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公开(公告)号：CN1083104C
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN94119861.8
申请日：1994-12-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01L1/14
CPC classification number: G01L9/0072 , G01D5/2417 , G01P15/125 , Y10T29/43
Abstract: 把KBr等碱金属卤化物材料2溶融并充填在绝缘体板1的厚度方向上设置的贯通孔1a。在贯通孔1a内填埋的碱金属卤化物材料2及其周边的表面形成导电性薄膜4之后，用水洗方法将碱金属卤化物材料2溶解并除去，贯通孔1a与导电性薄膜4构成膜片。将由导电性薄膜4的里外压力差产生的膜片变形作为导电性薄膜4与电极层6之间的静电电容的变化检测出来。从而得到小型高灵敏度的静电电容型压力传感器。
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公开(公告)号：CN1059756C
公开(公告)日：2000-12-20
申请号：CN94105493.4
申请日：1994-05-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/12
CPC classification number: H01L43/08 , H01L21/02381 , H01L21/02466 , H01L21/02502 , H01L21/02549 , H01L21/02631 , H01L43/065 , Y10S438/974
Abstract: 本发明的半导体薄膜制造方法包括：在氢终止基板上形成由铝、镓、铟中选一种或两种所组成的厚度在0.1～3nm范围的起始层的工序；在该起始层上在250～430℃温度范围内开始成膜、成膜温度不高于430℃形成由铟与锑、或者是铝和镓中一种同铟与锑组成的缓冲淀积层的工序；以370～460℃温度范围内高于缓冲淀积层形成起始温度的温度在该缓冲淀积层上形成由铟与锑、或者是铋和镓中一种同铟与锑组成的半导体薄膜的工序。
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公开(公告)号：CN1107970A
公开(公告)日：1995-09-06
申请号：CN94119861.8
申请日：1994-12-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01L1/14
CPC classification number: G01L9/0072 , G01D5/2417 , G01P15/125 , Y10T29/43
Abstract: 把KBr等碱金属卤化物材料2熔融并充填在绝缘体板1的厚度方向上设置的贯通孔1a。在贯通孔1a内填埋的碱金属卤化物材料2及其周边的表面形成导电性薄膜4之后，用水洗方法将碱金属卤化物材料2溶解并除去，贯通孔1a与导电性薄膜4构成膜片。将由导电性薄膜4的里外压力差产生的膜片变形作为导电性薄膜4与电极层6之间的静电电容的变化检测出来。从而得到小型高灵敏度的静电电容型压力传感器。
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公开(公告)号：CN1088918C
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN95101916.3
申请日：1995-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L49/02
CPC classification number: G01P15/0922 , G01P15/0802 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/313 , Y10T29/42 , Y10T29/4981
Abstract: 本发明旨在提供小型、轻量、精度高且成本低的加速度传感元件及热电式红外线传感元件等薄膜传感元件。在平板型KBr基板1的表面利用等离子体MOCVD法形成以基板表面垂直方向为结晶取向(100)方向的岩盐式晶体结构氧化物膜12，利用溅射法在其表面外延生长PZT膜4，然后在其表面形成Ni-Cr电极膜15，将上述多层膜反转后用粘接剂20粘接到中央有穿通的空间部分的传感器基板7上，将接续电极19连接后，通过整体进行水洗处理，除去KBr基板1。
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公开(公告)号：CN1126368A
公开(公告)日：1996-07-10
申请号：CN95108536.0
申请日：1995-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L21/67213 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造设备及制造方法，以高生产率地制作金属与半导体界面的电阻小、特性优异、可靠性高的大面积的半导体元件。打开闸阀2a将备有a-Si∶H薄膜的样品送入样品准备室3，排气至10-210-3Pa的压力，从样品室3经中间室1将样品传送到离子照射室4，进行磷等的离子照射。离子照射后，打开闸阀2c，传送到压力10-3～10-7Pa的中间室1，然后打开闸阀2d，传送到淀积室5，将Ar气体导入淀积室5，通过溅射法，进行Al/Ti的金属膜的淀积，经中间室1将样品移出取出室6。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1146971C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN98120824.X
