公开(公告)号：CN100570891C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200610067980.2

申请日：2006-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤嘉展 ,  小仓弘义 ,  一条尚生 ,  生田晃久 ,  寺下彻

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0878 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78654

Abstract: 一种高耐压半导体装置，其形成在具有支承基板(101)、绝缘膜(102)和活性层(103)的SOI基板上，并具备：在活性层上形成的N型阱区(105)及P型漏极偏置区域(104)、在阱区上形成的P型源极区(106)、在漏极偏置区域上形成的P型漏极区域(108)、至少在被活性层中的源极区域及漏极偏置区域夹着的区域上形成的栅极绝缘膜(110)、在栅极绝缘膜上形成的栅电极(111)，同时还具备漏极偏置区域之下形成的N型深阱区域(112)。深阱区域(112)形成用杂质的浓度峰值，存在于比漏极偏置区域(104)形成用杂质的浓度峰值更深的位置。实现了既抑制导通电阻的增加，又实现高耐压化。

公开(公告)号：CN1389918A

公开(公告)日：2003-01-08

申请号：CN02103320.X

申请日：2002-01-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野田正明 ,  生田晃久

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0629

Abstract: 高耐压半导体装置具有:半导体领域2、接触用扩散领域6,分散扩散领域4,场绝缘膜16,与接触用N型扩散领域6相连并导通的金属电极25、在浮动状态下形成的多个板式电极18a、19a。金属电极25的一部分(25－1、25－2)延伸到位于板式电极18a、19a的正上方的层间绝缘膜34上,板式电极18a、19a和金属电极25－1、25－2彼此电容耦合。在接触用N型扩散领域6所包围的半导体领域2上,设置了CMOS晶体管(7～11等)、电阻(13等)、电容(12等)。提供一种即使在高温下使用,耐压也不会下降的高耐压半导体装置。

公开(公告)号：CN1841775A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610067980.2

申请日：2006-03-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤嘉展 ,  小仓弘义 ,  一条尚生 ,  生田晃久 ,  寺下彻

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0878 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78654

Abstract: 一种高耐压半导体装置，其形成在具有支承基板(101)、绝缘膜(102)和活性层(103)的SOI基板上，并具备：在活性层上形成的N型阱区(105)及P型漏极偏置区域(104)、在阱区上形成的P型源极区(106)、在漏极偏置区域上形成的P型漏极区域(108)、至少在被活性层中的源极区域及漏极偏置区域夹着的区域上形成的栅极绝缘膜(110)、在栅极绝缘膜上形成的栅电极(111)，同时还具备漏极偏置区域之下形成的N型深阱区域(112)。深阱区域(112)形成用杂质的浓度峰值，存在于比漏极偏置区域(104)形成用杂质的浓度峰值更深的位置。实现了既抑制导通电阻的增加，又实现高耐压化。

公开(公告)号：CN1241263C

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN02103320.X

申请日：2002-01-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野田正明 ,  生田晃久

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0629

Abstract: 高耐压半导体装置具有：半导体领域2、接触用扩散领域6，分散扩散领域4，场绝缘膜16，与接触用N型扩散领域6相连并导通的金属电极25、在浮动状态下形成的多个板式电极18a、19a。金属电极25的一部分(25-1、25-2)延伸到位于板式电极18a、19a的正上方的层间绝缘膜34上，板式电极18a、19a和金属电极25-1、25-2彼此电容耦合。在接触用N型扩散领域6所包围的半导体领域2上，设置了CMOS晶体管(7～11等)、电阻(13等)、电容(12等)。提供一种即使在高温下使用，耐压也不会下降的高耐压半导体装置。

公开(公告)号：CN1207791C

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN00135722.0

申请日：2000-12-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野田正明 ,  生田晃久

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41716 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7824

Abstract: 一种耐高压半导体器件，包括：漏极扩散区域；与所述漏极扩散区域进行电连接的金属电极；从所述漏极扩散区域隔离开并且从基板法线方向看上去是包围所述漏极扩散区域从而以浮动状态形成在所述场绝缘膜上的多个阳极；所述金属电极的一部分在分别位于所述多个阳极上的所述层间绝缘膜上延续存在，所述金属电极的所述一部分和所述多个阳极分别相互进行容量耦合。该半导体器件即使在高温下使用，其漏极·源极之间的耐压性能也不会劣化。