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公开(公告)号：CN101322074B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200680045563.6
申请日：2006-12-01
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02126 , G03F7/0752 , G03F7/11 , H01L21/02282 , H01L21/0273 , H01L21/312
Abstract: 本发明的课题在于提供一种下层膜和用于形成该下层膜的形成下层膜的组合物，所述下层膜在半导体器件制造的光刻工序中在光致抗蚀剂的下层使用的，根据蚀刻气体的种类而具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度，不发生与光致抗蚀剂的混合，且能够使具有纵横比大的孔的半导体基板的表面平坦化。本发明通过提供下述形成下层膜的组合物而解决了上述课题，即，一种形成下层膜的组合物，其是用于在半导体器件制造的光刻工序中通过光照射形成在光致抗蚀剂的下层使用的下层膜的组合物，含有聚合性化合物(A)、光聚合引发剂(B)和溶剂(C)，所述聚合性化合物(A)含有5～45质量％的硅原子。
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公开(公告)号：CN100367111C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN01812504.2
申请日：2001-07-12
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08L25/18 , C08L33/04 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/094 , C08L25/18 , C09D125/18 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 本发明提供一种形成填隙材料的组合物，作为在具有孔或沟等凹凸的基板上的平坦化性优良、不会与抗蚀剂层发生混合、与抗蚀剂相比具有较大干式蚀刻速度的平版印刷用填隙材料，用于采用下述方法制造半导体装置，即在具有用高度/直径表示的高宽比为1以上的孔的基板上被覆抗蚀剂，利用平版印刷工艺，在基板上复制图像，所述组合物在被覆抗蚀剂前的该基板上被覆，使基板表面平坦，其中含有由聚合物和溶剂构成的聚合物溶液。
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公开(公告)号：CN101048705A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200580037032.8
申请日：2005-10-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L21/312 , H01L21/76808 , Y10S430/111 , Y10S430/115
Abstract: 本发明的课题在于提供，在制造半导体器件的光刻工艺中使用的，具有比光致抗蚀剂大的干蚀刻速度，不发生与光致抗蚀剂的混合，用于形成在半导体基板上的孔填充性优异的下层膜的形成光刻用下层膜组合物。本发明的形成光刻用下层膜的组合物，含有环糊精的羟基总数的10％～90％变为醚基或酯基的环糊精化合物、交联性化合物、交联催化剂和溶剂。
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公开(公告)号：CN1564968A
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN02819915.4
申请日：2002-10-04
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , C08G59/14
CPC classification number: C08L63/00 , C08G59/1455 , C08G59/18 , C08G59/3254 , C08G2650/56 , C08L33/00 , C08L71/00 , C09D161/06 , G03F7/091 , H01L21/0276 , Y10T428/31511 , Y10T428/31855 , C08L2666/02 , C08L2666/04
Abstract: 本发明涉及在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成防反射膜的组合物，该组合物含有具有5000或其以下重均分子量的聚合物(A)，和具有20000或其以上的重均分子量的聚合物(B)。该组合物提供在有孔和沟槽的凹凸不平的基板上的段差被覆性优异，防反射光效果高，而且不发生与抗蚀剂层的混和，可以得到优异的抗蚀剂图案，具有比抗蚀剂更大的干蚀刻速度的光刻用防反射膜。
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公开(公告)号：CN101790704B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200880104686.1
申请日：2008-08-26
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/11 , C08G77/60 , C09D183/16 , G03F7/0752
Abstract: 本发明的目的在于得到一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其可以进行均匀涂布，并且抑制热固化时升华物的产生。进一步的目的在于，得到一种用于形成相对于上层抗蚀剂、具有较大的干蚀刻选择比的抗蚀剂下层膜的组合物。本发明提供了一种光刻用形成抗蚀剂下层膜的组合物，含有聚硅烷化合物和有机溶剂，所述聚硅烷化合物具有下述式(1)所示的结构单元，式中，R1和R2分别独立地表示-X-Y所示的基团，或R1和R2中的一者表示所述-X-Y所示的基团，另一者表示芳基、甲基、乙基或碳原子数3～6的环状烷基，其中，X表示氧原子、碳原子数1～18的亚烷基或-OCnH2n-(式中，n表示1～18的整数。)，Y表示内酯环或金刚烷环。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1977220B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200580021444.2
