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公开(公告)号:CN113302478B
公开(公告)日:2025-01-07
申请号:CN202080008796.9
申请日:2020-01-10
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: G01N21/95 , G06F18/241 , G01N21/88 , G06N3/0464 , G06N3/09 , G06F18/243
Abstract: 可利用计算缺陷分析系统对包含电子组件的衬底上的缺陷进行分类,该计算缺陷分析系统可以多个阶段实现。例如,第一阶段分类引擎可处理计量数据以产生缺陷的初始分类。第二阶段分类引擎可利用该初始分类、以及制造信息和/或先验缺陷知识,以输出由一或更多个潜在来源造成缺陷的概率。
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公开(公告)号:CN119256393A
公开(公告)日:2025-01-03
申请号:CN202380040317.5
申请日:2023-05-11
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 卡皮尔·索拉尼 , 保罗·弗兰岑 , 布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯
Abstract: 公开了涉及虚拟半导体厂环境的示例。一示例提供监控方法,其监控在处理工具中衬底上执行的工艺。方法包括在处理工具中运行工艺时从处理工具的传感器获得运行时间数据。方法还包括使用运行时间数据和工艺配方,通过模拟数字孪生来执行运行时间模拟。方法还包括在处理工具的数字孪生内接收空间视点的选择。方法还包括使用运行时间模拟和空间视点来渲染处理工具的虚拟状态的图像,以及输出虚拟状态的图像。
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公开(公告)号:CN113366622A
公开(公告)日:2021-09-07
申请号:CN202080011487.7
申请日:2020-01-28
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/768 , G06F30/20
Abstract: 在此提供了用于优化特征填充工艺的系统与方法。该特征填充优化系统与方法可用于从小量的图案化晶片测试来优化特征填充。该系统与方法可用于优化增强的特征填充工艺,其中该增强的特征填充工艺包括有包含抑制和/或蚀刻操作与沉积操作的操作。来自试验的结果可用于校准特征尺度行为模型。一旦被校准了,参数空间可迭代地被探索,以优化该工艺。
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公开(公告)号:CN118339642A
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202280072590.1
申请日:2022-10-27
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 卡尔·弗雷德里克·利瑟 , 迈克尔·达内克 , 本杰明·艾伦·哈斯凯尔 , 卡普·瑟里什·雷迪 , 保罗·弗兰岑 , 崎山行则 , 卡皮尔·索拉尼
Abstract: 例如相机传感器之类的多像素传感器可被配置成捕获处理室或其他制造工具的内部的二维和/或三维图像。这些传感器可被配置成在室中处理衬底之前、期间和/或之后从这样的处理室内部捕获经像素化的电磁辐射强度信息。这样的传感器也可用于控制、预测和/或诊断应用。
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公开(公告)号:CN115803858A
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202180044620.3
申请日:2021-11-09
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 本文中的各种实施方式涉及用于半导体制造设备的预测性维护系统和方法。在一些实施方式中,预测性维护系统包括处理器,该处理器被配置成:接收指示对应于进行制造工艺的制造设备的历史操作条件和历史制造信息的离线数据;通过使用将离线数据作为输入的训练模型来计算预测设备健康状态信息;接收指示制造设备的当前操作条件的实时数据;通过使用将实时数据作为输入的训练模型来计算估计设备健康状态信息;通过结合预测设备健康状态信息和估计设备健康状态信息来计算调整设备健康状态信息;以及呈现包括制造设备的至少一个部件的预期剩余使用寿命(RUL)的调整设备健康状态信息。
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公开(公告)号:CN109698144A
公开(公告)日:2019-04-30
申请号:CN201811223497.8
申请日:2018-10-19
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 本发明涉及使用计算机视觉系统的原位室清洁终点检测系统和方法。一种系统包括安装在处理室的窗外部并邻近所述窗的相机,所述处理室被配置成处理半导体衬底。所述窗使得所述相机能观察到所述处理室内的部件。所述相机被配置为于在正在所述处理室内执行的处理期间生成指示所述部件的状态的视频信号。该系统还包括耦合到所述处理室上的控制器。该控制器被配置成:控制所述相机;处理来自所述相机的所述视频信号;根据对所述视频信号的所述处理确定所述部件的状态;以及根据所述部件的所述状态确定是否终止所述处理。
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公开(公告)号:CN119948204A
公开(公告)日:2025-05-06
申请号:CN202380068885.6
申请日:2023-09-20
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 卡皮尔·索拉尼 , 保罗·弗兰岑 , 帕吉·约翰·埃尔斯沃思·马汀
IPC: C23C16/52 , C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 本文提供了用于处理室中的沉积控制的方法、系统和介质。在一些实施方案中,一种方法包括(a)获得当前时间点的信息,该信息指示在对一或更多晶片执行沉积处理期间的该处理室的一个或更多部件的状态。该方法可以包括(b)通过将基于该已获得的信息的输入提供至被配置以确定将调整作为输出的经训练的机器学习模型,从而确定是否对该处理室的一个或更多控制部件进行调整,其中对于该一或更多控制部件的这些调整造成该沉积处理中的变化。该方法可以包括(c)将指令传输至该处理室的控制器而驱使对于该一或更多控制部件的这些调整被实现。
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公开(公告)号:CN119856266A
公开(公告)日:2025-04-18
申请号:CN202380063958.2
申请日:2023-08-29
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 提供用于半导体设备的状态的多传感器确定的方法和装置。在本文公开的一些实施方案中,半导体制造设备可以包括:多个传感器,其包括设置于该半导体制造周围的一个或更多个空间传感器、一个或更多个光谱传感器、以及一个或更多个时间传感器;以及控制器,其可通信耦合到多个传感器,控制器被配置为使得:从多个传感器确定信号组,以在由半导体制造设备执行的工艺期间进行监控;在工艺期间,从多个传感器获得与信号组相关的测量结果;以及基于从与信号组相关的测量结果所产生的数据的组合来确定半导体制造设备的状态的指示。
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公开(公告)号:CN113366622B
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202080011487.7
申请日:2020-01-28
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/768 , G06F30/20
Abstract: 在此提供了用于优化特征填充工艺的系统与方法。该特征填充优化系统与方法可用于从小量的图案化晶片测试来优化特征填充。该系统与方法可用于优化增强的特征填充工艺,其中该增强的特征填充工艺包括有包含抑制和/或蚀刻操作与沉积操作的操作。来自试验的结果可用于校准特征尺度行为模型。一旦被校准了,参数空间可迭代地被探索,以优化该工艺。
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公开(公告)号:CN117897795A
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202280059469.5
申请日:2022-07-01
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor: 迈克尔·达内克 , 本杰明·艾伦·哈斯凯尔 , 卡普·瑟里什·雷迪 , 大卫·巴特 , 布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯 , 保罗·弗兰岑 , 卡尔·弗雷德里克·利瑟 , 詹尼弗·利·佩特拉利亚 , 崎山行则 , 卡皮尔·索拉尼
Abstract: 诸如相机传感器之类的多像素传感器可以被配置为捕获处理室或其他制造工具的内部的二维和/或三维图像。传感器可以被配置成在处理这种处理室中的衬底之前、期间和/或之后从这种处理室的内部捕获像素化的电磁辐射强度信息。此类传感器还可用于控制、预测和/或诊断应用。
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