-
公开(公告)号：CN113162613B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202110581803.0
申请日：2021-05-24
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及模拟集成电路技术领域，提供一种应用于图像传感器锁相环的线性相位误差比较器，包括：斜坡发生器和控制信号生成电路；所述控制信号生成电路，用于对输入参考时钟信号和输出时钟信号进行采样和比较，生成包含有相位差信息的控制信号，用于斜坡发生器的充放电控制；所述斜坡发生器，包括：基准电流源、电压跟随器、第一电容、基准电压源、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管、第九PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管。本发明能够实现线性的，连续的相位误差比较，降低相位误差比较器的量化噪声，实现低噪声锁相环。
-
公开(公告)号：CN113162613A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110581803.0
申请日：2021-05-24
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及模拟集成电路技术领域，提供一种应用于图像传感器锁相环的线性相位误差比较器，包括：斜坡发生器和控制信号生成电路；所述控制信号生成电路，用于对输入参考时钟信号和输出时钟信号进行采样和比较，生成包含有相位差信息的控制信号，用于斜坡发生器的充放电控制；所述斜坡发生器，包括：基准电流源、电压跟随器、第一电容、基准电压源、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第六PMOS晶体管、第七PMOS晶体管、第八PMOS晶体管、第九PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管。本发明能够实现线性的，连续的相位误差比较，降低相位误差比较器的量化噪声，实现低噪声锁相环。
-
公开(公告)号：CN113552793A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110841898.5
申请日：2021-07-26
Applicant: 大连理工大学
IPC: G04F10/00
Abstract: 本发明提供一种自校准的高精度数字时间转换电路。本发明包括：数字模拟转换器DAC、电容阵列、由多个开关组成的开关阵列及反相器；数字模拟转换器DAC连接电容阵列；电容阵列与反相器相连；反相器连接输出端；数字模拟转换器DAC、电容阵列、反相器及接地端分别设有开关；电容阵列，包括固定容值电容cap和可变容值电容cap＿vary；数字模拟转换器DAC根据输入的代表时间延迟的数字控制字对电容阵列进行充电，并将基准电流源的电流变化反馈给可变电容cap＿vary，从而对电容阵列的电容值进行补偿校准；反相器根据补偿校准后的电容阵列的电容值输出时钟信号。解决了现有技术中，基准电流受温度、工艺、电压变化的影响，导致输出时钟信号发生越位偏移的技术问题。
-
公开(公告)号：CN113552793B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110841898.5
申请日：2021-07-26
Applicant: 大连理工大学
IPC: G04F10/00
Abstract: 本发明提供一种自校准的高精度数字时间转换电路。本发明包括：数字模拟转换器DAC、电容阵列、由多个开关组成的开关阵列及反相器；数字模拟转换器DAC连接电容阵列；电容阵列与反相器相连；反相器连接输出端；数字模拟转换器DAC、电容阵列、反相器及接地端分别设有开关；电容阵列，包括固定容值电容cap和可变容值电容cap＿vary；数字模拟转换器DAC根据输入的代表时间延迟的数字控制字对电容阵列进行充电，并将基准电流源的电流变化反馈给可变电容cap＿vary，从而对电容阵列的电容值进行补偿校准；反相器根据补偿校准后的电容阵列的电容值输出时钟信号。解决了现有技术中，基准电流受温度、工艺、电压变化的影响，导致输出时钟信号发生越位偏移的技术问题。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.03 seconds)
