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公开(公告)号:CN108028299A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201680054272.7
申请日:2016-09-29
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0243 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种可高成品率地制造尤其相比现有技术具有优异的发光效率的半导体发光元件的半导体膜,以及使用其的半导体发光元件。本发明为在主面的一部分或整个面形成有凹凸结构(20)的光学基材,所述凹凸结构具备有规则的缺齿部。所述凹凸结构包括凸部(21)、凸部间底部(平坦部)(22)和在低于形成于该凸部间底部的主面的位置具有平坦面的凹部(23)(缺齿部)。此外,优选地,所述凸部以平均间距P0进行配置,所述缺齿部配置于正多边形的顶点或连结所述顶点间的所述正多边形的边上,所述正多边形的边长比平均间距P0更长。
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公开(公告)号:CN117157817A
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN202280019760.X
申请日:2022-03-07
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: H01M50/451
Abstract: 提供充电接受性能优异、PSoC下的使用时的减液特性优异、并且在铅蓄电池内不易产生层的剥离、ER良好的铅蓄电池用分隔件以及使用了它们的铅蓄电池。提供一种铅蓄电池用分隔件,其具有基材、和层叠于上述基材的至少单面的导电层。导电层含有连续相和连续相中的分散相,所述连续相由导电性材料形成,所述分散相由选自由标准电极电位为‑0.7V以下的金属、含有上述金属的金属化合物、和它们的组合组成的组中的至少一种低电位金属材料形成。
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公开(公告)号:CN118575352A
公开(公告)日:2024-08-30
申请号:CN202380017633.0
申请日:2023-01-18
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: H01M50/451 , H01M10/08 , H01M50/42 , H01M50/434 , H01M50/446 , H01M50/46 , H01M50/491
Abstract: 本公开目的在于提供一种充电接受性和循环特性优异的铅蓄电池用分隔件和使用其的铅蓄电池。本公开的铅蓄电池用分隔件具有基材、和层叠于上述基材的至少单面的层,上述层包含碳材料,空隙率为7.0%以上且75.0%以下。
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公开(公告)号:CN112005404B
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN201980024101.3
申请日:2019-03-26
Applicant: 旭化成株式会社
Inventor: 木山朋纪
IPC: H01M50/40 , H01M50/414 , H01M50/491 , H01M10/12
Abstract: 提供一种多孔体,其特征在于,其为包含芯鞘型粘结剂纤维和树脂粘结剂的多孔体,相对于多孔体100质量份,以超过5.0质量份且小于50质量份包含树脂粘结剂(固体成分),并且,将多孔体的穿刺强度记作P(N)、将单位面积重量记作B(g/m2)时,满足P/B>0.070。
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