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公开(公告)号：CN1141700C
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN98122500.4
申请日：1998-11-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3919 , G11B5/3925 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3263 , H01F10/3268 , H01L43/10
Abstract: 本发明的交换耦合膜包括一衬基和一多层膜。此多层膜包括：一铁磁性层和一邻接此铁磁性层设置的用于抑制此铁磁性层的磁旋的磁旋抑制层；此磁旋抑制层包括一Fe-M-O层(其中M’＝Al，Ti，Co，Mn，Cr，Ni或V)。
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公开(公告)号：CN1340867A
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：CN01137079.3
申请日：2001-08-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01F41/302 , H01L27/228 , H01L43/12 , Y10T428/1107 , Y10T428/1121 , Y10T428/1129 , Y10T428/1143 , Y10T428/1193
Abstract: 本发明提供包括中间层和夹持该中间层的一对磁性层,磁性层中的自由磁性层或者固定磁性层是至少由1层非磁性体层,夹持上述非磁性体层的磁性体层构成的多层膜,而且作为垂直于膜面流过的电流通过的上述中间层的面积所规定的元件面积是1000μm2以下的磁阻元件。
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公开(公告)号：CN1121252A
公开(公告)日：1996-04-24
申请号：CN95106521.1
申请日：1995-05-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F7/02 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3925 , G11B2005/3996 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , G11C2211/5616 , H01F10/3281 , H01L27/222 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁阻效应器件包括：基片；以及在基片上形成的多层结构。多层结构包括硬磁膜，软磁膜，以及用来把硬磁膜和软磁膜隔开的非磁金属膜，硬磁膜的磁化曲线具有好的矩形特性，硬磁膜的易磁化轴的方向基本上和要被检测的磁场的方向一致。
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公开(公告)号：CN1938781B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200480042767.5
申请日：2004-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/31 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , Y10T428/1136 , Y10T428/115
Abstract: 薄膜存储器件包括第一电极(3)、第一可变电阻薄膜(2)和第二电极(1)，第一电极(3)形成在基板(4)的表面上，第一可变电阻薄膜(2)形成在第一电极(3)的表面上，第二电极(1)形成在第一可变电阻薄膜(2)的表面上，第一可变电阻薄膜(2)包括在块状态下其电阻根据晶格应变和电荷序变化的至少之一而变化的材料。
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公开(公告)号：CN1211873C
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN01137236.2
申请日：2001-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y25/00 , G01R33/093 , H01F10/324
Abstract: 本发明提供一种通过在基底与光晶石型磁性体之间夹一层氮化钛使磁阻效应显著提高的磁阻元件，本发明的磁阻元件具有基底和在上述基底上形成的多层膜，上述多层膜从上述基底侧开始包含第一磁层，形成在上述第一磁层上的非磁性层和形成在上述非磁性层上的第二磁性层，使根据上述第一磁性层的磁化方向与上述第二磁性层的磁化方向的相对角度的变化的、用于检测电阻变化的电流沿垂直于上述多层膜的膜面的方向流动；上述第一磁性层具有光晶石型结晶结构，上述多层膜还包括夹于上述基底与上述第一磁性层之间的氮化钛层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1112675C
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN99100206.7
申请日：1999-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3948 , G11B5/3954 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/32 , H01F10/3218 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , H01F41/302 , H01L43/10 , Y10S428/90 , Y10T428/1107 , Y10T428/1121
Abstract: 本发明涉及一种交换耦联薄膜，其包括铁磁层和锁定层，所述锁定层与铁磁层相接触以锁定铁磁层的磁化方向，该锁定层包括(AB)2Ox层，其中：O代表氧原子；2.8＜x＜3.2；如下定义的t值满足0.8＜t＜0.97∶t＝(Ra+Ro)/(·(Rb+Ro))，其中，Ra、Rb和Ro分别代表元素A和B的原子以及O原子的离子半径；以及(AB)2Ox层中的元素B包括Fe原子。本发明还涉及包括该交换耦联薄膜的磁阻效应装置、包括该磁阻效应装置的磁阻效应头以及制造该交换耦联薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN1124594C
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN98125636.8
申请日：1998-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁阻效应器件包括一个多层膜。该多层膜包括反铁磁膜、第一铁磁膜、非磁膜、及第二铁磁膜，它们以此顺序直接地或通过一下层设在非磁衬底上。反铁磁膜包括α-Fe2O3膜。反铁磁膜和第一铁磁膜之间的表面粗糙度约为0.5nm或以下，以促进在反铁磁膜和第一铁磁膜之间界面上的导通电子的镜面反射。
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公开(公告)号：CN1437772A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN01811520.9
申请日：2001-06-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01L43/08
Abstract: 在本发明中，作为所谓的CPP－GMR元件的非磁性层，使用了以电阻率在4μΩ.cm以上200μΩ.cm以下的金属为主要成分的薄膜。此元件即使在面积受限制时，其电阻也不会过高。所以，即使在很窄的磁缝中也能获得大的输出。
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公开(公告)号：CN1359099A
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN01109991.7
申请日：2001-08-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , H01F10/3272 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 一种磁电阻效应装置,包括:一自由层,其磁化方向可容易地被一外部磁场旋转;一非磁性层;和一被钉扎层,其磁化方向不能容易地被一外部磁场旋转,该被钉扎层位于与形成自由层的表面相对的非磁性层的表面上,其中该被钉扎层包括:一用于交换耦合的第一非磁性膜;和通过该第一非磁性膜彼此反铁磁性交换耦合的第一和第二磁性膜,该第一非磁性膜包含Ru、Ir、Rh和Re的氧化物之一。
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公开(公告)号：CN1348221A
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN01136117.4
申请日：2001-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/222 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , G11C11/16 , H01L27/22
Abstract: 一种磁阻元件,包括一垂直电流型磁阻元件;用于使一电流流入该垂直电流型磁阻元件的第一导体;和用于使该电流流出该垂直电流型磁阻元件的第二导体,其中该第一导体根据该电流生成第一磁场,该第二导体根据该电流生成第二磁场,该第一导体和第二导体被定位以使第一磁场和第二磁场起到施加在该垂直电流型磁阻元件上的一偏磁场的作用。
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