-
公开(公告)号：CN118302849A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202280077579.4
申请日：2022-11-21
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/687 , H01J37/32
Abstract: 本文公开了一种具有流导特征的改良式边缘环。边缘环的流导特征为添加至边缘环的特征，其可调整在边缘环局部区域中流动的气体的流导。流导特征可以调整流导以补偿半导体晶片上、边缘环上以及室中可能影响局部区域中的气体流动的特征。取决于所需效果，流导可以增加、降低或进行调整。
-
公开(公告)号：CN109216205B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810708233.5
申请日：2018-07-02
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及氮化钨阻挡层沉积，具体提供了氮化钨(WN)沉积的方法。还提供了用于钨(W)触点与锗化硅(SiGe)层的叠层以及用于形成它们的方法。叠层包括SiGe/硅化钨(WSix)/WN/W层，其中WSix提供SiGe和WN层之间的欧姆接触。还提供了在使用六氟化钨(WF6)沉积含W膜中减少氟(F)对下层的侵蚀的方法。还提供了执行这些方法的装置。
-
-
公开(公告)号：CN112534563A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980051947.6
申请日：2019-06-14
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 用于衬底处理系统的排放系统包含：自由基产生器，其构造成接收包含卤素物质的气体混合物并产生卤素自由基；第一泵，其从处理室的排放出口抽出废气；以及第一阀，其被构造成选择性地将自由基产生器的出口流体地连接到处理室的出口下游的第一泵。
-
公开(公告)号：CN112204725A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201980036351.9
申请日：2019-04-19
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿南德·查德拉什卡 , 埃里克·H·伦茨 , 伦纳德·韦·丰·许 , 杰弗里·查尔斯·克莱文杰 , 河仁守
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/02
Abstract: 本文提供了用于控制半导体晶片的边缘区域处的处理均匀度的方法和设备。在一些实施方案中，这些方法包含使边缘区域暴露于诸如蚀刻气体及/或抑制气体之类的处理气体。本文还提供了包括多个环件的排除环组件，其可实施以提供对在晶片边缘处的处理环境的控制。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107845572A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710766255.2
申请日：2017-08-30
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 阿南德·查德拉什卡 , 玛德乎·桑托什·库玛·穆特亚拉
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/32136 , C23C16/045 , C23C16/14 , C23C16/505 , C23C16/52 , C23F4/00 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01L21/76883 , H01L21/306 , H01J37/32009 , H01J37/32192
Abstract: 本发明涉及用于蚀刻金属的连续RF等离子体和脉冲RF等离子体。提供了用于使用含氮蚀刻物气体来蚀刻钨和其它金属或含金属膜的方法。该方法包括将膜暴露于连续波(CW)等离子体，并且在蚀刻操作即将结束时切换到脉冲等离子体。脉冲等离子体具有较低的氮自由基浓度，可以减轻氮化对钨表面的影响。在一些实施方式中，在没有成核延迟的情况下执行在蚀刻表面上的后续沉积。还提供了用于执行所述方法的装置。
-
公开(公告)号：CN118318294A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202280079124.6
申请日：2022-11-30
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 李尚孝 , 阿南德·查德拉什卡 , 凯寒·阿比迪·阿施蒂尼 , 帕特里克·奥古斯特·范克利蒙布特 , 约瑟亚·科林斯 , 劳伦斯·施洛斯 , 桑杰·戈皮纳特 , 高举文
IPC: H01L21/768 , C23C16/34
Abstract: 用金属填充部分制造的半导体衬底的特征的填充方法包含在特征中沉积梯度金属氮化物层。梯度金属氮化物层的厚度和/或氮浓度随着特征深度而减小。在特征的顶部，梯度金属氮化物层可在随后的平坦化过程中作为粘附层。因为梯度金属氮化物层的厚度和/或氮浓度进入特征中进一步降低，所以它在特征的中段以及底部占据较小的体积。这改善了特征中的电阻率。该特征被填充金属。
-
公开(公告)号：CN116508146A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202080102566.9
申请日：2020-07-29
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 劳伦斯·施洛斯 , 阿南德·查德拉什卡 , 高举文 , 斯蒂芬妮·诺艾尔·桑德拉·萨温特-古伯特 , 潘宇
IPC: H01L21/768
Abstract: 本文中提供用于使用氮化钨势垒层形成低电阻率钨的方法及设备。方法涉及在沉积钨成核及块体钨层之前沉积极薄的氮化钨势垒层。方法适用于在3D NAND制造中制造钨字线以及适用于制造DRAM及逻辑制造的含钨组件。设备包含具有多个充注体积的处理站，以靠近于处理腔室的喷头对气体进行加压以处理半导体衬底。
-
公开(公告)号：CN113710830A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202080027971.9
申请日：2020-04-07
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/04 , C23C16/14 , H01L21/768
Abstract: 提供实现非常好的台阶覆盖率的沉积钨成核层的方法。本方法涉及包含一系列的含钨前体与含硼还原剂的交替脉冲，同时氢(H2)与含硼还原剂共流。H2流在含钨前体流之前停止。通过使H2与含硼还原剂共流但不与含钨前体流共流，能减少寄生CVD成分，得到更自限制性的处理。这进而能改善成核层的台阶覆盖率及保形性。还提供相关的装置。
-
公开(公告)号：CN113366622A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202080011487.7
申请日：2020-01-28
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/768 , G06F30/20
Abstract: 在此提供了用于优化特征填充工艺的系统与方法。该特征填充优化系统与方法可用于从小量的图案化晶片测试来优化特征填充。该系统与方法可用于优化增强的特征填充工艺，其中该增强的特征填充工艺包括有包含抑制和/或蚀刻操作与沉积操作的操作。来自试验的结果可用于校准特征尺度行为模型。一旦被校准了，参数空间可迭代地被探索，以优化该工艺。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.029 seconds)
