神崎庸辅 ,  三轮昌彦 ,  金子诚二

IPC: G09F9/30 ,  G09F9/00

Abstract: 在边框区域(F)的弯折部(B)处，在构成TFT层的至少一层的无机绝缘膜中形成贯穿该无机绝缘膜而使树脂基板(10)的上表面露出的开口部(A)，边框配线(12ea)设置在从开口部(A)露出的树脂基板(10)上，构成TFT层的至少一层的无机绝缘膜中的与树脂基板(10)的上表面接触的无机绝缘膜由氮氧化硅膜形成。

公开(公告)号：CN110832626A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201780092572.9

申请日：2017-06-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  山中雅贵 ,  神崎庸辅 ,  金子诚二 ,  三轮昌彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 柔性有机EL显示装置包括藉由电子背散射衍射法的硅的结晶方位对齐于001面的程度为3以上的多晶硅层(15)。

公开(公告)号：CN110313057A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201780086931.X

申请日：2017-02-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  三轮昌彦 ,  山中雅贵 ,  金子诚二

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 在栅极电极形成工序中，在覆盖岛状的半导体层(16)的栅极绝缘膜(17)上形成成为TFT(7)的栅极电极(18)的金属膜，通过对该金属膜进行干式蚀刻而形成栅极电极(18)，并对露出的栅极电极(18)实施使用氧或氮的等离子体处理。从而，能够在抑制生产效率下降的同时，防止形成针状结晶或粒状结晶。

公开(公告)号：CN105981148B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201580007934.0

申请日：2015-02-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神崎庸辅 ,  金子诚二 ,  齐藤贵翁 ,  高丸泰 ,  井手启介

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/318 ,  H01L29/786

Abstract: 半导体器件(100A)包括：基板(11)；由基板支承且具有氧化物半导体层(16)的TFT(10A)；以覆盖TFT的方式设置的有机绝缘层(24)；设置在有机绝缘层上的下层电极(32)；设置在下层电极上的电介质层(34)；和设置在电介质层上且具有隔着电介质层与下层电极相对的部分的上层电极(36)。电介质层是氢含量为5.33×1021个/cm3以下的硅氮化物膜。

公开(公告)号：CN108352138A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680061839.3

申请日：2016-11-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  中泽淳 ,  伊东一笃 ,  金子诚二

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333

Abstract: 阵列基板11b包括：多个输入端子部28；第一层间绝缘膜19以及第一平坦化膜20，使第一层间绝缘膜端部19a以及第一平坦化膜端部20a配设于多个输入端子部28与显示区域AA之间；多个端子布线部29，配设于第一层间绝缘膜19以及第一平坦化膜20的上层侧而跨越第一层间绝缘膜端部19a以及第一平坦化膜端部20a并且与多个输入端子部28连接；第二平坦化膜22，其配设于多个端子布线部29的上层侧且第二平坦化膜端部22a配设于比第一层间绝缘膜端部19a以及第一平坦化膜端部20a靠输入端子部28侧；以及多个保护部30，配设于第二平坦化膜22的上层侧而分别覆盖多个端子布线部29中的与第二平坦化膜22非重叠的部分。