公开(公告)号：CN108028299A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680054272.7

申请日：2016-09-29

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 室尾洋行 ,  山口布士人 ,  木山朋纪 ,  古池润 ,  前川知文

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明提供一种可高成品率地制造尤其相比现有技术具有优异的发光效率的半导体发光元件的半导体膜，以及使用其的半导体发光元件。本发明为在主面的一部分或整个面形成有凹凸结构(20)的光学基材，所述凹凸结构具备有规则的缺齿部。所述凹凸结构包括凸部(21)、凸部间底部(平坦部)(22)和在低于形成于该凸部间底部的主面的位置具有平坦面的凹部(23)(缺齿部)。此外，优选地，所述凸部以平均间距P0进行配置，所述缺齿部配置于正多边形的顶点或连结所述顶点间的所述正多边形的边上，所述正多边形的边长比平均间距P0更长。