公开(公告)号：CN108735721A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810190168.1

申请日：2018-03-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐佐木阳光 ,  井口知洋 ,  木村晃也

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L23/24 ,  H01L23/36 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/065 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/3205 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265

Abstract: 半导体装置包括第1、第2半导体芯片、金属基体及第1、第2接合部件。上述第2半导体芯片在第1方向上与上述第1半导体芯片分离。上述金属基体在与上述第1方向交叉的第2方向上，与上述第1、第2半导体芯片分离。上述绝缘基体设置于上述第1半导体芯片与上述金属基体之间及上述第2半导体芯片与上述金属基体之间。上述第1接合部件设置于上述金属基体与上述绝缘基体之间，在上述第2方向上，至少一部分处于上述第1半导体芯片与上述金属基体之间。上述第2接合部件设置于上述金属基体与上述绝缘基体之间，在上述第2方向上，至少一部分处于上述第2半导体芯片与上述金属基体之间。

公开(公告)号：CN105575830B

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201510712706.5

申请日：2015-10-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 门口卓矢 ,  柳本博 ,  平冈基记

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/16 ,  B23K35/262 ,  C22C13/00 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/16502 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种制造半导体装置的方法，其包括：将包含至少锡的焊料材料布置在半导体元件和设置有镍层和铜层的接合构件之间，使得焊料材料接触铜层，镍层设置在接合构件的表面上，并且铜层设置在镍层的表面的至少一部分上；以及使用铜层和焊料材料中的锡来熔化以及凝固焊料材料以在镍层的表面上形成Cu6Sn5。本发明还提供一种半导体装置。

公开(公告)号：CN103367170B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201310109309.X

申请日：2013-03-29

Applicant: 赛米控电子股份有限公司

Inventor： 库尔特-格奥尔格·贝森德费尔 ,  海科·布拉姆尔 ,  娜蒂娅·埃德纳 ,  克里斯蒂安·约布尔

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/36 ,  H01L21/4803 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及衬底和用于制造至少一个功率半导体器件的衬底的方法。衬底带有第一和第二金属化层（2a、2b），该方法具有方法步骤：a）制备不导电的绝缘材料本体（1）；b）将第二金属化层施加到绝缘材料本体（1）的与绝缘材料本体（1）的第一侧（15a）对置的第二侧（15b）上；c）将不导电的漆层（3）施加到第二金属化层上，漆层（3）具有凹部（13）；d）在第二金属化层上将突起（6、6’）电沉积在漆层（3）具有凹部（13）的部位上。此外，本发明还涉及一种衬底（7、7’、7’’）。本发明实现了对布置在衬底上的功率半导体器件（10a、10b）的可靠的冷却。

公开(公告)号：CN108140696A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680053377.0

申请日：2016-09-13

Applicant: 法雷奥照明公司

Inventor： 洛萨·塞弗 ,  兹德拉夫科·左珍凯斯基

IPC: H01L33/08 ,  H01L25/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L25/167 ,  G01K7/01 ,  H01L23/34 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L27/156 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/644 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12041

Abstract: 本发明提出了一种电致发光光源(101，201，301，401)，其包括从衬底突出的亚毫米尺寸的并且被分成多个相同的组的发光棒(120，220，320，420)。光源包括用于测量发光棒温度的装置(130，230，330，430)。通过使用本发明提供的装置，可以获得棒温度的准确和本地测量值。

公开(公告)号：CN104885206B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201380066872.1

申请日：2013-12-20

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 大桥东洋 ,  长友义幸 ,  长瀬敏之 ,  黑光祥郎

IPC: H01L21/52 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00

CPC classification number: H05K7/02 ,  B23K35/0272 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/40 ,  B23K2101/42 ,  B32B15/017 ,  C22C13/00 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/473 ,  H01L23/488 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105

Abstract: 本发明的功率模块中，在电路层(12)中与半导体元件(3)的接合面，设置有由铜或铜合金构成的铜层，且在电路层(12)与半导体元件(3)之间形成有使用焊锡材料而形成的焊锡层(20)。在焊锡层(20)中的从电路层(12)表面至厚度30μm的区域中，通过EBSD测定而测定的平均结晶粒径被设定为10μm以下，焊锡层(20)的组成为，作为主成分含有Sn，并且含有0.01质量％以上1.0质量％以下的Ni、0.1质量％以上5.0质量％以下的Cu，在功率循环试验中，在通电时间5秒、温度差80℃的条件下负载10万次功率循环时，热阻上升率低于10％。

公开(公告)号：CN105103279B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201480019763.9

申请日：2014-05-09

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 木户和优 ,  齐藤隆 ,  福田恭平 ,  多田慎司 ,  百濑文彦 ,  西村芳孝

IPC: H01L21/52 ,  B23K1/00 ,  B23K35/26 ,  B23K101/40 ,  C22C13/02

CPC classification number: H01L24/29 ,  B23K1/00 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K1/012 ,  B23K1/19 ,  B23K1/203 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K2101/42 ,  B23K2103/56 ,  C22C13/02 ,  H01L21/52 ,  H01L23/051 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2932 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/013

