二氧化硅溶液制备方法、研磨液及玻璃基板的制造方法

    公开(公告)号:CN103396763B

    公开(公告)日:2016-04-13

    申请号:CN201310058694.X

    申请日:2013-02-25

    Abstract: 本发明提供二氧化硅溶液制备方法、研磨液及玻璃基板的制造方法。一种二氧化硅溶液制备方法,其为将异物从含有一次粒径为1~80nm的二氧化硅粒子的二氧化硅溶液中除去的二氧化硅溶液制备方法,其中,对离心加速度G、沉降距离与沉降时间之比h/t和上述溶液的粘度η进行控制,以使被除去的异物的粒径Dp为0.1~1μm;一种研磨液,在磁记录介质用玻璃基板的主平面的研磨中使用,其中,含有通过使被除去的异物的粒径Dp为0.1~1μm的二氧化硅溶液制备方法制备的二氧化硅溶液;以及一种磁记录介质用玻璃基板的制造方法,其中,具有使用该研磨液对主平面进行研磨的工序。

    磁盘用玻璃基板及磁盘
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105590638A

    公开(公告)日:2016-05-18

    申请号:CN201510752153.6

    申请日:2015-11-06

    Abstract: 本发明提供一种对应于高记录密度化的磁盘用玻璃基板及磁盘。所述磁盘用玻璃基板具有主表面,其特征在于,通过原子力显微镜在所述主表面上测定的算术平均粗糙度Ra为0.15nm以下,基于通过原子力显微镜测定的结果,对预定的区域在使角度方向以每次变化1°的方式从0°变化至180°的同时算出各角度方向上的角度方向算术平均粗糙度Ra_deg,在将所述算出的角度方向算术平均粗糙度Ra_deg中的最大值设为角度方向算术平均粗糙度最大值Ra_deg_max、且将最小值设为角度方向算术平均粗糙度最小值Ra_deg_min的情况下,(Ra_deg_max)/(Ra_deg_min)的值为2.6以下,由此解决了上述课题。

    二氧化硅溶液制备方法、研磨液及玻璃基板的制造方法

    公开(公告)号:CN103396763A

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201310058694.X

    申请日:2013-02-25

    Abstract: 本发明提供二氧化硅溶液制备方法、研磨液及玻璃基板的制造方法。一种二氧化硅溶液制备方法,其为将异物从含有一次粒径为1~80nm的二氧化硅粒子的二氧化硅溶液中除去的二氧化硅溶液制备方法,其中,对离心加速度G、沉降距离与沉降时间之比h/t和上述溶液的粘度η进行控制,以使被除去的异物的粒径Dp为0.1~1μm;一种研磨液,在磁记录介质用玻璃基板的主平面的研磨中使用,其中,含有通过使被除去的异物的粒径Dp为0.1~1μm的二氧化硅溶液制备方法制备的二氧化硅溶液;以及一种磁记录介质用玻璃基板的制造方法,其中,具有使用该研磨液对主平面进行研磨的工序。

    磁盘用玻璃衬底及其制造方法

    公开(公告)号:CN101745852B

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN200910252335.1

    申请日:2009-12-02

    CPC classification number: G11B5/8404 B24B37/24 B24D3/32

    Abstract: 本发明涉及磁盘用玻璃衬底及其制造方法,所述方法包括:在供应含研磨材料的研磨浆体的同时,对圆形玻璃板的主面进行研磨的步骤,其中在对研磨面进行修整处理之后,使用研磨垫进行研磨,所述研磨垫具有:形成所述研磨面的第一树脂泡沫层,所述第一树脂泡沫层的厚度为400μm以下;和在用于固定所述研磨垫的台板和所述第一树脂泡沫层之间设置的第二树脂泡沫层,所述第二树脂泡沫层的厚度为50~250μm,以及其中所述第一树脂泡沫层和所述第二树脂泡沫层的总厚度为550μm以下,且通过JIS K6253规定的M法测定的所述研磨垫的国际橡胶硬度为40IRHD以上。

    磁记录介质用玻璃基板的制造方法和磁记录介质用玻璃基板

    公开(公告)号:CN102886730A

    公开(公告)日:2013-01-23

    申请号:CN201210253984.5

    申请日:2012-07-20

    Inventor: 志田德仁

    Abstract: 【课题】提供获得磁记录介质用玻璃基板的制造方法,该方法抑制主平面的研磨工序中研磨垫的孔堵塞、降低修整处理的频率,同时使研磨速度稳定化、主平面的平滑性优异、不同批次玻璃基板间板厚的偏差小。【解决方法】所述磁记录介质用玻璃基板的制造方法具有:赋形工序、主平面研磨工序和清洗工序,所述主平面研磨工序具有以5μm以上的研磨量研磨上述玻璃基板的两个主平面的粗研磨工序。其特征在于,上述粗研磨工序中使用含有气泡、在研磨面开口的上述气泡的平均直径为80~300μm,且具有1.1~2.5%的压缩率的研磨垫和含有研磨粒的研磨液研磨主平面。

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