虚拟半导体晶片厂环境
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119256393A

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202380040317.5

    申请日:2023-05-11

    Abstract: 公开了涉及虚拟半导体厂环境的示例。一示例提供监控方法,其监控在处理工具中衬底上执行的工艺。方法包括在处理工具中运行工艺时从处理工具的传感器获得运行时间数据。方法还包括使用运行时间数据和工艺配方,通过模拟数字孪生来执行运行时间模拟。方法还包括在处理工具的数字孪生内接收空间视点的选择。方法还包括使用运行时间模拟和空间视点来渲染处理工具的虚拟状态的图像,以及输出虚拟状态的图像。

    半导体制造设备的预测性维护
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115803858A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202180044620.3

    申请日:2021-11-09

    Abstract: 本文中的各种实施方式涉及用于半导体制造设备的预测性维护系统和方法。在一些实施方式中,预测性维护系统包括处理器,该处理器被配置成:接收指示对应于进行制造工艺的制造设备的历史操作条件和历史制造信息的离线数据;通过使用将离线数据作为输入的训练模型来计算预测设备健康状态信息;接收指示制造设备的当前操作条件的实时数据;通过使用将实时数据作为输入的训练模型来计算估计设备健康状态信息;通过结合预测设备健康状态信息和估计设备健康状态信息来计算调整设备健康状态信息;以及呈现包括制造设备的至少一个部件的预期剩余使用寿命(RUL)的调整设备健康状态信息。

    处理室部件的自动化控制
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119948204A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202380068885.6

    申请日:2023-09-20

    Abstract: 本文提供了用于处理室中的沉积控制的方法、系统和介质。在一些实施方案中,一种方法包括(a)获得当前时间点的信息,该信息指示在对一或更多晶片执行沉积处理期间的该处理室的一个或更多部件的状态。该方法可以包括(b)通过将基于该已获得的信息的输入提供至被配置以确定将调整作为输出的经训练的机器学习模型,从而确定是否对该处理室的一个或更多控制部件进行调整,其中对于该一或更多控制部件的这些调整造成该沉积处理中的变化。该方法可以包括(c)将指令传输至该处理室的控制器而驱使对于该一或更多控制部件的这些调整被实现。

    半导体设备的状态的多传感器确定

    公开(公告)号:CN119856266A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202380063958.2

    申请日:2023-08-29

    Abstract: 提供用于半导体设备的状态的多传感器确定的方法和装置。在本文公开的一些实施方案中,半导体制造设备可以包括:多个传感器,其包括设置于该半导体制造周围的一个或更多个空间传感器、一个或更多个光谱传感器、以及一个或更多个时间传感器;以及控制器,其可通信耦合到多个传感器,控制器被配置为使得:从多个传感器确定信号组,以在由半导体制造设备执行的工艺期间进行监控;在工艺期间,从多个传感器获得与信号组相关的测量结果;以及基于从与信号组相关的测量结果所产生的数据的组合来确定半导体制造设备的状态的指示。

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