申请日：2005-06-24
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F12/14 , C08F216/06 , C08F216/14 , C08F220/28 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/094 , C08F220/28 , C08F220/32 , G03F7/091 , G03F7/11
Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成光刻用下层膜的组合物，并提供一种下层膜，其具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成光刻用下层膜的组合物，其含有：在构成聚合物的单元结构中、具有摩尔比0.3以上的含有被卤原子取代的萘环的单元结构的聚合物，和溶剂。
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公开(公告)号：CN101790704A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200880104686.1
申请日：2008-08-26
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/11 , C08G77/60 , C09D183/16 , G03F7/0752
Abstract: 本发明的目的在于得到一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其可以进行均匀涂布，并且抑制热固化时升华物的产生。进一步的目的在于，得到一种用于形成相对于上层抗蚀剂、具有较大的干蚀刻选择比的抗蚀剂下层膜的组合物。本发明提供了一种光刻用形成抗蚀剂下层膜的组合物，含有聚硅烷化合物和有机溶剂，所述聚硅烷化合物具有下述式(1)所示的结构单元，式中，R1和R2分别独立地表示-X-Y所示的基团，或R1和R2中的一者表示所述-X-Y所示的基团，另一者表示芳基、甲基、乙基或碳原子数3～6的环状烷基，其中，X表示氧原子、碳原子数1～18的亚烷基或-OCnH2n-(式中，n表示1～18的整数。)，Y表示内酯环或金刚烷环。
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公开(公告)号：CN101164014A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680013280.3
申请日：2006-04-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/161 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体装置制造的光刻工艺中的光致抗蚀剂的下层使用的、具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合，且可以使具有大纵横比的孔的半导体基板的表面平坦化的下层膜，以及用于形成该下层膜的下层膜形成组合物，本发明是一种用于通过光照射来形成光致抗蚀剂的下层膜的组合物，是含有聚合性物质和光聚合引发剂的下层膜形成组合物。
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公开(公告)号：CN1732410A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200380107353.1
申请日：2003-12-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , H01L21/30
CPC classification number: H01L21/02118 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/0274 , H01L21/31058 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L21/312 , H01L21/76224 , H01L21/76808
Abstract: 本发明提供在双镶嵌工艺中使用的，有利于提高生产效率的光刻用形成填隙材料的组合物。具体地说涉及一种形成填隙材料的组合物，其特征在于，该组合物用于半导体器件的制造中，所述半导体器件的制造是通过在具有用高度/直径表示的纵横比为大于等于1的孔的基板上被覆光致抗蚀剂，并利用光刻工艺在基板上转印图像的方法进行的，所述形成填隙材料的组合物在被覆光致抗蚀剂前被覆在该基板上，该组合物含有具有羟基或羧基的聚合物和交联剂。由该形成填隙材料的组合物获得的填隙材料层可以利用碱水溶液进行回蚀。
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公开(公告)号：CN101506736B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200780031573.9
申请日：2007-08-20
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/091 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的课题是提供一种光刻用形成抗蚀剂下层膜的组合物，该组合物在半导体装置制造的光刻工艺中使用。作为本发明的解决问题的方法是，提供一种在半导体制造装置的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，该组合物含有树脂(A)、液体添加剂(B)和溶剂(C)。该液体添加剂(B)是脂肪族聚醚化合物。该液体添加剂(B)是聚醚多元醇、聚缩水甘油醚或它们的组合。本发明还提供一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：将形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在半导体基板上，然后进行烘烤，从而形成抗蚀剂下层膜的工序；在该下层膜上形成光致抗蚀剂层的工序；将被覆有抗蚀剂下层膜和光致抗蚀剂层的半导体基板进行曝光的工序；以及，曝光之后进行显影的工序。
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