申请日：1998-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/18 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78621
Abstract: 本发明涉及晶体管的制造方法。在具有LDD构造的半导体的制造方法中，在杂质注入时，向靶的注入深度不同的多种杂质离子的原料气体供给等离子空间，在将其离子化后，用电压加速掺入到靶的基板上边的半导体区域中。这时，若是顶栅型的晶体管的话，在半导体区域上的栅电极就作成起掩膜作用的厚度。若是底栅型的晶体管的话，就使用掩膜或抗蚀剂。并且，掺入的角度将根据需要确定适合的值。然后，根据需要，进行杂质的激活。在以上，只用一次杂质的注入，就制造出具有LDD构造的半导体。
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公开(公告)号：CN1121999A
公开(公告)日：1996-05-08
申请号：CN95101916.3
申请日：1995-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01D5/24 , G01P15/125 , H01L49/02
CPC classification number: G01P15/0922 , G01P15/0802 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/313 , Y10T29/42 , Y10T29/4981
Abstract: 本发明旨在提供小型、轻量、精度高且成本低的加速度传感元件及热电式红外线传感元件等薄膜传感元件。在平板型KBr基板1的表面利用等离子体MOCVD法形成以基板表面垂直方向为结晶取向(100)方向的岩盐式晶体结构氧化物膜12，利用溅射法在其表面外延生长PZT膜4，然后在其表面形成Ni-Cr电极膜15，将上述多层膜反转后用粘接剂20粘接到中央有穿通的空间部分的传感器基板7上，将接续电极19连接后，通过整体进行水洗处理，除去KBr基板1。
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公开(公告)号：CN1076863C
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN95108536.0
申请日：1995-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/265 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L21/67213 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造设备及制造方法，以高生产率地制作金属与半导体界面的电阻小、特性优异、可靠性高的大面积的半导体元件。打开闸阀2a将备有a-Si：H薄膜的样品送入样品准备室3，排气至10-2-10-3Pa的压力，从样品室3经中间室1将样品传送到离子照射室4，进行磷等的离子照射。离子照射后，打开闸阀2c，传送到压力10-3～10-7Pa的中间室1，然后打开闸阀2d，传送到淀积室5，将Ar气体导入淀积室5，通过溅射法，进行Al/Ti的金属膜的淀积，经中间室1将样品移出取出室6。
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公开(公告)号：CN1213849A
公开(公告)日：1999-04-14
申请号：CN98120824.X
申请日：1998-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/18 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78621
Abstract: 在具有LDD构造的半导体的制造方法中,在杂质注入时,把发生分子量等,甚至于向靶的注入深度不同的多种杂质离子的原料气体供给等离子空间,在将其离子化后,用电压加速掺入到靶的基板上边的半导体区域中。这时,若是顶栅型的晶体管的话,在半导体区域上的栅电极就作成起掩模作用的厚度。若是底栅型的晶体管的话,就使用掩模或抗蚀剂。并且,掺入的角度将根据需要确定适合的值。然后,根据需要,进行杂质的激活。在以上,只有一次杂质的注入,就制造出具有LDD构造的半导体。
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公开(公告)号：CN1098559A
公开(公告)日：1995-02-08
申请号：CN94105493.4
申请日：1994-05-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/12
CPC classification number: H01L43/08 , H01L21/02381 , H01L21/02466 , H01L21/02502 , H01L21/02549 , H01L21/02631 , H01L43/065 , Y10S438/974
Abstract: 本发明的半导体薄膜制造方法，其特征在于包括：除去表面由硅单晶组成的基板的表面氧化膜，由氢终止表面硅悬空键的工序；在该氢终止Si单晶基板上形成Al、Ga、In中至少选一种所组成的起始层的工序；在该起始层上形成至少含In与Sb的缓冲淀积层的工序；以高于缓冲淀积层形成起始温度的温度在该淀积层上形成至少含In与Sb的半导体薄膜的工序。本发明还包括加工上述方法所得半导体薄膜，在其上设电极的磁电变换元件制造方法。
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