公开(公告)号：CN105706243B

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201480060668.3

申请日：2014-11-10

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 高田真宏 ,  田中淳 ,  铃木真之

IPC: H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物半导体膜及具备金属氧化物半导体膜的设备，所述金属氧化物半导体膜至少含有铟作为金属成分，在将膜中的铟浓度设为DI(atoms/cm3)，且将膜中的氢浓度设为DH(atoms/cm3)时，满足以下关系式(1)：0.1≤DH/DI≤1.8 (1)。

公开(公告)号：CN103688364B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201280035996.9

申请日：2012-06-19

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 小野雅司 ,  高田真宏 ,  望月文彦 ,  田中淳 ,  铃木真之

IPC: H01L29/786 ,  G01T1/24 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14659 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/148 ,  H01L27/156 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种场效晶体管的制造方法。所述场效晶体管的制造方法包括：在配置于栅极上的栅极绝缘层上，使第一氧化物半导体膜成膜；使第二氧化物半导体膜成膜，第二氧化物半导体膜的阳离子组成与第一氧化物半导体膜的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜低的导电率；在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；使第三氧化物半导体膜成膜，第三氧化物半导体膜的阳离子组成与第一氧化物半导体膜的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜低的导电率；在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；以及在第三氧化物半导体膜上形成源极及漏极。

公开(公告)号：CN102082170B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201010255843.8

申请日：2010-08-16

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 滨威史 ,  铃木真之 ,  田中淳 ,  望月文彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明提供一种非晶态氧化物半导体材料，场效应晶体管和显示装置。所述非晶态氧化物半导体材料包含含有In、Ga和Zn的非晶态氧化物半导体，其中当In∶Ga∶Zn＝a∶b∶c表示所述氧化物半导体的元素组成比时，所述元素组成比由下列范围限定：a+b＝2，并且b＜2，并且c＜4b-3.2，并且c＞-5b+8，并且1≤c≤2。

公开(公告)号：CN103608906A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280029028.7

申请日：2012-06-08

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 梅田贤一 ,  田中淳 ,  铃木真之 ,  下田达也

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02628 ,  H01L22/10 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14698 ,  H01L29/78693 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 非晶质氧化物薄膜的制造方法包括以下步骤：前处理步骤，对包含有机成分及In的第一氧化物前驱物膜，在小于所述有机成分的热分解温度的温度下使所述有机成分的键结状态选择性地变化，而获得第二氧化物前驱物膜，所述第二氧化物前驱物膜在以傅立叶变换型红外光谱法进行测定时所获得的红外线吸收光谱中，将红外线的波数1380cm-1以上、1520cm-1以下的范围分割为红外线的波数1380cm-1以上、1450cm-1以下的范围与红外线的波数超过1450cm-1且1520cm-1以下的范围时，位于红外线的波数1380cm-1以上、1450cm-1以下的范围内的峰值在红外线的波数1350cm-1以上、1750cm-1以下的范围内的红外线吸收光谱中显示最大值；以及后处理步骤，将残存于所述第二氧化物前驱物膜中的所述有机成分去除，使所述第二氧化物前驱物膜转变为包含所述In的非晶质氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN102403361A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110265137.6

申请日：2011-09-08

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 小野雅司 ,  高田真宏 ,  田中淳 ,  铃木真之

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明提供一种可以在低温下制作、并显示出高场效应迁移率的薄膜晶体管。本发明是具备包含氧化物半导体层的活性层的薄膜晶体管，活性层(12)从栅电极侧起沿膜厚方向包含具有第一电子亲和力χ1的第一区域A1和具有小于第一电子亲和力χ1的第二电子亲和力χ2的第二区域A2，并且形成以第一区域A1作为阱层、以第二区域A2和栅绝缘膜(15)作为势垒层的阱型势。这里，将活性层(12)设为包含由a(In2O3)·b(Ga2O3)·c(ZnO)构成的氧化物半导体层，使第二区域A2的b/(a+b)大于第一区域A1的b/(a+b)。

公开(公告)号：CN101931009A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010209348.3

申请日：2010-06-21

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 梅田贤一 ,  铃木真之 ,  田中淳 ,  奈良裕树

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02675 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明公开薄膜晶体管和制备薄膜晶体管的方法。本发明提供一种包含活性层的薄膜晶体管，所述活性层包含IGZO基氧化物材料，所述IGZO基氧化物材料由组成式In2-xGaxZnO4-δ表示，其中0.75＜x＜1.10并且0＜δ≤1.29161×exp(-x/0.11802)+0.00153，并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe2O4的晶体结构的IGZO的单相形成，以及提供一种制备所述薄膜晶体管的方法。

公开(公告)号：CN101930805A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN201010209336.0

申请日：2010-06-21

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 梅田贤一 ,  铃木真之 ,  田中淳

IPC: H01B1/08 ,  H01B13/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C01G15/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  C30B29/22 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664

Abstract: 本发明提供IGZO基氧化物材料和制备IGZO基氧化物材料的方法，所述IGZO基氧化物材料由组成式In2-xGaxZnO4-δ表示，其中0.75＜x＜1.10并且0＜δ≤1.29161×exp（-x/0.11802)+0.00153，并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe2O4的晶体结构的IGZO的单相形成。

公开(公告)号：CN103608906B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201280029028.7

申请日：2012-06-08

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 梅田贤一 ,  田中淳 ,  铃木真之 ,  下田达也

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02628 ,  H01L22/10 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14698 ,  H01L29/78693 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种非晶质氧化物薄膜的制造方法及薄膜晶体管，所述非晶质氧化物薄膜的制造方法包括以下步骤：前处理步骤，对包含有机成分及In的第一氧化物前驱物膜，在小于所述有机成分的热分解温度的温度下使所述有机成分的键结状态选择性地变化，而获得特定的第二氧化物前驱物膜；以及后处理步骤，将残存于所述第二氧化物前驱物膜中的所述有机成分去除，使所述第二氧化物前驱物膜转变为包含所述In的非晶质氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN103733345B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280038731.4

申请日：2012-07-09

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 小野雅司 ,  高田真宏 ,  田中淳 ,  铃木真之

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14659 ,  H01L27/3234 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

Abstract: 一种薄膜晶体管及其制造方法、显示装置、图像传感器、X射线传感器以及X射线数字摄影装置，晶体管具有：栅极电极；与栅极电极相接触的栅极绝缘膜；氧化物半导体层，包含第1区域和第2区域，且经由栅极绝缘膜而与栅极电极对向配置，第1区域以In(a)Ga(b)Zn(c)O(d)(0 0，0 0)表示，第2区域以In(p)Ga(q)Zn(r)O(s)(q/(p+q)>0.250，p>0，q>0，r>O，s>0)表示，且与第1区域相比位于相对于栅极电极较远的位置；源极电极和漏极电极，经由氧化物半导体层可以导通。

公开(公告)号：CN105706243A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201480060668.3

申请日：2014-11-10

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 高田真宏 ,  田中淳 ,  铃木真之

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14658 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物半导体膜及具备金属氧化物半导体膜的设备，所述金属氧化物半导体膜至少含有铟作为金属成分，在将膜中的铟浓度设为DI(atoms/cm3)，且将膜中的氢浓度设为DH(atoms/cm3)时，满足以下关系式(1)：0.1≤DH/DI≤1.8 (1)。