Abstract: 焊料接合层具有分散于基质的微粒状的多个第二结晶部(22)在第一结晶部(21)之间的晶粒边界析出的结构。第一结晶部(21)是以预定比例包括锡和锑的多个Sn晶粒。第二结晶部(22)由以相对于Sn原子以预定比例包括Ag原子的第一部分、或者相对于Sn原子以预定比例包括Cu原子的第二部分构成，或者由该第一部分和第二部分构成。另外，焊料接合层也可以具有作为相对于Sn原子以预定比例包括Sb原子的晶粒的第三结晶部(23)。由此，能够以低融点进行焊料接合、具有实质上均匀的金属组织、形成可靠性高的焊料接合层。

公开(公告)号：CN104576314B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201410524598.4

申请日：2014-10-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·R·耶杜拉 ,  K·H·加瑟 ,  S·韦勒特 ,  K·迈尔 ,  F·J·桑托斯罗德里奎兹

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/288 ,  H01L21/4814 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/27005 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/29021 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29035 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/07802

Abstract: 本发明提供用于处理晶片的方法和晶片结构。根据各种实施例的用于处理晶片的方法可包括：从晶片的内部部分去除晶片材料，以在所述晶片的边缘区形成至少部分地包围所述晶片的内部部分的结构；以及使用所述结构作为印刷掩模，将材料印刷到所述晶片的内部部分中。根据各种实施例的用于处理晶片的方法可包括：提供托架和晶片，所述晶片具有第一面和与所述第一面相对的第二面，其中所述晶片的所述第一面附着于所述托架，所述第二面具有位于所述晶片的边缘区的结构，所述结构至少部分地包围所述晶片的内部部分；以及，将材料印刷到所述晶片的所述第二面的至少一部分上。

公开(公告)号：CN104835746B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201510071017.0

申请日：2015-02-10

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.海因里希 ,  P.帕尔姆 ,  T.西姆贝克 ,  H.托维斯滕

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2918 ,  H01L2224/2926 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83931 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/19 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023

Abstract: 具有被结合到金属箔的半导体管芯的半导体模块。一种制造半导体模块的方法包括提供包括被附着于金属层的金属箔的金属复合材料衬底，该金属箔比金属层更薄且包括与之不同的材料，在将金属箔结构化之前将多个半导体管芯的第一表面附着于金属箔，并将被附着于金属箔的半导体管芯装入电绝缘材料中。在用电绝缘材料包住半导体管芯之后将金属层和金属箔结构化，使得电绝缘材料的表面区没有金属箔和金属层。沿着没有金属箔和金属层的表面区划分电绝缘材料以形成单个模块。

公开(公告)号：CN107210237A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201580074691.2

申请日：2015-12-08

Applicant: 半导体元件工业有限责任公司

Inventor： M·J·塞登 ,  F·J·卡尼

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/683 ,  H01L23/482

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/482 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/28 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/31 ,  H01L24/33 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/03416 ,  H01L2224/03418 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05075 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/17106 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29565 ,  H01L2224/29582 ,  H01L2224/29655 ,  H01L2224/29666 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/30505 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8481 ,  H01L2224/8581 ,  H01L2224/8681 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2224/48

Abstract: 提供了形成半导体封装件的方法。具体实施方式包括在管芯背面(16)形成具有多个子层(40‑46)的中间金属层(26)，每个子层包含金属，所述金属选自钛、镍、铜、银、以及它们的组合。将锡层(48)沉积到所述中间金属层(26)上，然后与衬底(50)的银层(52)一起进行回流焊以形成熔融温度大于260摄氏度并包括银和锡组成的金属间化合物和/或铜和锡组成的金属间化合物的金属间化合物层(56)。形成半导体封装件的另一种方法包括在管芯(14)的顶侧(18)上的多个裸露焊盘(20)中的每个裸露焊盘上形成凸块(22)，每个裸露焊盘(20)由钝化层(24)所包围，每个凸块(22)包括如上所述的中间金属层(36)和耦接到所述中间金属层(36)的锡层(48)，锡层(48)然后被以衬底(50)的银层(52)回流焊以形成如上所述的金属间化合物层(64)。

公开(公告)号：CN107112248A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680004693.9

申请日：2016-10-31

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 中村照幸 ,  关野章良 ,  谷口英广

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L24/75 ,  H01L21/52 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/751 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75281 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8323 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/1011 ,  H01L2924/12042 ,  H01S5/02256 ,  H01S5/1039 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0105

Abstract: 一种芯片接合装置，其向第一部件接合第二部件，其特征在于，具备：载置台，其将第一部件载置于载置区域；加热器，其设置在所述载置台的下侧；侧壁，其设置为包围所述载置台的载置区域；盖，其具有能够供第一部件以及第二部件通过的大小的孔，且载置于侧壁；夹头，其能够利用前端部对第二部件进行真空夹紧，从而对第二部件进行保持；移动机构，其使夹头移动，以使夹头保持的第二部件通过孔而与第一部件接合；以及气体供给管，其设置于侧壁，向由侧壁与盖形成的加热空间供给加热气体，盖包括能够对由加热器以及加热气体产生的红外线辐射进行反射、或吸收‑再辐射的材料。