公开(公告)号：CN103140918A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201280003095.1

申请日：2012-02-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 新井康司 ,  田边浩 ,  谷口泰士

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67173 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/6776

Abstract: 本发明的课题在于提供将与半导体基板产生发热反应的气体用作蚀刻气体，且能应对批量生产的对半导体基板进行蚀刻的装置。本发明的半导体基板的表面蚀刻装置包括：加载互锁真空室；蚀刻室，其能够减压至大气压以下；卸载互锁真空室；输送机构，其用于将收纳有半导体基板的托盘从所述加载互锁真空室经由所述蚀刻室输送到所述卸载互锁真空室为止；以及冷却机构，其冷却所述半导体基板和/或所述托盘，其中，在所述蚀刻室中具有多个喷嘴，该多个喷嘴用于对收纳在所述托盘上的半导体基板表面喷射蚀刻气体。

公开(公告)号：CN103125016B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280003093.2

申请日：2012-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中山一郎 ,  野村刚 ,  奥村智洋 ,  斋藤光央 ,  田边浩 ,  臼井幸也

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

Abstract: 本发明的目的在于，通过使具有纹理形成面的硅基板的纹理微细化，而实现太阳能电池用的硅基板的薄层化。本发明提供一种硅基板，其具有50μm以下的厚度且为基板表面定向（111）的硅基板，该硅基板具有形成有纹理的纹理形成面。这样的硅基板由包含如下工序的工艺来制造：工序A，准备优选具有50μm以下的厚度、基板表面定向（111）的硅基板；以及工序B，对所述准备好的硅基板的基板表面喷射包括含氟气体的蚀刻气体而形成纹理。

公开(公告)号：CN103125016A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201280003093.2

申请日：2012-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中山一郎 ,  野村刚 ,  奥村智洋 ,  斋藤光央 ,  田边浩 ,  臼井幸也

IPC: H01L21/3065 ,  H01L31/04

Abstract: 本发明的目的在于，通过使具有纹理形成面的硅基板的纹理微细化，而实现太阳能电池用的硅基板的薄层化。本发明提供一种硅基板，其具有50μm以下的厚度且为基板表面定向（111）的硅基板，该硅基板具有形成有纹理的纹理形成面。这样的硅基板由包含如下工序的工艺来制造：工序A，准备优选具有50μm以下的厚度、基板表面定向（111）的硅基板；以及工序B，对所述准备好的硅基板的基板表面喷射包括含氟气体的蚀刻气体而形成纹理。