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公开(公告)号：CN113366622A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202080011487.7
申请日：2020-01-28
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/768 , G06F30/20
Abstract: 在此提供了用于优化特征填充工艺的系统与方法。该特征填充优化系统与方法可用于从小量的图案化晶片测试来优化特征填充。该系统与方法可用于优化增强的特征填充工艺，其中该增强的特征填充工艺包括有包含抑制和/或蚀刻操作与沉积操作的操作。来自试验的结果可用于校准特征尺度行为模型。一旦被校准了，参数空间可迭代地被探索，以优化该工艺。
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公开(公告)号：CN113366622B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202080011487.7
申请日：2020-01-28
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/768 , G06F30/20
Abstract: 在此提供了用于优化特征填充工艺的系统与方法。该特征填充优化系统与方法可用于从小量的图案化晶片测试来优化特征填充。该系统与方法可用于优化增强的特征填充工艺，其中该增强的特征填充工艺包括有包含抑制和/或蚀刻操作与沉积操作的操作。来自试验的结果可用于校准特征尺度行为模型。一旦被校准了，参数空间可迭代地被探索，以优化该工艺。
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公开(公告)号：CN114586035A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202080074050.8
申请日：2020-10-22
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 卡皮尔·优曼许·萨维拉尼 , 阿塔施·巴苏 , 大卫·迈克尔·弗拉德 , 米卡尔·达内克 , 埃米莉·安·奥尔登
IPC: G06F30/27 , G06N20/00 , H01L21/768 , G06F119/18
Abstract: 提出了使用机器学习(ML)来确定用于制造半导体的制程以加速制程的定义的方法、系统和计算机程序。一个一般方面包括一种方法，该方法包括用于执行用于处理部件的实验的操作，每个实验由识别用于制造设备的参数的一组制程中的一个制程控制。该方法还包括用于执行虚拟模拟以处理部件的操作，每个模拟由该组制程中的一个制程控制。通过使用实验结果和来自虚拟模拟的虚拟结果训练ML算法以获得ML模型。该方法还包括用于接收对部件的期望处理的规范，以及通过ML模型创建用于根据规范处理部件的新制程的操作。
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