-
公开(公告)号：CN101166014A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710141398.0
申请日：2007-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03F3/213
Abstract: 一种电力放大器，既避免了电路的复杂化，又使比基本频率宽的频带的二次高频波阻抗控制成为可能。其做法是：使用于输入信号的基本频率的带宽在第一基本频率(F1)到第二基本频率(F2)的宽带的电力放大器用晶体管(102)的输出匹配电路，具有由感应器(108L)和电容器(108C)串联形成的且具有第一基本频率(F1)的两倍频率的共振频率的第一二次高频波串联共振电路(108)，和具有由感应器(109L)和电容器(109C)串联形成的且具有第二基本频率(F2)的两倍频率的共振频率的第二二次高频波串联共振电路(109)。
-
公开(公告)号：CN1612465A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410085040.7
申请日：2004-10-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 前田昌宏
CPC classification number: H03F1/302 , H01L2223/665
Abstract: 一种紧凑和低成本的高频功率放大器，它包括GaAs异质结双极晶体管(HBT)但在传送频带内具有低噪声级。在本发明的高频功率放大器中，芯片电容器在一端经键合线(B1)连接到上游级偏置电路(107)，并在另一端接地。而且，芯片电感器经键合线(B2)连接到高频信号放大HBT 101的基极。在本发明的高频功率放大器中，芯片电容器使在上游级偏置电路(107)内产生的噪声流到地中，由此减小了接收频带中的噪声。而且，芯片电感器减小了由高频信号流到地中引起的高频信号的功率损失。
-
公开(公告)号：CN1160784C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN97109516.7
申请日：1997-03-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K9/0056 , H01L23/3677 , H01L23/66 , H01L2924/0002 , H05K7/20445 , H01L2924/00
Abstract: 一种射频功率放大模块，包括：一辐射部分；一附着到所述辐射部分上的印刷电路板；一用于放大并安装到所述印刷电路板上的半导体器件和一个罩。所述辐射部分包括多个辐射板，所述多个辐射板中的至少一个包括最为最低层的第一辐射板并包括附着到所述第一辐射板上的第二辐射板，所述第一辐射板被耦合到所述罩上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1759481A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200480006662.4
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L29/73 , H01L27/06 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L23/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种晶体管集成电路装置及制造该晶体管集成电路装置的方法，该晶体管集成电路装置减小了电路的集成面积，同时避免由于热失控导致的元件毁坏。阻断电容器(13)由上部电极和下部电极构成，该上部电极由布线金属形成且处于第一层，该下部电极由布线金属形成且处于第二层。偏置电阻器(12)由与阻断电容器(13)的下部电极相同的布线金属形成。该偏置电阻器(12)由制成薄膜的布线金属形成，以用作片电阻器，并且可以根据布线金属的厚度或宽度来随意设定偏置电阻器(12)的电阻值。
-
公开(公告)号：CN1251942A
公开(公告)日：2000-05-03
申请号：CN99121628.8
申请日：1999-10-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L24/85 , H01L23/057 , H01L23/13 , H01L23/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/83 , H01L2223/6644 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48175 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/8319 , H01L2224/83801 , H01L2224/85 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明为一种半导体封装、使用该封装的半导体器件及其制造方法。在由铜形成的散热板11上,固定有由陶瓷材料构成的方形的外框部件12。在外框部件12的一边上和面对该一边的另一边上,分别接有可穿过该外框部件12且与散热板11绝缘的输入引线13和输出引线14。在散热板11上的外框部件12的内侧,固定有由金属或者石墨形成的定位板15,它具有能靠着其内壁来限定半导体芯片21或者电路基片22的侧面位置的多个开口部15a。
-
公开(公告)号：CN1166059A
公开(公告)日：1997-11-26
申请号：CN97109516.7
申请日：1997-03-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K9/0056 , H01L23/3677 , H01L23/66 , H01L2924/0002 , H05K7/20445 , H01L2924/00
Abstract: 一种射频功率放大模块，包括：一辐射部分；一附着到所述辐射部分上的印刷电路板；一用于放大并安装到所述印刷电路板上的半导体器件和一个罩。所述辐射部分包括多个辐射板，所述多个辐射板中的至少一个包括最为最低层的第一辐射板并包括附着到所述第一辐射板上的第二辐射板，所述第一辐射板被耦合到所述罩上。
-
公开(公告)号：CN1897301A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610101566.9
申请日：2006-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L27/02
Abstract: 一种双极晶体管，其中将基极台面指(发射极凸出层15、基极层16和集电极层17)插入在两个集电极指(集电极电极13)之间，并且在该基极台面指上形成基极指(基极电极12)和该基极指两侧上的两个发射极指(发射极层14和发射极电极11)。这两个发射极指形成为相对于作为基准的基极指对称。
-
公开(公告)号：CN1848669A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610074198.3
申请日：2006-04-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 前田昌宏
IPC: H03F3/189
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种不对高频放大电路产生不良影响、可防止双极型晶体管的热失控的双极型晶体管及高频放大电路。该双极型晶体管具备：被供给直流偏压的直流偏压(DC)端子(3)；与DC端子(3)连接的DC用基电极(6)；被供给高频信号的高频电力(RF)端子(4)；与RF端子(4)连接的RF用基电极(7)；与DC用基电极(6)和RF用基电极(7)连接的基极层(8)。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.036 seconds)
